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破解SiC、GaN柵極動態(tài)測試難題的魔法棒 — 光隔離探頭

• SiC、GaN 作為最新一代功率半導(dǎo)體器件具有遠(yuǎn)優(yōu)于傳統(tǒng) Si 器件的特性，能夠使得功率變換器獲得更高的效率、更高的功率密度和更低的系統(tǒng)成本。但同時(shí)，SiC、GaN極快的開關(guān)速度也給工程師帶來了使用和測量的挑戰(zhàn)，稍有不慎就無法獲得正確的波形，從而嚴(yán)重影響到器件評估的準(zhǔn)確、電路設(shè)計(jì)的性能和安全、項(xiàng)目完成的速度。SiC、GaN動態(tài)特性測量中，最難的部分就是對半橋電路中上橋臂器件驅(qū)動電壓VGS的測量，包括兩個(gè)部分：開關(guān)過程和Crosstalk。此時(shí)是無法使用無源探頭進(jìn)行測量的，這會導(dǎo)致設(shè)備和人員危險(xiǎn)，同時(shí)還會由
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