格芯 文章 最新資訊
格芯宣布推出基于行業(yè)領(lǐng)先的22FDX? FD-SOI 平臺的嵌入式磁性隨機(jī)存儲器
- 格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布推出基于公司22納米 FD-SOI (22FDX?)平臺的可微縮嵌入式磁性隨機(jī)存儲器(eMRAM)技術(shù)。作為業(yè)界最先進(jìn)的嵌入式內(nèi)存解決方案,格芯22FDX eMRAM,為消費(fèi)領(lǐng)域、工業(yè)控制器、數(shù)據(jù)中心、物聯(lián)網(wǎng)及汽車等廣泛應(yīng)用提供優(yōu)越的性能和卓越可靠性?! ≌缃谠诿绹故镜?,格芯22FDX eMRAM具有業(yè)界領(lǐng)先的存儲單元尺寸,擁有在260°C回流焊中保留數(shù)據(jù)的能力,同時能使數(shù)據(jù)在125°C環(huán)境下保留10年以上。
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格芯為高性能應(yīng)用推出全新12納米 FinFET技術(shù)
- 格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布計劃推出全新12納米領(lǐng)先性能(12LP)的FinFET半導(dǎo)體制造工藝。該技術(shù)預(yù)計將提高當(dāng)前代14納米 FinFET產(chǎn)品的密度和性能,同時滿足從人工智能、虛擬現(xiàn)實(shí)到高端智能手機(jī)、網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施等最具計算密集型處理需求的應(yīng)用?! ∵@項(xiàng)全新的12LP技術(shù)與當(dāng)前市場上的16 /14納米 FinFET解決方案相比,電路密度提高了15%,性能提升超過10%。這表明12LP完全可與其它晶圓廠的12納米 FinFET產(chǎn)品競爭。這項(xiàng)技術(shù)
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格芯與芯原聯(lián)袂實(shí)現(xiàn)適合次世代物聯(lián)網(wǎng)的單芯片解決方案
- 今日,格芯(GLOBALFOUNDRIES,原名格羅方德)與芯原微電子(VeriSilicon)共同宣布,將攜手為下一代低功耗廣域網(wǎng)(LPWA)推出業(yè)界首款單芯片物聯(lián)網(wǎng)解決方案。雙方計劃采用格芯的22FDX? FD-SOI 技術(shù)開發(fā)可支持完整蜂巢式調(diào)制解調(diào)器模塊的單芯片專利,包括集成基帶、電源管理、射頻以及結(jié)合窄帶物聯(lián)網(wǎng)(NB-IoT)與LTE-M 功能的前端模塊。相較于現(xiàn)有產(chǎn)品,該全新方案可望大幅改善功耗、面積及成本?! ‰S著智慧城市、家居與工業(yè)應(yīng)用中互聯(lián)設(shè)備的數(shù)量日益
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格芯(GLOBALFOUNDRIES)CEO桑杰·賈亮相MWC2017上海:晶圓廠將迎來技術(shù)創(chuàng)新的黃金時代

- 伴隨著數(shù)字時代的全面到來,第一代“數(shù)字原住民”正式步入職場,他們正以前所未有的技能、需求和價值體系改變著世界,將“信息”的意義提升至推動人類社會發(fā)展的新高度。而作為計算機(jī)物質(zhì)基礎(chǔ)的半導(dǎo)體芯片,則無疑是這場運(yùn)動中的領(lǐng)先者。 “這是一個最好的創(chuàng)新時代,人工智能的發(fā)展將為晶圓廠帶來發(fā)展的黃金時代”,格芯CEO桑杰·賈(Sanjay Jha)在6月30日的MWC 2017上?!爱a(chǎn)業(yè)創(chuàng)新,勢在人為”的主題演講中如是說?! ?nbsp; 技術(shù)巨變顛覆生活方式,人類進(jìn)入技術(shù)創(chuàng)新的
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格芯推出面向數(shù)據(jù)中心、機(jī)器學(xué)習(xí)和5G網(wǎng)絡(luò)的7納米專用集成電路平臺
- 格芯今日宣布推出其基于7納米FinFET工藝技術(shù)的FX-7TM專用集成電路(ASIC)。FX-7是一個集成式設(shè)計平臺,將先進(jìn)的制造工藝技術(shù)與差異化的知識產(chǎn)權(quán)和2.5D/3D封裝技術(shù)相結(jié)合,為數(shù)據(jù)中心、機(jī)器學(xué)習(xí)、汽車、有線通信和5G無線應(yīng)用提供業(yè)內(nèi)最完整的解決方案?! 』贔X-14的持續(xù)成功,憑借業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的56G SerDes技術(shù)和專用集成電路專長,F(xiàn)X-7提供包括高速SerDes(60G, 112G)在內(nèi)的全方位定制接口知識產(chǎn)權(quán)和差異化存儲解決方案,涵蓋低功耗SRAM、高性能嵌入
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格芯交付性能領(lǐng)先的7納米FinFET技術(shù)在即
- 格芯今日宣布推出其具有7納米領(lǐng)先性能的(7LP)FinFET半導(dǎo)體技術(shù),其40%的跨越式性能提升將滿足諸如高端移動處理器、云服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施等應(yīng)用的需求。設(shè)計套件現(xiàn)已就緒,基于7LP技術(shù)的第一批客戶產(chǎn)品預(yù)計于2018年上半年推出,并將于2018年下半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)?! ?016年9月,格芯曾宣布將充分利用其在高性能芯片制造中無可比擬的技術(shù)積淀,來研發(fā)自己7納米FinFET技術(shù)的計劃。由于晶體管和工藝水平的進(jìn)一步改進(jìn),7LP技術(shù)的表現(xiàn)遠(yuǎn)優(yōu)于最初的性能目標(biāo)。與先前基于14納米FinFET技術(shù)的產(chǎn)品相比,預(yù)
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格芯將與成都共同推動實(shí)施FD-SOI 生態(tài)圈行動計劃
- 5月23日,格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布,在成都市政府的引導(dǎo)和支持下,雙方將協(xié)同合作以推動中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新發(fā)展。雙方將合作建立一個世界級的FD-SOI生態(tài)系統(tǒng),其中涵蓋多個成都研發(fā)中心及高校合作的研究項(xiàng)目。該項(xiàng)累計投資超過1億美元的計劃期望能吸引到更多頂尖的半導(dǎo)體公司落戶成都,并使成都成為下一代芯片設(shè)計的卓越中心,以滿足移動通信、物聯(lián)網(wǎng)、汽車及其它高增長市場對高性能芯片的需求。 格芯和成都于近期共同出資建設(shè)一家300mm晶圓廠,旨在滿足全球市場對 22FDX?&nbs
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合作之路并不平坦 格芯與成都要如何修成正果

- Global Foundries和成都的合作一開始就面臨巨大挑戰(zhàn),現(xiàn)在發(fā)生關(guān)鍵變化后,前景如何?芯謀研究認(rèn)為二者還有更多的事情需要做:首先雙方都需要說服背后的“老板”支持,GF需要說服股東,成都需要進(jìn)入國家戰(zhàn)略;雙方對彼此定位和實(shí)施步驟亦需更加明確。GF眼中的FD-SOI或許是Fully Depend on SOI,但成都眼中的FD-SOI或許是Further-Decision SOI。格芯洗面更要革心;成都需要業(yè)界都支持,才能成。 合作的前三個月總是最艱難,婚姻如此,產(chǎn)
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莫大康冷靜看待成都的“格芯”
- 全球代工巨頭格羅方德(GF)在成都落子,與成都市政府合資建12英寸生產(chǎn)線,GF占51%,并引入中國半導(dǎo)體業(yè)非常有興趣的22FDX(FD-SOI)技術(shù)。 “格芯”之所以引起業(yè)界關(guān)注有兩點(diǎn): 1)與廈門的”聯(lián)芯”一樣是合資企業(yè),它不同于之前英特爾、海力士、三星及臺積電的獨(dú)資模式; 2)導(dǎo)入SOI技術(shù),目前計劃是2018年開始成熟制程量產(chǎn),以及2019年是22納米的FD-SOI技術(shù)量產(chǎn)。 為什么SOI技術(shù)對于中國是個亮點(diǎn)? 在摩爾
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“成都格芯”工廠破土,格芯CEO等高管詳解規(guī)劃

- 2月10日,“格芯成都十二英寸晶圓制造廠開工典禮”在成都郫縣舉行[1-2]。據(jù)格芯(Globalfoundries,原名格羅方德)新加坡運(yùn)營部高級副總裁兼總經(jīng)理KC?Ang介紹:芯片廠房將分為一期和二期工程。建成后是8.5萬晶圓/月產(chǎn)能。一期是0.18和0.13微米,產(chǎn)能2萬晶圓/月,從新加坡工廠轉(zhuǎn)入。預(yù)計2019年下半年22nm工藝轉(zhuǎn)到成都,從德國工廠轉(zhuǎn)入,2019年生產(chǎn)。 目前,格芯的全球制造格局是:新加坡40nm,德國28nm,美國是14nm,現(xiàn)在美國在研發(fā)7nm。Ang強(qiáng)調(diào),0.1
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格芯介紹
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