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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 絕緣柵雙極型晶體管(igbt)

絕緣柵雙極型晶體管(igbt) 文章 最新資訊

IGBT模塊應(yīng)用指南

  • IGBT是絕緣柵雙極型晶體管（IsolatedGateBipolarTransistor），它是八十年代初誕生，九十年代迅速發(fā)展起來的新...
  • 關(guān)鍵字： IGBT  

飛兆增添功率鏈分立式器件功率損耗和效率分析工具

  • 飛兆半導(dǎo)體公司(紐約證券交易所代號： FCS)，全球領(lǐng)先的高性能功率和移動半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商，最近將Power Supply WebDesigner (PSW) – 一款在線設(shè)計和模擬工具，可在一分鐘內(nèi)提供完整的設(shè)計–進(jìn)一步強(qiáng)化，引入傳動系分立式(MOSFET/IGBT/整流器)器件功率損耗和效率分析工具。
  • 關(guān)鍵字： 飛兆  MOSFET  IGBT  整流器  

大功率IGBT模塊PCB抄板及芯片解密研究

  • 　　據(jù)悉，我國大功率IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)模塊產(chǎn)品實現(xiàn)國產(chǎn)化啦!這不僅打破了我國在高端IGBT模塊長期依賴進(jìn)口的局面，而且還是國內(nèi)第一個反向創(chuàng)新基礎(chǔ)上真正具有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的高壓大功率電力電子核心器件。為了發(fā)展我國的IGBT模塊，深圳聯(lián)邦科技反向技術(shù)研究中心早就實施在國際尖端科技攻關(guān)成果的基礎(chǔ)上，進(jìn)行了系列化IGBT模塊PCB抄板及板上芯片解密研究，并在吸收了國內(nèi)外同類產(chǎn)品技術(shù)優(yōu)點的基礎(chǔ)上反向創(chuàng)新設(shè)計，二次開發(fā)升級產(chǎn)品。 　　IGBT模塊重要應(yīng)用及項目微創(chuàng)新 　　IGBT作為自動控制和功率變
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如何實現(xiàn)IR2110驅(qū)動電路的優(yōu)化設(shè)計

  • 驅(qū)動IGBT電壓型功率器件有多種具有保護(hù)及隔離功能的集成驅(qū)動模塊。這些模塊具有多種保護(hù)功能、隔離驅(qū)動...
  • 關(guān)鍵字： 功率器件  IR2110  IGBT  

一款并聯(lián)諧振逆變電源的設(shè)計方案

國產(chǎn)IGBT前景光明 突破之路曲折

  • 　　隨著IGBT技術(shù)的發(fā)展，IGBT已經(jīng)從工業(yè)擴(kuò)展到消費電子應(yīng)用，成為未來10年發(fā)展最迅速的功率半導(dǎo)體器件;而在中國市場，軌道交通、家電節(jié)能、風(fēng)力發(fā)電、太陽能光伏和電力電子等應(yīng)用更是引爆了IGBT應(yīng)用市場。 　　據(jù)IHS iSuppli公司中國研究服務(wù)即將發(fā)表的一份報告，由于綠色能源與能源效率得到更多的重視，以及政府投資支持和嚴(yán)格的能源政策，2011-2015年中國絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)市場銷售額的復(fù)合年度增長率將達(dá)13%。2011年IGBT銷售額將達(dá)到8.59億美元，2015年有望達(dá)到13億美
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將電磁爐應(yīng)用的IGBT性能提升至最高

  • 摘要：當(dāng)尋求將電磁爐應(yīng)用中使用的IGBT的效益提升至最高時，需要顧及幾項參數(shù)，包括IGBT的厚度及裸片尺寸等物理特性， IGBT的飽和電壓、阻斷電壓及開關(guān)損耗等電氣特性。優(yōu)化這些不同參數(shù)中的任何一種，都表示必須在某種程度上損及其它參數(shù)。因此，對于工程師而言，重要的是充分理解各種參數(shù)涉及到的權(quán)衡取舍。
  • 關(guān)鍵字： 電磁爐  IGBT  安森美  諧振半橋  峰值  201310  

DSP平臺的數(shù)控逆變中頻電源的設(shè)計與實現(xiàn)

  • 摘要：應(yīng)用數(shù)字處理技術(shù)，研究了基于DSP的數(shù)字化控制的中頻逆變電源。給出了基于IGBT的主電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，分析了其控制原理，采用基于TMS320F2407型DSP為核心的控制系統(tǒng)，實現(xiàn)串聯(lián)諧振中頻逆變電源的數(shù)字化控制，以滿足系統(tǒng)控制的實時性和靈活性要求。研制了一臺10kW/10kHz的逆變電源樣機(jī)進(jìn)行實驗，實驗結(jié)果驗證了設(shè)計的有效性和可行性。
  • 關(guān)鍵字： 逆變電源  DSP  IGBT  串聯(lián)諧振  DPLL  201310  

高鐵有了“中國芯”

  • 　　中國北車集團(tuán)日前在西安對外發(fā)布：大功率IGBT芯片(絕緣柵雙極型晶體管)通過專家鑒定并投入批量生產(chǎn)。中國自此有了完全自主產(chǎn)權(quán)的大功率IGBT“中國芯”。 　　據(jù)介紹，作為新一代半導(dǎo)體器件，IGBT是自動控制和功率變換的關(guān)鍵核心部件，被廣泛應(yīng)用在軌道交通裝備行業(yè)、電力系統(tǒng)、工業(yè)變頻、風(fēng)電、太陽能、電動汽車和家電產(chǎn)業(yè)中。此前，國內(nèi)高端IGBT芯片基本依賴進(jìn)口。此次大功率IGBT芯片的研制成功，不僅可以為我國高鐵、動車組等軌道交通裝備及其他相關(guān)行業(yè)提供強(qiáng)勁的“中國芯
  • 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體器件  IGBT  

淺談大功率電壓型逆變器新型組合式IGBT過流保護(hù)方案

  • 引言隨著電力電子器件制造技術(shù)的發(fā)展，高性能、大容量的絕緣柵雙極晶體管（IGBT）因其具有電壓型控制、輸...
  • 關(guān)鍵字： IGBT  逆變器  

IGBT保護(hù)電路的過流保護(hù)設(shè)計方案

  • IGBT(絕緣柵雙極性晶體管)是一種用MOS來控制晶體管的新型電力電子器件，具有電壓高、電流大、頻率高、導(dǎo)通電阻小等特點，因而廣泛應(yīng)用在變頻器的逆變電路中。但由于IGBT的耐過流能力與耐過壓能力較差，一旦出現(xiàn)意外就
  • 關(guān)鍵字： IGBT  保護(hù)電路  過流保護(hù)  設(shè)計方案    

風(fēng)機(jī)變流器中IGBT驅(qū)動窄脈沖的影響與限制

  • 摘要：在大功率風(fēng)機(jī)變流器中，絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的工作可靠性對整個風(fēng)電機(jī)組的安全運行有著直接影響。分析了驅(qū)動窄脈沖對風(fēng)機(jī)變流器IGBT可靠運行的危害，并從理論上闡述了空間矢量調(diào)制(SVM)中窄脈沖出現(xiàn)的原理
  • 關(guān)鍵字： 變流器  風(fēng)機(jī)  絕緣柵雙極型晶體管  窄脈沖  

基于峰值控制的IGBT串聯(lián)均壓技術(shù)

  • 絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)串聯(lián)應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)是均壓控制。峰值控制技術(shù)是保證串聯(lián)運行中每個IGBT的集射極電壓都不超過安全極限的有效技術(shù)。在介紹IGBT工作特性的基礎(chǔ)上，對串聯(lián)IGBT關(guān)斷過程不同動態(tài)時段內(nèi)的均壓控制目標(biāo)進(jìn)行了分析，為設(shè)計不帶RC緩沖回路的均壓方法提供了理論基礎(chǔ)。綜合各階段控制要點，采用基于穩(wěn)壓管箝位的峰值控制方法，在低壓實驗中實現(xiàn)了有效的串聯(lián)均壓，驗證了理論分析的正確性。最后，針對該方法在高壓應(yīng)用時的缺點，提出了一種新的峰值控制方法，并通過仿真驗證了該方法均壓控制的有效性。
  • 關(guān)鍵字： 絕緣柵雙極型晶體管  均壓  峰值控制  

可再生能源應(yīng)用加持IGBT市場前景一片光明

  • 　　據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)Yole的最新報告，IGBT在電動車/動力混合汽車(EV/HEV)、再生能源(RenewableEnergies)、馬達(dá)驅(qū)動器(MotorDrive)、不斷電動力系統(tǒng)(UPS)及交通上的應(yīng)用是該市場的成長動力來源。IGBT市場在2011~2012年少許反常性的下跌后，Yole分析師預(yù)期今年市場已回歸穩(wěn)定成長腳步，具體而言，市場預(yù)估將從今年的36億美元，在5年后達(dá)到60億美元。在Yole的報告中最廣泛被分析的是IGBT在馬達(dá)驅(qū)動器的應(yīng)用，區(qū)分為工業(yè)、商業(yè)和住宅應(yīng)用，馬達(dá)驅(qū)動器是帶動IGBT
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英飛凌發(fā)布第三季度財報

  • 英飛凌科技股份公司發(fā)布了2013財年第三季度(截至2013年6月30日)的財務(wù)數(shù)據(jù)。
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌  汽車電子  IGBT  
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絕緣柵雙極型晶體管(igbt)介紹

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