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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 氮化鎵場效應晶體管

氮化鎵場效應晶體管 文章 進入氮化鎵場效應晶體管技術社區(qū)

Transphorm發(fā)布兩款4引腳TO-247封裝器件，針對高功率服務器、可再生能源、工業(yè)電力轉換領域擴展產品線

  • 加利福尼亞州戈萊塔 – 2024 年 1 月 17 日 — 全球領先的氮化鎵（GaN）功率半導體供應商 Transphorm, Inc.（納斯達克：TGAN）今日宣布推出兩款采用 4 引腳 TO-247 封裝（TO-247-4L）的新型 SuperGaN? 器件。新發(fā)布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分別具有 35 毫歐和 50 毫歐的導通電阻，并配有一個開爾文源極端子，以更低的能量損耗為客戶實現(xiàn)更全面的開關功能。新
  • 關鍵字： Transphorm  高功率服務器  工業(yè)電力轉換  氮化鎵場效應晶體管  碳化硅  SiC  

氮化鎵場效應晶體管與硅功率器件比拼之包絡跟蹤

  • 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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氮化鎵場效應晶體管介紹

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