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美公司推出全球首款新型氮化鎵晶圓 可制造軍用設(shè)備
- 據(jù)中國(guó)國(guó)防科技信息網(wǎng)報(bào)道，美國(guó)射頻微系統(tǒng)公司(RFMD)日前推出世界首個(gè)用于制造射頻功率晶體管的碳化硅基氮化鎵晶圓，以滿足軍用和商用需求。該公司實(shí)現(xiàn)了從現(xiàn)有高產(chǎn)量、6寸砷化鎵晶圓生產(chǎn)向6寸氮化鎵晶圓生產(chǎn)和研發(fā)的轉(zhuǎn)變，以降低成本滿足不斷增長(zhǎng)的氮化鎵器件市場(chǎng)需求。 RFMD公司總裁兼首席執(zhí)行官鮑勃稱：“我們很高興在RFMD公司的現(xiàn)有高產(chǎn)量6寸砷化鎵生產(chǎn)線上推出業(yè)界首款6寸碳化硅基氮化鎵射頻技術(shù)。氮化鎵器件和砷化鎵器件在制造上的合并是我們“砷化鎵中氮化鎵代工廠”策略
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2013年手機(jī)芯片將達(dá)667億美元 年增14.4%
- 研究機(jī)構(gòu)Gartner今天表示，行動(dòng)裝置的高銷售量，使得半導(dǎo)體市場(chǎng)晶片需求，逐漸由PC導(dǎo)向轉(zhuǎn)為行動(dòng)裝置導(dǎo)向，以手機(jī)部門而言，Gartner預(yù)測(cè)，2013年的手機(jī)晶片市場(chǎng)將年增14.4%達(dá)667億美元，其中尤以記憶體和特定應(yīng)用IC的成長(zhǎng)最為強(qiáng)勁。 2013年手機(jī)芯片將達(dá)667億美元 年增14.4% Gartner認(rèn)為，行動(dòng)裝置的崛起，對(duì)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來顯著影響，隨著白牌廠商的勢(shì)力逐漸坐大，智慧型手機(jī)和平板市場(chǎng)近年亦有向入門產(chǎn)品靠攏之勢(shì)，使得半導(dǎo)體廠商回過頭來?yè)屖持械碗A市場(chǎng)大餅，市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)
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臺(tái)積電明年資本支出 逾百億美元
- 為取得先進(jìn)制程領(lǐng)導(dǎo)地位，半導(dǎo)體大廠接續(xù)展開投資競(jìng)賽。臺(tái)積電今年拉高資本支出至95到100億美元，市場(chǎng)推估，因應(yīng)擴(kuò)廠需求，明年資本支出可望增加2至5成，高過百億美元，可望超越英特爾(Intel)，半導(dǎo)體設(shè)備廠有機(jī)會(huì)啟動(dòng)營(yíng)運(yùn)成長(zhǎng)。 外資券商摩根大通指出，臺(tái)積電第4季營(yíng)運(yùn)動(dòng)能雖趨緩，但2014年受惠蘋果A8處理器的訂單、更多客戶選擇進(jìn)入更先進(jìn)的20納米制程、IDM 大廠競(jìng)爭(zhēng)者在14納米量產(chǎn)時(shí)程上可能遞延等三項(xiàng)有利因素，挹注臺(tái)積電營(yíng)運(yùn)。 臺(tái)積電20納米制程將于2014年初量產(chǎn)，16納米可望2015
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遲來的決定 印度兩座晶圓廠獲準(zhǔn)建設(shè)
- 沙漠上的五星級(jí)酒店要?jiǎng)庸ち?9月13日印度通信與信息技術(shù)部長(zhǎng)Kapil Sibal宣布已有兩家企業(yè)聯(lián)盟提出在印度建立半導(dǎo)體晶圓制造工廠。 據(jù)路透社報(bào)道，其中一家企業(yè)聯(lián)盟是由IBM、印度Jaiprakash Associates和以色列Tower Jazz公司組成，投資規(guī)模約41.42億美元，另一家則由Hindustan半導(dǎo)體制造公司、意法半導(dǎo)體和矽佳科技(Silterra)組成，投資規(guī)模約39.77億美元。 建設(shè)這兩個(gè)晶圓廠的目的是減少進(jìn)口(目前印度國(guó)內(nèi)約80%的需求都是通過進(jìn)口來滿足)。
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SSEC晶圓蝕刻制程平臺(tái)專用多路徑回收排放管路
- 先進(jìn)封裝與半導(dǎo)體元件、高亮度發(fā)光二極體與硬碟制造之單晶圓濕制程系統(tǒng)大廠美國(guó)固態(tài)半導(dǎo)體設(shè)備(Solid State Equipment LLC，DBA SSEC) 發(fā)表專為 WaferEtch 平臺(tái)設(shè)計(jì)的多路徑回收排放管路(MultiPath Collection Drain)。專屬的排放管路設(shè)計(jì)能在相同的反應(yīng)室內(nèi)收集、再循環(huán)、并隔絕多種化學(xué)品，且?guī)缀醪粫?huì)造成化學(xué)品的交叉污染，而且能夠形成獨(dú)特的化學(xué)品排放路徑，并維持SSEC出色的化學(xué)品儲(chǔ)存值。此外，即時(shí)冷卻功能可對(duì)現(xiàn)今微細(xì)特征蝕刻應(yīng)用提供更佳的制程控制
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印度建晶圓廠 IBM表興趣
- 印度當(dāng)局祭出減稅等誘因，積極向國(guó)外半導(dǎo)體業(yè)者招手，盼能協(xié)助印度國(guó)內(nèi)興建晶圓廠，印度官方證實(shí)，成員包括IBM和意法半導(dǎo)體(STMicro)在內(nèi)的2大財(cái)團(tuán)已提出建廠提案。 根據(jù)華爾街日?qǐng)?bào)指出，印度傳播暨信息科技部長(zhǎng)席巴爾(Kapil Sibal)上周五證實(shí)，2家財(cái)團(tuán)提出晶圓廠建廠計(jì)劃，合計(jì)斥資80億美元，已要求他們?cè)?個(gè)月內(nèi)提出更詳盡的計(jì)劃報(bào)告，包含產(chǎn)能結(jié)構(gòu)及營(yíng)銷方案。他透露，印度需要蓋至少15座晶圓廠。 印度政府希望在國(guó)內(nèi)生產(chǎn)芯片，減少長(zhǎng)期以來倚賴進(jìn)口的成本支出，進(jìn)而緩和經(jīng)常帳赤字嚴(yán)重惡化問
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中芯以在地優(yōu)勢(shì) 一拚臺(tái)積電
- 臺(tái)積電2013第2季營(yíng)收高達(dá)1559億元新臺(tái)幣，創(chuàng)下歷史新高，仍穩(wěn)居晶圓代工廠龍頭寶座，綜觀中芯國(guó)際雖然追趕先進(jìn)半導(dǎo)體制程，但與臺(tái)積電的差距仍相當(dāng)大。臺(tái)積電28納米制程已貢獻(xiàn)臺(tái)積電營(yíng)收達(dá)29%，正式超越其40/45納米制程的貢獻(xiàn)度。中芯國(guó)際則是預(yù)計(jì)年底才試投產(chǎn)28納米。 比較股價(jià)，兩者相距更多。臺(tái)積電股價(jià)已攻上百元新臺(tái)幣大關(guān)，中芯在香港股價(jià)仍在1港元下徘徊。資本市場(chǎng)的評(píng)價(jià)最殘酷，卻也最現(xiàn)實(shí)，中芯國(guó)際要重拾投資者與股東的信心，還有很多持續(xù)性的努力要做。 營(yíng)收獲利都遙遙領(lǐng)先其它競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的臺(tái)積電
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印度至少需要15座晶圓廠 官方推10年0利貸款獎(jiǎng)勵(lì)
- Thomson Reuters報(bào)導(dǎo)，印度通信暨資訊科技部長(zhǎng)Kapil Sibal 13日表示，印度至少需要15座晶圓廠。隨著智慧型手機(jī)、電腦、電視機(jī)的銷售迅速攀高，印度政府預(yù)估半導(dǎo)體年度進(jìn)口金額將從2010年的70億美元竄升至2020年的500億美元;2020年當(dāng)?shù)仉娮赢a(chǎn)品銷售金額預(yù)估達(dá)4千億美元。印度內(nèi)閣12日批準(zhǔn)包含資本支出補(bǔ)助、10年零利率貸款以及退稅優(yōu)惠等晶圓廠建廠投資獎(jiǎng)勵(lì)。 Gartner研究總監(jiān)Ganesh Ramamoorthy潑冷水，指稱廠商沒有必要到印度設(shè)廠，因?yàn)槿蚱渌貐^(qū)還
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中芯國(guó)際采用Cadence數(shù)字流程新增高級(jí)功能
- 全球電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)先企業(yè)Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司(NASDAQ: CDNS) 與中芯國(guó)際集成電路制造有限公司(“中芯國(guó)際”，紐約證券交易所：SMI ，香港聯(lián)交所：981)，中國(guó)內(nèi)地規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)的集成電路晶圓代工企業(yè)，日前共同宣布中芯國(guó)際已采用Cadence? 數(shù)字工具流程，應(yīng)用于其新款SMIC Reference Flow 5.1，一款為低功耗設(shè)計(jì)的完整的RTL-GDSII 數(shù)字流程。
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爭(zhēng)搶1xnm代工商機(jī) 晶圓廠決戰(zhàn)FinFET制程
- 鰭式電晶體(FinFET)將成晶圓廠新角力戰(zhàn)場(chǎng)。為卡位16/14納米市場(chǎng)商機(jī)，臺(tái)積、聯(lián)電和格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)正傾力投資FinFET技術(shù)，并各自祭出供應(yīng)鏈聯(lián)合作戰(zhàn)策略，預(yù)計(jì)將于2014～2015年陸續(xù)投入量產(chǎn)，讓晶圓代工市場(chǎng)頓時(shí)硝煙彌漫。 FinFET制程將成晶圓廠新的角力戰(zhàn)場(chǎng)。為卡位16/14納米市場(chǎng)商機(jī)，并建立10納米發(fā)展優(yōu)勢(shì)，臺(tái)積電、聯(lián)電和格羅方德正傾力投資FinFET技術(shù)，并已將開戰(zhàn)時(shí)刻設(shè)定于2014?2015年;同時(shí)也各自祭出供應(yīng)鏈聯(lián)合作戰(zhàn)策略，期抗衡英特爾和三星
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晶圓 介紹
晶圓 晶圓是指硅半導(dǎo)體積體電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達(dá)99.999999999%。晶圓制造廠再將此多晶硅融解，再于融液里種入籽晶，然后將其慢慢拉出，以形成圓柱狀的單晶硅 [ 查看詳細(xì) ]
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