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CAGR達49%，2030全球GaN功率元件市場規(guī)?；蛏?3.76億美元

  • 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新報告《2024全球GaN Power Device市場分析》顯示，隨著英飛凌、德州儀器對GaN技術(shù)傾注更多資源，功率GaN產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將再次提速。2023年全球GaN功率元件市場規(guī)模約2.71億美元，至2030年有望上升至43.76億美元，CAGR（復合年增長率）高達49%。其中非消費類應用比例預計會從2023年的23%上升至2030年的48%，汽車、數(shù)據(jù)中心和電機驅(qū)動等場景為核心。AI應用普及，GaN有望成為減熱增效的幕后英雄AI技術(shù)的演進，帶動算力需求持續(xù)攀升，C
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TrendForce：預計2030年全球GaN功率元件市場規(guī)模上升至43.76億美元

  • 8月15日消息，根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新報告顯示，隨著英飛凌、德州儀器對GaN技術(shù)傾注更多資源，功率GaN產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將再次提速。2023年全球GaN功率元件市場規(guī)模約2.71億美元，至2030年有望上升至43.76億美元，CAGR（復合年增長率）高達49%。報告顯示，非消費類應用比例預計會從2023年的23%上升至2030年的48%，汽車、數(shù)據(jù)中心和電機驅(qū)動等場景為核心。
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2023年SiC功率元件營收排名，ST以32.6%市占率穩(wěn)居第一

  • 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，2023年全球SiC功率元件產(chǎn)業(yè)在純電動汽車應用的驅(qū)動下保持強勁成長，前五大SiC功率元件供應商約占整體營收91.9%，其中ST以32.6%市占率持續(xù)領(lǐng)先，onsemi則是由2022年的第四名上升至第二名。TrendForce集邦咨詢分析，2024年來自AI服務器等領(lǐng)域的需求則顯著大增，然而，純電動汽車銷量成長速度的明顯放緩和工業(yè)需求走弱正在影響SiC供應鏈，預計2024年全球SiC功率元件產(chǎn)業(yè)營收年成長幅度將較過去幾年顯著收斂。作為關(guān)鍵的車用SiC MOSFE
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ADI氮化鎵功率元件和工具為設計帶來了機會

  • 氮化鎵 (GaN) 半導體在 20 世紀 90 年代初首次作為高亮度藍色發(fā)光二極管 (LED) 投入商業(yè)應用，隨后成為藍光光盤播放器的核心技術(shù)。自此以后雖已取得長足進步，但在將近二十年后，該技術(shù)才因其高能效特性而在場效應晶體管 (FET) 上實現(xiàn)商業(yè)可行性。氮化鎵目前是半導體行業(yè)增長最快的細分市場之一，復合年增長率估計在 25% 至 50% 之間，其驅(qū)動力來自對能效更高設備的需求，以期實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展和電氣化目標。與硅晶體管相比，氮化鎵晶體管可以設計出體積更小、效率更高的器件。氮化鎵最初
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集邦咨詢：新能源車需求助攻GaN功率元件

  • TrendForce集邦咨詢表示，2021年隨著各國于5G通訊、消費性電子、工業(yè)能源轉(zhuǎn)換及新能源車等需求拉升，驅(qū)使如基站、能源轉(zhuǎn)換器(Converter)及充電樁等應用需求大增，使得第三代半導體GaN及SiC元件及模組需求強勁。其中，以GaN功率元件成長幅度最高，預估今年營收將達8,300萬美元，年增率高達73%。據(jù)TrendForce集邦咨詢研究，GaN功率元件，其主要應用大宗在于消費性產(chǎn)品，至2025年市場規(guī)模將達8.5億美元，年復合成長率高達78%。前三大應用占比分別為消費性電子60%、新能源車20
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技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率元件

  • 與SiC和GaN相比，beta;-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導體元件，因而引起了極大關(guān)注。契機源于日本信息通信研究機構(gòu)等的研究小組開發(fā)出的beta;-Ga2O3晶體管。下面請這些研究小組的技術(shù)人員，以論
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使用燒結(jié)銅的功率元件封裝技術(shù) 可靠性提高10倍

  • 　　日立制作所在“PCIMEurope2016”并設的會議上發(fā)表了使用燒結(jié)銅的功率元件封裝技術(shù)。該技術(shù)的特點是，雖為無鉛封裝材料，但可降低材料成本并提高可靠性。 　　對作為可靠性指標的“功率循環(huán)耐受量”實施測定的結(jié)果顯示，循環(huán)次數(shù)達到了以往含鉛焊錫的10倍以上。具體來說，在功率元件最大結(jié)溫(Tjmax)為175℃、ΔTj為125℃的條件下實施功率循環(huán)試驗時，以往的含鉛焊錫最高為5萬次，而使用燒結(jié)銅時達到55萬次。在實施-40℃至+200℃的熱循
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電源系統(tǒng)設計的無風險路徑(下)

  • 　　接上篇 ???? 步驟2——構(gòu)建 　　構(gòu)建系統(tǒng)的第一個步驟是創(chuàng)建一個電源系統(tǒng)的方框圖，從輸出開始，然后向輸入后向推進。從最低功率級別開始它的運作更好，并從那里繼續(xù)工作，以便可以審查功率元件類別，并隨功率級別的增加在必要時做出改變。 　　根據(jù)適當功率級別選擇正確的元件類別非常重要。例如，在低功耗條件下，系統(tǒng)級封裝產(chǎn)品(SiP)，如Vicor ZVS降壓穩(wěn)壓器是最好的解決方案。在較高功率級別，更好的方法可能是使用Vicor的ChiP
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電源系統(tǒng)設計的無風險路徑(上)

  • 　　摘要：現(xiàn)在，高性能電源系統(tǒng)已經(jīng)有了長足進展，設計人員正在使用多個輸入電壓，驅(qū)動種類繁多應用的多路電壓軌。為了確保PoL穩(wěn)壓器盡可能靠近負載的需求，設計人員需要在一個非常小的范圍實現(xiàn)大量功率轉(zhuǎn)換功能。與此同時，企業(yè)資源正趨于擴展到工程師，常常是由多面手，而不是電源專家來負責設計電源系統(tǒng)。因此，當今復雜的電源要求可能令設計人員非常頭痛：如何利用不同資源為多樣化的負載提供高性能電源，從而保證架構(gòu)的所有部分都在其功率和散熱范圍內(nèi)運行，同時還可優(yōu)化效率和成本目標。 　　工程師如何充分利用現(xiàn)在可用的高性能構(gòu)建模
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強化功率元件戰(zhàn)力 MCU廠猛攻直流變頻馬達

  • 　　微控制器(MCU)廠商正積極補強功率半導體元件戰(zhàn)力，強攻直流變頻馬達市場。無論是直流無刷馬達(BLDC)或永磁同步馬達(PMSM)，其與交流感應馬達最大的不同之處，就在于變頻電路的設計，因此MCU廠為了直攻變頻馬達市場，除了提升MCU的控制性能之外，亦戮力強化與MCU搭配的功率元件戰(zhàn)力。 　　德州儀器(TI)馬達事業(yè)部現(xiàn)場應用工程師劉俊男表示，歐盟在2015年時預計將7.5千瓦(kW)以上之馬達最低能效標準(MEPS)提升至IE3，到2017年時，才將IE3管制范圍向下探至0.75kW以上，從這
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英飛凌：GaN功率元件前景雖好，但采用為時尚早

  • GaN被認為是下一代的功率元件，被賦予了代替SiC的神圣使命。但是近日，來自英飛凌的MarkMuenzer表示，其前景雖好，但是還沒到廣泛使用的時候，因它還有很多未被探索出來的部分。
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車用功率元件新思路，滿足車規(guī)為首要任務

  • 隨著美國電動車大廠Tesla在電動車市場開始突破重圍后，全球電動車市場也開始彌漫著一股相當樂觀的氣氛。不過， ...
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PV逆變器應用升溫，推動SiC功率元件發(fā)展

  • 碳化硅（SiC）功率元件正快速在太陽能（PV）逆變器應用市場攻城掠地。SiC功率元件具高頻和耐高溫特性，不僅可較傳...
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技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率

  • 與SiC和GaN相比，beta;-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導體元件，因而引起了極大關(guān)注。契機源于日本信息通信研究機構(gòu)等的研究小組開發(fā)出的beta;-Ga2O3晶體管。下面請這些研究小組的技術(shù)人員，以論
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技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率元件（二）

  • 基板成本也較低采用β-Ga2O3制作基板時，可使用“FZ（floatingzone）法”及“EFG（edge-definedfilm-fed...
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