半導(dǎo)體(st)應(yīng)用軟件 文章 最新資訊
集成電路產(chǎn)業(yè)五大市場破局指南

- ?從80年代到現(xiàn)在,整個信息化時代基本上可以分為三個階段,即互聯(lián)網(wǎng)時代、移動互聯(lián)網(wǎng)時代和當(dāng)下的物聯(lián)網(wǎng)時代。過去三十年基本上實現(xiàn)的是從無到有的過程,而未來的十年,將會是基于品質(zhì)的大消費十年,同時也是半導(dǎo)體、集成電路蓬勃發(fā)展的十年。
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聲光控節(jié)電開關(guān)電路設(shè)計—電路精選(14)
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臺積電張忠謀:半導(dǎo)體行業(yè)不能守成 要做世界級公司
- 【因為原始的定義是18~24個月晶體管密度會倍增,但我們已經(jīng)用遠(yuǎn)快于摩爾定律的速度來發(fā)展半導(dǎo)體工藝,會以快于摩爾定律的時間來倍增晶體管密度,并維持到至少2025年以前】 摩爾定律的極限在哪里? 在臺積電創(chuàng)始人張忠謀看來,實際上摩爾定律在半導(dǎo)體行業(yè)中早已不適用了。 “因為原始的定義是18~24個月晶體管密度會倍增,但我們已經(jīng)用遠(yuǎn)快于摩爾定律的速度來發(fā)展半導(dǎo)體工藝,會以快于摩爾定律的時間來倍增晶體管密度,并維持到至少2025年以前。”10月23日,在臺積電30周年
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我國第三代半導(dǎo)體材料制造設(shè)備取得新突破
- 近日,863計劃先進(jìn)制造技術(shù)領(lǐng)域“大尺寸SiC材料與器件的制造設(shè)備與工藝技術(shù)研究”課題通過了技術(shù)驗收。 通常,國際上把碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導(dǎo)體材料稱之為第三代半導(dǎo)體材料。其在禁帶寬度、擊穿場強(qiáng)、電子飽和漂移速度、熱導(dǎo)率等綜合物理特性上具有更加突出的綜合優(yōu)勢,特別在抗高電壓、高溫等方面性能尤為明顯,由于第三代半導(dǎo)體材料的制造裝備對設(shè)備真空度、高溫加熱性能、溫度控制精度以及高性能溫場分布、設(shè)備可靠性等直接影響SiC單晶襯底質(zhì)量和成品率的關(guān)鍵技術(shù)有很高的
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 SiC
ST:我們看到MEMS 下一個機(jī)會,正轉(zhuǎn)向汽車和工業(yè)市場

- “過去10年多MEMS 從默默無聞變成了整個消費類市場的重要推手,特別是在手機(jī)應(yīng)用、手持式產(chǎn)品里。借助近幾年非常熱門的主題——物聯(lián)網(wǎng)、智能工業(yè)、智能農(nóng)業(yè),我們看到了MEMS的下一個發(fā)展機(jī)會。” ? 這是近日,意法半導(dǎo)體(ST)在北京舉辦的主題為MEMS 媒體溝通會上,ST大中華暨南亞區(qū)模擬和MEMS產(chǎn)品部市場總監(jiān) 吳衛(wèi)東 對未來的判斷。過去十幾年ST 在消費級的MEMS 市場大獲成功,國內(nèi)包括華為、OPPO、vivo、小米等幾乎所有手機(jī)廠商都與ST
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半導(dǎo)體(st)應(yīng)用軟件介紹
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對半導(dǎo)體(st)應(yīng)用軟件的理解,并與今后在此搜索半導(dǎo)體(st)應(yīng)用軟件的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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