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功率
功率 文章 最新資訊
為功率因數(shù)校正應(yīng)用選擇合適的MOSFET
- Vishay Siliconix設(shè)計(jì)和生產(chǎn)面向工業(yè)、可再生能源、計(jì)算、消費(fèi)及照明市場(chǎng)的高壓MOSFET(HVM)。我們擁有電壓范圍為50 V至1000 V的廣泛器件,其中采用我們
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檢測(cè)電源篡改幫助確保物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備
- 對(duì)于觀(guān)光噪比(IoT)的因特網(wǎng)的許多設(shè)備將需要安全地傳輸數(shù)據(jù),要求使用的加密算法和安全密鑰存儲(chǔ)。一些這些鍵將用于獲得是,潛在地,可以使用通過(guò)網(wǎng)絡(luò)罪
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電源功耗101
- 在最基本的術(shù)語(yǔ)中,降壓調(diào)節(jié)器需要一個(gè)輸入電壓并將其轉(zhuǎn)換為負(fù)載所需的較低電壓。有電壓調(diào)節(jié)器,線(xiàn)性和開(kāi)關(guān)式兩大類(lèi)。線(xiàn)性調(diào)節(jié)器的工作原理是吸收在輸
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實(shí)例分析 一種直流升壓芯片功率拓展的情況
- 有時(shí)在電路中已經(jīng)使用了升壓芯片,但由于需要,還是要再對(duì)升壓功率進(jìn)行提升。那么在這種時(shí)候,該怎樣對(duì)升壓電路中的升壓芯片功率拓展呢?本文以一款升壓
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保護(hù)你的系統(tǒng)不受反向電流的影響
- 在使用電子元器件時(shí),你有時(shí)候不可避免地會(huì)聞到明顯是芯片燒焦的味道。這都是反向電流惹的禍。反向電流就是由于出現(xiàn)了高反向偏置電壓,系統(tǒng)中的電流以
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為氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管選擇柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路
- 用寬禁帶(WBG)設(shè)備的可用性,許多電源設(shè)計(jì)師已經(jīng)開(kāi)始調(diào)查FET的基于氮化鎵上硅(上GaN-Si)的,適用于各種新的設(shè)計(jì)和新興的應(yīng)用的優(yōu)點(diǎn)。住在調(diào)與客戶(hù),一
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分析汽車(chē)轉(zhuǎn)向電動(dòng)機(jī)工作原理及轉(zhuǎn)向系統(tǒng)
- 汽車(chē)上配置的轉(zhuǎn)向系統(tǒng),大致可以分為三類(lèi):(1)一種是機(jī)械式液壓動(dòng)力轉(zhuǎn)向系統(tǒng);(2)一種是電子液壓助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng);(3)另外一種電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)。一、電動(dòng)助
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功率介紹
概述 功率是指物體在單位時(shí)間內(nèi)所做的功,即功率是描述做功快慢的物理量。功的數(shù)量一定,時(shí)間越短,功率值就越大。
求功率的公式為功率=功/時(shí)間
求功率的公式也為P=W/t =UI=I方R=U方/R
P表示功率,單位是“瓦特”,簡(jiǎn)稱(chēng)“瓦”,符號(hào)是“w”。W表示功,單位是“焦耳”,簡(jiǎn)稱(chēng)“焦”,符號(hào)是“J”。t表示時(shí)間,單位是“秒”,符號(hào)是“s”。因?yàn)閃=F(f 力)*s(s位移)(功的 [ 查看詳細(xì) ]
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