效應(yīng)晶體管文章進(jìn)入效應(yīng)晶體管技術(shù)社區(qū)

我科學(xué)家成功制備二維黑磷場(chǎng)效應(yīng)晶體管

　　意法半導(dǎo)體日前針對(duì)汽車市場(chǎng)推出新的大電流功率場(chǎng)效應(yīng)MOS晶體管，該產(chǎn)品采用ST最新優(yōu)化的STripFET專利技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了最低的導(dǎo)通電阻。　　據(jù)介紹，STD95N04是一個(gè)40V標(biāo)準(zhǔn)電平的DPAK產(chǎn)品，最大導(dǎo)通電阻RDS(on)6.5mΩ，專門為DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)控制、電磁閥驅(qū)動(dòng)器和ABS設(shè)計(jì)的。新產(chǎn)品的典型RDS(on)在5mΩ區(qū)間內(nèi)，能夠滿足標(biāo)準(zhǔn)閾壓的驅(qū)動(dòng)要求。STD95N04符合汽車電工理事會(huì)組件技術(shù)委員會(huì)針對(duì)汽車環(huán)境用組件制定的AEC Q101分立器件應(yīng)力測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)。該組件最大工作
關(guān)鍵字： ST 導(dǎo)通電阻模擬技術(shù) 效應(yīng)晶體管電阻電位器

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