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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 結(jié)構(gòu)

超高亮度LED的結(jié)構(gòu)及性能

  • 超高亮度紅A1GaAsled與GaAsPGaPLED相比，具有更高的發(fā)光效率，透明襯（TS）A1GaAsLED（640nm）的流明效率已接近10lm/W...
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NAND Flash嵌入式存儲(chǔ)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)分析

  • NAND Flash嵌入式存儲(chǔ)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)分析,　本文是以Samsung的NAND Flash K9F2808U0C作為存儲(chǔ)芯片，設(shè)計(jì)了一種在NFTL上實(shí)現(xiàn)壞塊管理并且實(shí)現(xiàn)連續(xù)數(shù)據(jù)讀取的方法。
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Diameter協(xié)議結(jié)構(gòu)特點(diǎn)研究

  • Diameter協(xié)議介紹　　● 簡(jiǎn)介　　Diameter系列協(xié)議是IETF開(kāi)發(fā)的新一代AAA協(xié)議。AAA即Authentication(認(rèn)證)、Authorization(授權(quán))、Accounting(計(jì)費(fèi))。Authentication(認(rèn)證)用以對(duì)用戶身份進(jìn)行確認(rèn);Authorization(授權(quán)
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達(dá)林頓管的應(yīng)用及達(dá)林頓模塊電路典型結(jié)構(gòu)

  • 雙管形式——達(dá)林頓管。電流倍數(shù)：100-1000。飽和壓降大，速度慢。下圖虛線部分即是達(dá)林頓管。圖1-1：達(dá)林頓管應(yīng)用
    實(shí)際比較常用的是達(dá)林頓模塊，它把GTR、續(xù)流二極管、輔助電路做到一個(gè)模塊內(nèi)。在較早期
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結(jié)構(gòu)緊湊的超聲成像系統(tǒng)連續(xù)波多普勒(CWD)設(shè)計(jì)

  • 摘要：采用高度集成的低功耗、雙極型放大器和連續(xù)波多普勒(CWD)混頻器/波束成型電路能夠使下一代結(jié)構(gòu)緊湊的超聲設(shè)備達(dá)到“高端”CWD的指標(biāo)。

    超聲系統(tǒng)中要求最苛刻的臨床診斷工具是連續(xù)波多普勒(CWD)接
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采用RS422A現(xiàn)場(chǎng)總線溫控網(wǎng)絡(luò)控制系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)及分析

  • RS422A是工業(yè)界廣泛使用的雙向、差動(dòng)平衡驅(qū)動(dòng)和接收傳輸線標(biāo)準(zhǔn)接口 ,它以全雙工方式通信 ,支持多點(diǎn)連接 ,允許創(chuàng)建多達(dá) 32個(gè)節(jié)點(diǎn)的網(wǎng)絡(luò),具有傳輸距離遠(yuǎn) （最大傳輸距離為 1200m） ,傳輸速率快 （ 1200m時(shí)為 100kbit/s
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新型高線性折疊結(jié)構(gòu)混頻器設(shè)計(jì)

  • 混頻器作為收發(fā)機(jī)中的關(guān)鍵模塊之一，對(duì)通信設(shè)備的上述性能產(chǎn)生直接的影響。隨著微電子工藝的發(fā)展， CMOS器件的柵長(zhǎng)進(jìn)一步縮小，MOS器件的過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓也進(jìn)一步降低，這就為設(shè)計(jì)低壓低功耗的射頻電路提供了可能，但是依
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UPS逆變模塊的Nm冗余并聯(lián)結(jié)構(gòu)和均流

  • 0 引言 隨著國(guó)民經(jīng)濟(jì)的發(fā)展和用電設(shè)備的不斷增加，對(duì)UPS容量的要求越來(lái)越大。大容量的UPS有兩種構(gòu)成方式：一種是采用單臺(tái)大容量UPS；另一種是在UPS單機(jī)內(nèi)部采用功率模塊N＋m冗余并聯(lián)結(jié)構(gòu)。前者的缺點(diǎn)是成本高
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多電平變換器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和控制策略

  • 0 引言 多電平變換器的概念自從A.Nabael在1980年的IAS年會(huì)上提出以后，以其獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)受到廣泛的關(guān)注和研究。首先，對(duì)于n電平的變換器，每個(gè)功率器件承受的電壓僅為母線電壓的1/（n－1），這就使得能夠用低壓
  • 關(guān)鍵字： 控制  策略  結(jié)構(gòu)  拓?fù)?/a>  變換器  電平  

現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列的結(jié)構(gòu)與設(shè)計(jì)

  • 現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列的結(jié)構(gòu)與設(shè)計(jì),摘要：現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列（FPGA——Field Programmable Gate Array)是上世紀(jì)80年代末發(fā)展起來(lái)的新型大規(guī)模集成邏輯器件。它采用高級(jí)計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)技術(shù)進(jìn)行器件的開(kāi)發(fā)與設(shè)計(jì),其優(yōu)越性大大超過(guò)普通TTL集成門
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半導(dǎo)體模塊的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)及特殊設(shè)計(jì)要求

  • 摘要：通過(guò)對(duì)電力半導(dǎo)體模塊結(jié)構(gòu)的介紹，以及對(duì)其主要原材料性能的分析，進(jìn)一步闡述了各主要結(jié)構(gòu)材料對(duì)電力半導(dǎo)體模塊性能的影響。 關(guān)鍵詞：電力半導(dǎo)體；模塊；質(zhì)量差異 　 1 引言 電力半導(dǎo)體模塊是分立半導(dǎo)體
  • 關(guān)鍵字： 設(shè)計(jì)  要求  特殊  特點(diǎn)  模塊  結(jié)構(gòu)  半導(dǎo)體  

多電平變換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和控制方法研究

  • 摘要：多電平變換器作為一種應(yīng)用于高壓大功率變換場(chǎng)合的新型變換器，其電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和PWM控制方法是當(dāng)前的一個(gè)研究熱點(diǎn)?；陔娖襟槲环绞綄?duì)多電平變換電路進(jìn)行了分類，比較了“二極管或電容箝位”和ldqu
  • 關(guān)鍵字： 控制  方法研究  結(jié)構(gòu)  拓?fù)?/a>  變換器  電平  

中高壓變頻器主電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的分析比較

  • 摘要：對(duì)中高壓變頻器幾種常見(jiàn)的主電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行了分析比較，對(duì)不同電路結(jié)構(gòu)的中高壓變頻器的可靠性、冗余設(shè)計(jì)、諧波含量及dv/dt等指標(biāo)進(jìn)行了深入的討論，并對(duì)中高壓變頻器的發(fā)展方向提出了自己的看法。 關(guān)鍵詞：
  • 關(guān)鍵字： 分析  比較  結(jié)構(gòu)  拓?fù)?/a>  變頻器  電路  中高  
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結(jié)構(gòu)介紹

您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條結(jié)構(gòu)!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)結(jié)構(gòu)的理解，并與今后在此搜索結(jié)構(gòu)的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條
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