寬禁帶半導(dǎo)體文章進(jìn)入寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)

是德科技在寬禁帶半導(dǎo)體裸片上實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)測試

●? ?無需焊接或探針，即可輕松準(zhǔn)確地測量寬禁帶功率半導(dǎo)體裸片的動(dòng)態(tài)特性●? ?是德科技夾具可在不損壞裸片的情況下實(shí)現(xiàn)快速、重復(fù)測試●? ?寄生功率回路電感小于10nH，實(shí)現(xiàn)干凈的動(dòng)態(tài)測試波形是德科技在寬禁帶半導(dǎo)體裸片上實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)測試是德科技增強(qiáng)了其雙脈沖測試產(chǎn)品組合，使客戶能夠從寬禁帶（WBG）功率半導(dǎo)體裸芯片的動(dòng)態(tài)特性的精確和輕松測量中受益。在測量夾具中實(shí)施新技術(shù)最大限度地減少了寄生效應(yīng)，并且不需要焊接到裸芯片上。這些夾具與是德科技的兩個(gè)版本的
關(guān)鍵字：是德科技寬禁帶半導(dǎo)體裸片動(dòng)態(tài)測試

什么是寬禁帶半導(dǎo)體？

禁帶寬度和電場強(qiáng)度越高，器件越不容易被擊穿，耐壓可以更高；熱導(dǎo)率和熔點(diǎn)越高，器件越容易散熱，也更容易耐高溫；電子遷移率越高，器件的開關(guān)速度也就越快，因此可以做高頻器件。不難看出，SiC和GaN器件在高溫、高壓、高頻應(yīng)用領(lǐng)域的顯著優(yōu)勢。半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段：第一代半導(dǎo)體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導(dǎo)體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代半導(dǎo)體是以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高
關(guān)鍵字：寬禁帶半導(dǎo)體

力科發(fā)布更精確的寬禁帶半導(dǎo)體分析測量系統(tǒng)

力科近日宣布推出新的DL-ISO 1 GHz高壓光隔離探頭和功率器件測試軟件，與高精度示波器 (HDO) 結(jié)合使用時(shí)，可提供最準(zhǔn)確的氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 功率半導(dǎo)體器件的電氣特性表征。三十多年來，工程師們一直在使用硅 (Si) 金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 和絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 功率半導(dǎo)體器件來生產(chǎn)電源和功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。然而，消費(fèi)者需要體積更小、重量更輕的電源和系統(tǒng)，而政府要求更高的效率。寬禁帶 (WBG) 材料，例如GaN 和 SiC，開關(guān)速度比 Si
關(guān)鍵字：力科寬禁帶半導(dǎo)體

英飛凌將投資逾20億歐元擴(kuò)大寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)能

英飛凌將顯著擴(kuò)大寬禁帶（碳化硅和氮化鎵）半導(dǎo)體的產(chǎn)能，進(jìn)一步鞏固和增強(qiáng)其在功率半導(dǎo)體市場的領(lǐng)導(dǎo)地位。公司將斥資逾20億歐元，在馬來西亞居林工廠建造第三個(gè)廠區(qū)。建成之后，新廠區(qū)將用于生產(chǎn)碳化硅和氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，每年可為英飛凌創(chuàng)造20億歐元的收入。此次擴(kuò)建是英飛凌根據(jù)公司半導(dǎo)體生產(chǎn)制造長期戰(zhàn)略而做出的決策，居林工廠在200毫米晶圓生產(chǎn)方面所取得的規(guī)模經(jīng)濟(jì)效應(yīng)為該項(xiàng)目打下了良好的基礎(chǔ)。英飛凌位于菲拉赫和德累斯頓的300毫米晶圓廠奠定了公司在半導(dǎo)體市場的領(lǐng)導(dǎo)
關(guān)鍵字：英飛凌寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)能

英諾賽科寬禁帶半導(dǎo)體項(xiàng)目完成主體施工

據(jù)看看新聞網(wǎng)報(bào)道，目前，英諾賽科（蘇州）半導(dǎo)體有限公司項(xiàng)目主體施工已經(jīng)完成。資料顯示，英諾賽科寬禁帶半導(dǎo)體項(xiàng)目總投資68.55億元人民幣，注冊資本20億元，占地368.6畝，主要建設(shè)從器件設(shè)計(jì)，驅(qū)動(dòng)IC設(shè)計(jì)開發(fā)，材料制造，器件制備，后段高端封測以及模塊加工的全產(chǎn)業(yè)鏈寬禁帶半導(dǎo)體器件制造平臺。建成后將成為世界一流的集研發(fā)、設(shè)計(jì)、外延生產(chǎn)、芯片制造、分裝測試等于一體的第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)生產(chǎn)平臺。據(jù)規(guī)劃，項(xiàng)目開工后兩年內(nèi)投產(chǎn)，投產(chǎn)后三年實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)78萬片功率控制電路及半導(dǎo)體電力電子器件的總目標(biāo)，年銷售收入約
關(guān)鍵字：英諾賽科寬禁帶半導(dǎo)體

從1998年至2018年寬禁帶半導(dǎo)體材料研究報(bào)告

　　寬禁帶半導(dǎo)體材料也被稱為第三代半導(dǎo)體材料(一代和二代分別為硅、鍺)，其帶隙大于或等于2.3 eV。寬禁帶半導(dǎo)體材料一般具有電子漂移飽和速度高、介電常數(shù)小、導(dǎo)電性能好等特點(diǎn)，受到了研究者廣泛研究。傳統(tǒng)的寬禁帶半導(dǎo)體有SiC、GaN、ZnO和Ga2O3等，以及其他II-VI組化合物材料。這類寬禁帶材料具有短波吸收、高擊穿電壓等特點(diǎn)，因此在發(fā)光二極管(LEDs)與激光二極管(LDs)領(lǐng)域具有巨大的應(yīng)用前景。此外，隨著近些年太陽能電池(SCs)的迅猛發(fā)展，寬禁帶半導(dǎo)體材料開始在太陽能電池領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。比如
關(guān)鍵字：寬禁帶半導(dǎo)體

第三代半導(dǎo)體技術(shù)、應(yīng)用、市場全解析

第一代半導(dǎo)體材料是元素半導(dǎo)體的天下，第一代半導(dǎo)體材料是化合物半導(dǎo)體材料，然而隨著半導(dǎo)體器件應(yīng)用領(lǐng)域的不斷擴(kuò)大，特別是特殊場合要求半導(dǎo)體能夠在高溫、強(qiáng)輻射、大功率等環(huán)境下依然堅(jiān)挺，第一、二代半導(dǎo)體材料便無能為力，于是賦予使命的第三代半導(dǎo)體材料——寬禁帶半導(dǎo)體材料誕生了。
關(guān)鍵字：寬禁帶半導(dǎo)體 SiC

相控陣?yán)走_(dá)性能的基石：寬禁帶半導(dǎo)體

　　現(xiàn)代電子產(chǎn)品的基礎(chǔ)是半導(dǎo)體器件，因此半導(dǎo)體器件的性能就決定了整個(gè)電子產(chǎn)品的性能，所謂半導(dǎo)體就是導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物理器件。最開始時(shí)，人們對這些物質(zhì)并不感興趣，后來才發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體的獨(dú)特性能，有導(dǎo)體和絕緣體不可替代的優(yōu)勢。最常見的半導(dǎo)體器件是二極管，其他所有的半導(dǎo)體器件都是建立在此基礎(chǔ)之上的?！　≡咏Y(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體器件　　導(dǎo)體之所以導(dǎo)電是因?yàn)槠鋬?nèi)部有容易活動(dòng)的自由電子，自由電子在電場的作用下開始運(yùn)動(dòng)，這個(gè)運(yùn)動(dòng)就是電流。物質(zhì)都是由原子組成，每個(gè)原子都由原子核和繞在其外面的軌道的自由電子組成，一般從外
關(guān)鍵字：相控陣?yán)走_(dá) 寬禁帶半導(dǎo)體

電子行業(yè):寬禁帶半導(dǎo)體即將形成板塊效應(yīng)

　　報(bào)告起因　　國內(nèi)上市公司紛紛涉足寬禁帶半導(dǎo)體,我們從三大維度看好:實(shí)現(xiàn)國家戰(zhàn)略層面的彎道超車:半導(dǎo)體行業(yè)實(shí)現(xiàn)技術(shù)升級以及股票層面將形成板塊效應(yīng),我們此前的三安光電報(bào)告是市場第一篇詳細(xì)描述化合物半導(dǎo)體的深度報(bào)告。此行業(yè)報(bào)告也是市場上領(lǐng)先的深度梳理寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)的報(bào)告。　　核心觀點(diǎn) 　　寬禁帶半導(dǎo)體材料性能突出,有望替代Si 基半導(dǎo)體:電和光的轉(zhuǎn)化性能突出,在微波信號傳輸方面的效率更高,可被廣泛應(yīng)用到照明、顯示、通訊等各個(gè)領(lǐng)域。　　碳化硅將在功率器件領(lǐng)域快速發(fā)展,市場空間上百億美元:1)S
關(guān)鍵字：寬禁帶半導(dǎo)體

共9條 1/1 1

寬禁帶半導(dǎo)體介紹

固體中電子的能量具有不連續(xù)的量值，電子都分布在一些相互之間不連續(xù)的能帶上。價(jià)電子所在能帶與自由電子所在能帶之間的間隙稱為禁帶或帶隙。所以禁帶的寬度實(shí)際上反映了被束縛的價(jià)電子要成為自由電子所必須額外獲得的能量。硅的禁帶寬度為1.12電子伏特(eV)，而寬禁帶半導(dǎo)體材料是指禁帶寬度在2.3eV及以上的半導(dǎo)體材料，典型的是碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、金剛石等材料。寬禁帶半導(dǎo)體材料是被稱為第三代半 [ 查看詳細(xì) ]

寬禁帶半導(dǎo)體專欄文章

【部分參會(huì)單位公布】2023寬禁帶半導(dǎo)體先進(jìn)技術(shù)創(chuàng)新與應(yīng)用發(fā)展高峰論壇

寬禁帶半導(dǎo)體 文章 進(jìn)入寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)

寬禁帶半導(dǎo)體介紹

寬禁帶半導(dǎo)體專欄文章

熱門主題

寬禁帶半導(dǎo)體文章進(jìn)入寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)