半導(dǎo)體 文章 進(jìn)入半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)
SIA:2016年全球半導(dǎo)體銷售創(chuàng)新高,中國區(qū)增長最快
- 據(jù)臺灣媒體報道,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SIA)2日公布,2016年12月份全球半導(dǎo)體銷售額來到310億美元,和前月持平;和去年同期相比,上揚(yáng)12.3%。2016年第四季半導(dǎo)體銷售額為930億美元,季增5.4%、年增12.3%。 2016年全年半導(dǎo)體銷售額為3,389億美元,創(chuàng)下空前新高,年增率為1.1%。 SIA總裁兼執(zhí)行長JohnNeuffer聲明稿指出,2016年年初全球半導(dǎo)體市場起步緩慢,年中開始加速成長,一路上沖,年度銷售將近3,400億美元,締造新紀(jì)錄。 2016年買氣最佳的半導(dǎo)
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2017年半導(dǎo)體銷售額將達(dá)3640億美元
- 根據(jù)市調(diào)公司Gartner調(diào)查,今年全球半導(dǎo)體營收預(yù)計將成長7%,主要是由于芯片庫存補(bǔ)充及平均售價提高。 Gartner(康乃狄克州史丹佛分部,Stamford, Conn.) 表示,預(yù)估2017年半導(dǎo)體銷售總額將達(dá)到3,640億美元,高于去年的3,400億美元。 該單位并指出,會做出增加2017年半導(dǎo)體銷售總額預(yù)測,且與先前做出的預(yù)測多出141億美元,其中有100億美元是來自對內(nèi)存銷售的預(yù)估。 “目前,最糟的情況已經(jīng)結(jié)束,由于庫存補(bǔ)充和特定市場的平均銷售價格(ASP)增加,特
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俄羅斯科學(xué)家向更小巧迅速的電子產(chǎn)品邁進(jìn)一步
- 據(jù)俄羅斯衛(wèi)星網(wǎng)4日報道,一個由俄羅斯和美國專家組成的國際科研組在世界上首次推出一維半導(dǎo)體材料,向更小巧緊湊、速度更快的電子產(chǎn)品邁進(jìn)一步。 使用這種新材料可使電路減小到納米大小,同時加快電子儀器的工作速度。 這項研究的理論部分由俄羅斯國立工藝技術(shù)大學(xué)(NUST MISIS)專家完成,實(shí)驗部分由美國杜蘭大學(xué)(路易斯安那州)研究人員負(fù)責(zé)。 俄羅斯國立工藝技術(shù)大學(xué)物理與數(shù)學(xué)博士帕維爾·索羅金表示,使用這種“智能材料”有助于降低裝置耗電量,改變其結(jié)構(gòu)和設(shè)計。
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東芝為拆分半導(dǎo)體業(yè)務(wù)啟動招標(biāo)程序 出售股份少于兩成
- 據(jù)共同社報道,處于重組期的東芝3日為拆分半導(dǎo)體業(yè)務(wù)正式啟動了招標(biāo)程序。為獲得股份的首輪報價已進(jìn)入最后階段,由于出售的股份少于兩成,擬參與投標(biāo)陣營的部分企業(yè)出現(xiàn)觀望情緒,東芝能否如期推進(jìn)變得撲朔迷離。 東芝將拆分半導(dǎo)體主力產(chǎn)品“閃存”業(yè)務(wù)另外建立公司。19.9%的股份預(yù)計將賣出2000億至3000億日元(約合人民幣121億至182億元)。東芝的美國核電業(yè)務(wù)預(yù)計最大損失達(dá)7000億日元,此舉旨在避免陷入資不抵債的境地。 由于獲得不足兩成的股份幾乎無法參與經(jīng)營,除最初有意
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SIA:2016年全球半導(dǎo)體銷售創(chuàng)新高,中國區(qū)增長最快
- 據(jù)臺灣媒體報道,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SIA)2 日公布,2016 年 12 月份全球半導(dǎo)體銷售額來到 310 億美元,和前月持平;和去年同期相比,上揚(yáng) 12.3%。 2016 年第四季半導(dǎo)體銷售額為 930 億美元,季增 5.4%、年增 12.3%。 2016 年全年半導(dǎo)體銷售額為 3,389 億美元,創(chuàng)下空前新高,年增率為 1.1%。 SIA 總裁兼執(zhí)行長 John Neuffer 聲明稿指出,2016 年年初全球半導(dǎo)體市場起步緩慢,年中開始加速成長,一路上沖,年度銷售將近 3,400 億美
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半導(dǎo)體業(yè)務(wù)給力 三星四季度運(yùn)營利潤創(chuàng)新高
- 三星電子1月24日正式發(fā)布的財報顯示,去年四季度該公司營收達(dá)53.3萬億韓元(約合458.56億美元),運(yùn)營利潤仍大增50.16%,至9.22萬億韓元(約合79.28億美元),創(chuàng)下三年來新高。 這顯然得益于三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的大幅增長。根據(jù)財報,其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)四季度運(yùn)營利潤暴增76.9%,至4.95萬億韓元。顯示器業(yè)務(wù)運(yùn)營利潤同比飆升347%。去年以來,三星存儲芯片和OLED價格持續(xù)上漲。 這些數(shù)據(jù)彌補(bǔ)了三星去年因Note7事件而導(dǎo)致的移動業(yè)務(wù)損失。去年三季度,受該事件影響,其手機(jī)業(yè)務(wù)運(yùn)營利潤狂
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三星去年第四季度盈利大漲 半導(dǎo)體成最大功臣
- 三星GalaxyNote7爆炸事件令三星蒙受了巨大損失,但三星去年第四季度的業(yè)績預(yù)告顯示,三星依然實(shí)現(xiàn)了近50%的增長。 三星公布初步業(yè)績報告稱,公司2016年第四季度營收預(yù)計為53萬億韓元(約合443億美元),營業(yè)利潤同比增長49.84%,環(huán)比猛增76.92%,達(dá)9.2萬億韓元(約合人民幣528億元)。據(jù)此計算,三星該季度的營業(yè)利潤率為17.36%,創(chuàng)下過去兩年來的最高。這也是三星電子2013年第三季度營業(yè)利潤觸頂突破10萬億韓元之后時隔3年多再次突破9萬億韓元。 在手機(jī)業(yè)務(wù)遭遇召回陰霾
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法媒:中國決心2030年成為全球半導(dǎo)體領(lǐng)軍者
- 法媒稱,在美國新任總統(tǒng)正式就任前兩天,中國以“真金白銀”的方式展現(xiàn)了同美國競爭而且是在最尖端科技領(lǐng)域同美國競爭的雄心。中國清華紫光集團(tuán)將在南京投資超過300億美元建立半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地以保證世界第二大經(jīng)濟(jì)體在這一戰(zhàn)略性行業(yè)中的獨(dú)立性。 據(jù)法國《費(fèi)加羅報》1月21日文章報道,這則新聞看來像是對在推特上威脅同中國打貿(mào)易戰(zhàn)的特朗普的一個警告。 報道稱,這一規(guī)模巨大的基地建成后每月將能生產(chǎn)10萬片芯片。清華紫光在去年就曾宣布在武漢建立另一處巨型產(chǎn)業(yè)基地,總投資達(dá)240億美元。
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中國已成全球最大半導(dǎo)體市場,也是美國主要針對對象
- 美國總統(tǒng)特朗普一再擺出對華強(qiáng)硬的姿態(tài),威脅要向中國進(jìn)口產(chǎn)品征收高達(dá)45%的關(guān)稅,以保住美國工人職位,促進(jìn)美國商業(yè)發(fā)展。外界關(guān)注,中國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)可能會成為美國新政府的開刀目標(biāo)。前總統(tǒng)奧巴馬的科學(xué)與技術(shù)顧問委員會本月才表示,中國在半導(dǎo)體領(lǐng)域的工業(yè)政策,對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新和美國國家安全構(gòu)成真正威脅。該新鮮出爐的報告預(yù)料對新政府也有一定影響力。 中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)近年才剛起步,是國家工業(yè)計劃的重點(diǎn)項目之一。中國政府已公布一項價值1500億美元的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展大計,期望在2025年前,把中國制晶片在國內(nèi)的市占
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大手筆投資半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 中國躋身一線行列可期

- 近兩年中國經(jīng)濟(jì)的發(fā)展有目共睹,各大企業(yè)有錢了,自然而然投資行為也就多了起來,Gartner最新研究結(jié)果數(shù)據(jù)研究表示中國國有企業(yè)將成為全球最活躍的投資者,竭力在增長緩慢的半導(dǎo)體市場內(nèi)躋身為世界級廠商。 鑒于中國半導(dǎo)體市場的前景廣闊,各半導(dǎo)體企業(yè)技術(shù)業(yè)務(wù)部的領(lǐng)導(dǎo)者們也會針對未來在華業(yè)務(wù)制定新計劃,Gartner對于半導(dǎo)體投資市場也做出了新的預(yù)測。 1000多億美元砸向中國半導(dǎo)體市場 國政府擁有強(qiáng)大的力量,以引導(dǎo)國內(nèi)資本重點(diǎn)流向由國有或國家持股公司所運(yùn)營的特定行業(yè)。對于需大規(guī)模投資的行
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半導(dǎo)體介紹
semiconductor
電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時電阻率約在10-5~107歐·米之間,溫度升高時電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多,按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體;化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物(砷化鎵、磷化鎵等)、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]
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