半導(dǎo)體 文章 進(jìn)入半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)今年下半年回暖?
- 半導(dǎo)體供應(yīng)鏈持續(xù)調(diào)節(jié)庫存,第2 季產(chǎn)業(yè)景氣依然低迷,僅少數(shù)廠商第2 季業(yè)績得以較顯著成長,業(yè)者多期待下半年景氣可望大幅好轉(zhuǎn),美中貿(mào)易戰(zhàn)發(fā)展仍是各界關(guān)注焦點(diǎn)。
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國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備的新機(jī)遇
- 半導(dǎo)體行業(yè)是電子行業(yè)的一個分支,本質(zhì)上仍是制造業(yè)。和互聯(lián)網(wǎng)行業(yè)的不同是,半導(dǎo)體行業(yè)仍然需要制造設(shè)備和廠房,有具體的產(chǎn)品生產(chǎn)出來,需要設(shè)計、生產(chǎn)、封裝、測試、銷售等環(huán)節(jié)。簡單來講整個產(chǎn)業(yè)鏈分為三個大環(huán)節(jié),分別是上游公司定義和設(shè)計芯片,中游晶圓制造上制造芯片,下游廠商把芯片應(yīng)用到個人電腦、手機(jī)等領(lǐng)域。
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半導(dǎo)體所等在石墨烯上外延深紫外LED研究中取得新進(jìn)展
- 深紫外LED可以廣泛應(yīng)用于殺毒、消菌、印刷和通信等領(lǐng)域,國際水俁公約的提出,促使深紫外LED的全面應(yīng)用更是迫在眉睫,但是商業(yè)化深紫外LED不到10%的外量子效率嚴(yán)重限制了深紫外LED的應(yīng)用。AlN材料質(zhì)量是深紫外LED的核心因素之一,AlN薄膜主要是通過金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)的方法異質(zhì)外延生長在c-藍(lán)寶石、6H-SiC和Si(111)襯底上,AlN與襯底之間存在較大的晶格失配與熱失配,使得外延層中存在較大的應(yīng)力與較高的位錯密度,嚴(yán)重降低器件性能。與此同時,AlN前驅(qū)體在這類襯底上遷移勢壘較高,
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ROHM推出內(nèi)置1700V SiC MOSFET的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都),面向大功率通用逆變器、AC伺服、工業(yè)用空調(diào)、街燈等工業(yè)設(shè)備,開發(fā)出內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET*1)的AC/DC轉(zhuǎn)換器*2)IC“BM2SCQ12xT-LBZ”。近年來,隨著節(jié)能意識的提高,在交流400V工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域,相比現(xiàn)有的Si功率半導(dǎo)體,可支持更高電壓、更節(jié)能、更小型的SiC功率半導(dǎo)體的應(yīng)用越來越廣。而另一方面,在工業(yè)設(shè)備中,除了主電源電路之外,還內(nèi)置有為各種控制系統(tǒng)提供電源電壓的輔助電源,輔助電源中廣泛采用了耐壓較低的Si-MOSFET和
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KLA-Tencor更名KLA,開啟新征程
- 在SEMICON China 2019期間,KLA(科天)在上海舉辦新聞發(fā)布會,企業(yè)傳播高級總監(jiān)Becky Howland女士和中國區(qū)總裁張智安先生介紹了KLA公司近期的三大新變化,包括2018財年營收創(chuàng)新高,KLA收購Orbotech,公司更名為KLA,有了新標(biāo)識(Logo)?! ∈紫龋?018年是KLA財務(wù)表現(xiàn)最強(qiáng)勁的一年。2018年度的營收超過43億美元,毛利率超過64%,每股的盈利是9.14美元。在2018年第四季度機(jī)臺出貨量中,中國大陸的表現(xiàn)非常強(qiáng)勁,占了全球23%?! ∑浯?,KLA在201
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三星半導(dǎo)體市場年度老大或?qū)⒆屛挥⑻貭?/a>
- 近日,市場研究公司Gartner稱,由于2018年存儲芯片DRAM市場的繁榮,韓國三星電子公司作為全球第一大半導(dǎo)體供應(yīng)商的地位得到增強(qiáng),但是在2019年,隨著存儲芯片價格大跳水,這家存儲芯片巨頭這一龍頭老大地位可能將要跌至第二位次。在2017年之前,三星的業(yè)績規(guī)模一直只有英特爾營收的70%左右,但隨著存儲芯片價格的飛漲,三星僅僅用一年時間就快速接近并實現(xiàn)對英特爾的反超,雖然英特爾在2017和2018年的營收業(yè)績增長亮眼,但還是抵不住三星在存儲方面的強(qiáng)勁增長勢頭。三星電子公司高達(dá)88%的營收來自于存儲芯片銷
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半導(dǎo)體介紹
semiconductor
電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時電阻率約在10-5~107歐·米之間,溫度升高時電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多,按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體;化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物(砷化鎵、磷化鎵等)、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]
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