- 摘要：介紹了一種新穎的功率因數校正（PFC）芯片。它的主要特點是提高了輕載時的功率因數和改善了電路的動態(tài)性能。實驗表明：這種新穎的PFC控制芯片實現了這些功能。 關鍵詞：功率因數校正；動態(tài)性能；電流補償 0
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芯片 研究 校正 因數 功率 新穎
- 摘要：分析了功率MOSFET雪崩擊穿的原因，以及MOSFET故障時能量耗散與器件溫升的關系。和傳統(tǒng)的雙極性晶體管相比，反向偏置時MOSFET雪崩擊穿過程不存在“熱點”的作用，而電氣量變化卻十分復雜。寄生器件在
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問題 分析 擊穿 雪崩 MOSFET 功率
- 1 前言 為了使開關電源的輸入電流諧波滿足要求，必須加入功率因數校正（PFC）。目前應用得最廣泛的是PFC級＋DC/DC級的兩級方案，它們有各自的開關器件和控制電路。這種方案能夠獲得很好的性能，但它的缺點是電
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校正 效果 研究 因數 功率 PFC 變換器 單級
- 1 引言 電力電子裝置日益廣泛的應用，使得諧波污染問題引起了人們越來越多的關注。電力電子技術的進步，使得功率因數校正問題的研究也越來越深入。傳統(tǒng)的功率因數校正電路由Boost電路構成。這種電路控制復雜，
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參數 設計 分析 電路 校正 SEPIC 功率 因數 基于
- 摘要：介紹了新型功率器件MCT（MOS控制晶閘管）的基本結構，工作原理。詳細地探討了MCT在關斷情況下的建模，采用狀態(tài)空間分析法推導出了MCT的可關斷的最大電流與其結構的關系，并利用MATLAB/Simulink仿真證明了結論的
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模型 研究 關斷 MCT 功率 器件 新型
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