功率半導體器件 文章 最新資訊
使用MSO 5/6內(nèi)置AWG進行功率半導體器件的雙脈沖測試
- _____我們將高功率SiC器件定義為處理1kV和100A范圍內(nèi)的器件,這相當于100kW的功率。SiC晶體管處理和服務的高電壓、高電流和快速開關(guān)系統(tǒng)的性質(zhì)帶來了許多在普通5V或12V系統(tǒng)中不會出現(xiàn)的挑戰(zhàn)。例如:●? ?100A量級的電流會將印刷電路板 (PCB) 導線暴露為寄生電阻元件,從而產(chǎn)生顯著的IR壓降?!? ?1000V量級的電壓會使微小的寄生電容儲存大量電荷,從而在開關(guān)操作中導致顯著的功率損耗。●? ?SiC器件的快速開關(guān)能力使所有導
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充電頭里的中國機會

- 券商和基金最看好哪個半導體投資版塊?一定是功率半導體 [1]。今年年初,英飛凌、意法半導體、恩智浦等國際半導體大廠均對今年功率半導體有著高景氣的預期,2022 年全年產(chǎn)能已全部排滿。[2]任何電能轉(zhuǎn)換過程都需要功率半導體,沒有它,幾乎一切現(xiàn)代電子產(chǎn)品都將無法工作。但它并不像提供各種算力的 CPU、GPU、FPGA、ASIC 廣受關(guān)注,往往只是作為配角出現(xiàn) [3]。這一領(lǐng)域技術(shù)迭代迅速,競爭激烈。在本文中,你將了解到:功率半導體分類,功率半導體技術(shù)細節(jié),功率半導體發(fā)展歷史,功率半導體市場
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