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美光 DDR5 內(nèi)存配合第四代 AMD EPYC 處理器，提升高性能計算工作負載

  • 美光與AMD聯(lián)手為客戶及數(shù)據(jù)中心平臺提供一流的用戶體驗。雙方在奧斯汀建立聯(lián)合服務(wù)器實驗室，以減少服務(wù)器內(nèi)存驗證時間，在產(chǎn)品驗證和發(fā)布期間共同進行工作負載測試。目前美光適用于數(shù)據(jù)中心的 DDR5 內(nèi)存和第四代 AMD EPYCTMTM （霄龍）處理器均已出貨，我們對其進行了一些常見的高性能計算（HPC）工作負載基準測試。 長期以來，超級計算機承擔(dān)著高性能計算工作負載。此類大規(guī)模的數(shù)據(jù)密集型工作負載需要運行TB 級的數(shù)據(jù)量以進行數(shù)百萬個并行操作，以解決人類世界的難題，如天氣和氣候預(yù)測；地震建模；化學(xué)、物理和生
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全球首款！美光232層NAND客戶端SSD正式出貨

  • 12月15日，美光宣布，已開始向PC OEM客戶出貨適用于主流筆記本電腦和臺式機的美光2550 NVMe固態(tài)硬盤（SSD）。據(jù)官方介紹，美光2550是全球首款采用200+層NAND技術(shù)的客戶端SSD，該產(chǎn)品基于PCIe 4.0架構(gòu)，采用美光232層NAND技術(shù)，加強了散熱架構(gòu)和低功耗設(shè)計。美光2550 SSD可在包括游戲、消費和商用客戶端等主流PC平臺上提升應(yīng)用程序的運行速度和響應(yīng)靈敏度。與競品相比，2550 SSD文件傳輸速度快112%，辦公應(yīng)用運行速度快67%，主流游戲加載速度快57%，內(nèi)容創(chuàng)
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美光推出采用232層NAND技術(shù)的全球最先進客戶端SSD

  • Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布，已向全球個人電腦原始設(shè)備制造商（OEM）客戶出貨適用于主流筆記本電腦和臺式機的美光 2550 NVMe? 固態(tài)硬盤（SSD）。2550 是全球首款采用 200+ 層 NAND 技術(shù)的客戶端 SSD，它憑借存儲密度和功耗優(yōu)勢，在性能[[1]]方面超越競爭對手，其出色的響應(yīng)能力和低功耗表現(xiàn)可幫助用戶延長工作和家用 PC 的電池續(xù)航時間。美光副總裁兼客戶端存儲部門總經(jīng)理 Praveen Vaidyanathan 表示：“我們將通過該
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美光新技術(shù) 內(nèi)存芯片無需再用昂貴的EUV光刻機

  • 內(nèi)存工藝進入20nm節(jié)點之后，廠商的命名已經(jīng)發(fā)生了變化，都被稱為10nm級內(nèi)存，但有更細節(jié)的劃分，之前是1x、1y 和 1z三代，后面是1α，1β，1γ。    在1α，1β，1γ這三代中，三星在1α上就開始用EUV光刻工藝，但是代價就是成本高。而美光前不久搶先宣布的量產(chǎn)1β內(nèi)存芯片則沒有使用EUV工藝，避免了昂貴的光刻機。    不使用EUV光刻，美光在1β內(nèi)存上使用的主要是第二代HKMG工藝、ArF浸液多重光刻等工藝，實現(xiàn)了35%的存儲密度提升，同時省電15%。
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美光發(fā)布 HSE 3.0 開源存儲引擎

  • IT之家 11 月 20 日消息，2020 年初，美光的軟件工程師宣布了一款專為 SSD 和持久內(nèi)存設(shè)計的開源存儲引擎 HSE，這是一款快速鍵值存儲數(shù)據(jù)庫。去年 HSE 2.0 首次亮相，不再依賴于對 Linux 內(nèi)核的修改，改為完全基于用戶空間的解決方案。本周，美光發(fā)布了 HSE 3.0 開源存儲引擎，帶來了更多功能改進。據(jù)介紹，HSE 3.0 改進了數(shù)據(jù)管理，提高了各種重要工作負載的性能。此外，HSE 3.0 引擎圍繞具有單調(diào)遞增鍵（例如時間序列數(shù)據(jù)）的工作負載、多客戶端工作負載、將壓縮和未壓縮值存儲
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美光 DDR5 內(nèi)存現(xiàn)已配合第四代 AMD EPYC 處理器平臺出貨

  • 2022 年 11 月 18 日——中國上?！獌?nèi)存與存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）近日宣布出貨適用于數(shù)據(jù)中心并已通過AMD 全新EPYC? （霄龍） 9004 系列處理器驗證的 DDR5 內(nèi)存。隨著現(xiàn)代服務(wù)器配備更多處理內(nèi)核的CPU，其單個CPU內(nèi)核的內(nèi)存帶寬在不斷下降。為緩解這一瓶頸，美光 DDR5 提供比前幾代產(chǎn)品更高的帶寬，從而提升可靠性和可擴展性。第四代 AMD EPYC 處理器與美光 DDR5 的強強聯(lián)合，使
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美光宣布推出適用于數(shù)據(jù)中心的DDR5存儲器

  • 當?shù)貢r間11月10日，美光宣布推出適用于數(shù)據(jù)中心的DDR5存儲器，該存儲器已針對新的AMD EPYC? 9004系列處理器進行了驗證。隨著現(xiàn)代服務(wù)器將更多處理內(nèi)核裝入CPU，每個CPU內(nèi)核的存儲器帶寬一直在下降。與前幾代相比，美光DDR5提供了更高的帶寬，從而緩解了這一瓶頸，提高了可靠性和可擴展性。據(jù)介紹，美光將配備其DDR5的單個第4代AMD EPYC處理器系統(tǒng)的STREAM基準性能與3200MT/秒的第3代AMD EPYC處理器系統(tǒng)和美光DDR4進行了比較。使用第4代AMD EPYC處理器系統(tǒng)
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美光：成功繞過了EUV光刻技術(shù)

  • 本周美光宣布，采用全球先進1β(1-beta)制造工藝的DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)送樣給部分手機制造商、芯片平臺合作伙伴進行驗證，并做好了量產(chǎn)準備。1β工藝可將能效提高約15％，存儲密度提升35％以上，單顆裸片(Die)容量高達16Gb(2GB)。一個值得關(guān)注的點是，美光稱，1β繞過了EUV（極紫外光刻）工具，而依然采用的是DUV（深紫外光刻）。這意味著相較于三星、SK海力士，美光需要更復(fù)雜的設(shè)計方案。畢竟，DRAM的先進性很大程度上取決于每平方毫米晶圓面積上集成更多更快半導(dǎo)體的能力，各公司目前通過不斷縮小電路
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芯片巨頭美光：成功繞過了EUV光刻技術(shù)

  • 　　本周美光宣布，采用全球最先進1β(1-beta)制造工藝的DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)送樣給部分手機制造商、芯片平臺合作伙伴進行驗證，并做好了量產(chǎn)準備?！　?β工藝可將能效提高約15％，存儲密度提升35％以上，單顆裸片(Die)容量高達16Gb(2GB)?！　∫粋€值得關(guān)注的點是，美光稱，1β繞過了EUV（極紫外光刻）工具，而依然采用的是DUV（深紫外光刻）。　　這意味著相較于三星、SK海力士，美光需要更復(fù)雜的設(shè)計方案。畢竟，DRAM的先進性很大程度上取決于每平方毫米晶圓面積上集成更多更快半導(dǎo)體的能力，各公司目
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功率效率提高15%，美光1β DRAM樣本出貨

  • 當?shù)貢r間11月1日，美光宣布正在向選定的智能手機制造商和芯片組運送其1β DRAM技術(shù)的合格樣品合作伙伴，并已通過世界上最先進的DRAM技術(shù)節(jié)點實現(xiàn)了量產(chǎn)準備。據(jù)官方介紹，美光于2021年實現(xiàn)1α LPDDR5X DRAM批量出貨，此次新的1β制程DRAM比1α制程DRAM功率效率提高15%，每區(qū)儲存的位元數(shù)也增加35%。美光表示，隨著LPDDR5X的出樣，移動產(chǎn)品將率先從1β DRAM 的提升中獲益，提升新一代智能手機的性能的同時，消耗更少的電力。美光DRAM程序整合部門副總裁Thy Tran表示，新版
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美光出貨全球最先進的1β技術(shù)節(jié)點DRAM

  • 2022年11月2日——中國上?！獌?nèi)存與存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布，其采用全球最先進技術(shù)節(jié)點的1β DRAM產(chǎn)品已開始向部分智能手機制造商和芯片平臺合作伙伴送樣以進行驗證，并做好了量產(chǎn)準備。美光率先在低功耗LPDDR5X移動內(nèi)存上采用該新一代制程技術(shù)，其最高速率可達每秒8.5Gb。該節(jié)點在性能、密度和能效方面都有顯著提升，將為市場帶來巨大收益。除了移動應(yīng)用，基于1β節(jié)點的DRAM產(chǎn)品還具備低延遲、低功耗和高
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美光發(fā)布 LPDDR5X-8500 內(nèi)存：采用先進 1β 工藝，15% 能效提升

  • IT 之家 11 月 1 日消息，美光今天發(fā)布了 LPDDR5X-8500 內(nèi)存，采用先進 1β 工藝，正在向智能手機制造商和芯片組合作伙伴發(fā)送樣品。據(jù)官方介紹，美光 2021 年實現(xiàn) 1α 工藝批量出貨，現(xiàn)在最新的 1β 工藝鞏固了美光市場領(lǐng)先地位。官方稱，最新的工藝可提供約 15% 的能效提升和超過 35% 的密度提升，每個 die 容量為 16Gb。美光表示，隨著 LPDDR5X 的出樣，移動產(chǎn)品將率先從 1β DRAM 的提升中獲益，提升新一代智能手機的性能的同時，消
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臺積電宣布聯(lián)手三星、ARM、美光等19個合作伙伴成立OIP 3D Fabric聯(lián)盟

  • 臺積電10月27日宣布，成立開放創(chuàng)新平臺（OIP）3D Fabric聯(lián)盟以推動3D半導(dǎo)體發(fā)展，目前已有三星、美光、SK海力士、日月光、ARM、新思科技、Advantest、世芯電子、Alphawave、Amkor、Ansys、Cadence、創(chuàng)意電子、IBIDEN、西門子、Silicon Creations、矽品精密工業(yè)、Teradyne、Unimicron19個合作伙伴同意加入。據(jù)悉，3DFabric聯(lián)盟成員能夠及早取得臺積電的3DFabric技術(shù)，使得他們能夠與臺積電同步開發(fā)及優(yōu)化解決方案，也
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美光升級對云數(shù)據(jù)中心和企業(yè)數(shù)據(jù)中心的OCP存儲支持

  • Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布為其 7450 NVMe SSD 推出符合“開放計算項目數(shù)據(jù)中心 NVMe SSD 2.0” （OCP SSD 2.0）規(guī)范的全新固件[1]。美光采用最新的 OCP 規(guī)范以實現(xiàn)智能管理，從而能夠快速、主動地優(yōu)化和解決常見的數(shù)據(jù)中心問題，同時為企業(yè)數(shù)據(jù)中心帶來云數(shù)據(jù)中心級別的能力。7450 SSD在升級最新固件后，將繼續(xù)提供業(yè)界最靈活的部署選項（包括 U.2/U.3、E1.S 和M.2 等外形尺寸）、更低的延遲和更高的服務(wù)質(zhì)量。美光
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?半導(dǎo)體迎資本支出下修潮，美光、臺積電后輪到誰？

  • 受疫情、全球芯片需求放緩等因素影響，半導(dǎo)體市場遭遇“寒風(fēng)”沖擊，產(chǎn)業(yè)進入調(diào)整時期，包括美光、臺積電等在內(nèi)多家大廠紛紛下修資本支出計劃，涉及存儲器、晶圓代工兩大領(lǐng)域。01存儲芯片市場挑戰(zhàn)前所未見？美光、南亞科削減投資計劃今年9月30日美光科技表示，目前存儲芯片市場的挑戰(zhàn)是“前所未見”的，但是公司管理層相信，企業(yè)規(guī)模優(yōu)勢將幫助美光度過這一難關(guān)。展望未來，美光認為未來的存儲芯片需求和公司經(jīng)營將面臨更嚴重的困難，美光將削減投資計劃。據(jù)悉，此前美光已經(jīng)大幅削減了資本開支，現(xiàn)在預(yù)計2023財年的資本開支規(guī)模將是80億
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美光介紹

　美光科技有限公司（以下簡稱美光科技）是全球最大的半導(dǎo)體儲存及影像產(chǎn)品制造商之一，其主要產(chǎn)品包括DRAM、NAND閃存和CMOS影像傳感器。美光科技先進的產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動、計算機、服務(wù)、汽車、網(wǎng)絡(luò)、安防、工業(yè)、消費類以及醫(yī)療等領(lǐng)域，為客戶在這些多樣化的終端應(yīng)用提供“針對性”的解決方案。 　　美光科技有限公司（Micron Technology, Inc.）是高級半導(dǎo)體解決方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商之 [ 查看詳細 ]

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