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意法半導體推出頻率覆蓋率最高的集成壓控振蕩器(VCO)的射頻合成器
- 意法半導體推出了該公司新開發(fā)的在當今市場上頻率覆蓋率最高的集成壓控振蕩器(VCO)的射頻合成器。ST的STW81103是第一個輸出頻率高達5GHz的單片射頻合成器,滿足了微波無線電應用領域的設備制造商對注重空間和成本效益的解決方案的需求。這些元器件的目標應用包括無線網絡基礎設施、CATV系統(tǒng)、儀表和測試設備。 頻率合成器是大多數射頻前端設計的基礎,其性能高低對整個系統(tǒng)的運行有很大的影響。相位噪聲最小化和寬帶頻率范圍最大化是今天的通信設備對信號源組件的主要需求。 以滿足這些需求為目的, ST的STW8
- 關鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機 意法半導體 射頻合成器 嵌入式
意法半導體發(fā)布集成壓控振蕩器(VCO)的射頻合成器
- 意法半導體推出了該公司新開發(fā)的在當今市場上頻率覆蓋率最高的集成壓控振蕩器(VCO)的射頻合成器。ST的STW81103是第一個輸出頻率高達5GHz的單片射頻合成器,滿足了微波無線電應用領域的設備制造商對注重空間和成本效益的解決方案的需求。這些元器件的目標應用包括無線網絡基礎設施、CATV系統(tǒng)、儀表和測試設備。 頻率合成器是大多數射頻前端設計的基礎,其性能高低對整個系統(tǒng)的運行有很大的影響。相位噪聲最小化和寬帶頻率范圍最大化是今天的通信設備對信號源組件的主要需求。 以滿足這些需求為目的, ST的STW8
- 關鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機 意法半導體 振蕩器 嵌入式
意法半導體推出采用0.13微米制造工藝的下一代微控制器
- 意法半導體宣布一系列新的安全型微控制器產品,新系列產品采用最先進的0.13微米制造工藝,以銀行卡、顧客忠誠卡等金融智能卡為目標應用。新系列產品基于新的ST23安全平臺,吸收了最新的安全技術改良成果,針對先進安全應用優(yōu)化了計算性能。ST23YS02和ST23YS08分別集成了2KB和8KB 的EEPROM存儲器。具有競爭力的價格,0.13微米的制造工藝,該系列產品適合各種金融應用,特別適合從磁條向靜態(tài)數據驗證(SDA)芯片和PIN卡過渡的EMV標準。簡化的體系架構讓這些器件變得簡便易用,使代碼開發(fā)商可以進一
- 關鍵字: 工業(yè)控制 意法半導體 微控制器 工業(yè)控制
ST推出最新的DRAM內存模塊標準專用溫度傳感器
- 高性能模擬器件和混合信號產品的主導廠商之一的意法半導體(紐約證券交易所:STM)今天推出兩款高精度專用數字溫度傳感器芯片,新產品完全符合個人計算機雙列直插內存模塊(DIMM)的溫度監(jiān)測標準JEDEC JC42.4的規(guī)定。 計算機等系統(tǒng)內的雙速率DDR2和DDR3的數據傳輸速度比上一代標準更快,但是內存過熱的風險也隨之增加。溫度傳感器可以監(jiān)視內存溫度,為中央處理器調整數據流量和采取防過熱措施提供依據,因此溫度傳感器在系統(tǒng)設計中變得更為重要。 STTS424是一個獨立使用的數字溫度傳感器芯片,而STTS
- 關鍵字: 測試 測量 ST DRAM 溫度傳感器 測試測量
意法推出新款32兆位閃存芯片M25PX32
- 意法半導體日前發(fā)布一個新的32兆位閃存芯片M25PX32—存儲段和子存儲段可擦除的雙輸入輸出引腳的串口閃存系列產品的首款產品。雖然現有的M25PE系列產品的存儲粒度已經很高,但是,由于高速性能得到保證,新的M25PX系列的性能更加出色。 M25PX32改進的性能和技術將會給目標應用帶來直接的顯著的好處,數字平板電視機和機頂盒是典型的受益者。首先是立即執(zhí)行(XiP)技術,在數字平板電視機內,XiP技術可以為用戶增強互動體驗;而機頂盒的開機速度則證明了這項技術的優(yōu)點,因為代碼高速下載到RAM內,系統(tǒng)上電速
- 關鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機 意法半導體 閃存芯片 M25PX32 存儲器
ST發(fā)布新的32兆位閃存芯片M25PX32
- 意法半導體發(fā)布一個新的32兆位閃存芯片M25PX32 — 存儲段和子存儲段可擦除的雙輸入輸出引腳的串口閃存系列產品的首款產品。雖然現有的M25PE系列產品的存儲粒度已經很高,但是,由于高速性能得到保證,新的M25PX系列的性能更加出色。 M25PX32改進的性能和技術將會給目標應用帶來直接的顯著的好處,數字平板電視機和機頂盒是典型的受益者。首先是立即執(zhí)行(XiP)技術,在數字平板電視機內,XiP技術可以為用戶增強互動體驗;而機頂盒的開機速度則證明了這項技術的優(yōu)點,因為代碼高速下載到RA
- 關鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機 ST 閃存芯片 M25PX32 嵌入式
IBM和ST聯合開發(fā)32納米、22納米CMOS處理技術
- IBM與ST近日宣布,將聯合開發(fā)針對半導體開發(fā)、制造領域的下一代處理技術。兩公司計劃今后共同進行32納米、22納米CMOS處理技術的開發(fā)設計和300毫米硅晶圓制造技術的研究。 這次兩公司達成一致的內容包括:共同開發(fā)Bulk CMOS核心技術、高附加值派生的SoC技術。為了便于利用上述技術快速進行SoC器件的設計,兩公司還計劃在IP開發(fā)、平臺方面進行合作。 作為合作的一環(huán),兩公司分別在各自的生產線上設置了技術開發(fā)小組。雙方人員分別在對方的機構共同研發(fā)嵌入式存儲器、模擬及RF領域的多種派生技
- 關鍵字: IBM ST 32納米 消費電子
意法半導體(st)介紹
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