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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 制造工藝

RF功率MOSFET產品及其工藝開發(fā)

  • 摘    要：本文簡述了RF 功率 MOSFET器件的應用，分析了以LDMOSFET工藝為基礎的RF 功率 MOSFET的功能特性、產品結構和制造工藝特點。文中結合6寸芯片生產線，設計了產品的制造工藝流程，分析了制造工藝的難點，并提出了解決方案。關鍵詞：RF 功率 MOSFET；LDMOSFET；器件結構；制造工藝 引言RF 功率 MOSFET的最大應用是無線通訊中的RF功率放大器。直到上世紀90年代中期，RF功率MOSFET還都是使用硅雙極型晶體管或GaAs MOSFET
  • 關鍵字： LDMOSFET  MOSFET  RF  RF專題  電源技術  功率  模擬技術  器件結構  制造工藝  

淺論臺灣放寬半導體投資限制

  •      提起半導體制造，臺灣是全球工藝的領先者，而半導體制程則是臺灣少數(shù)幾個沒有對大陸開放投資的項目。這一次，臺灣經濟主管機構召開“大陸投資政策審查會議”，會后宣布，茂德、力晶8英寸半導體廠項目(0.25)通過了政策審查，后續(xù)的0.18其實也已經通過了審查，這對整個半導體產業(yè)不得不說是個震撼。     初看起來，0.18都已經接近淘汰，0.25更是該走進歷史的垃圾堆，但仔細研究卻并非這么簡單。  &
  • 關鍵字： 半導體  制造工藝  

ST的TCG 1.2可信平臺模塊進軍0.15微米制造工藝

  •  極具成本效益的TPM解決方案，專門為PC制造商和OEM廠商設計， 達到可信計算組最新標準 全球第一個推出完全符合TCG(可信計算組)TPM1.2規(guī)范的可信平臺模塊(TPM)的芯片制造商意法半導體（紐約證券交易所代碼：STM)，又推出了一個采用該公司先進的0.15微米CMOS EEPROM制造工藝的新模塊。新產品ST19NP18是在取得巨大成功的上一代ST19WP18 TPM的基礎上改進而成的，制造技術采用了能夠給PC制造商帶來更多成本效益的0.15微米制造工藝。 安全芯片T
  • 關鍵字： 0.15微米  1.2可信平臺模塊  ST  TCG  單片機  嵌入式系統(tǒng)  意法半導體  制造工藝  模塊  
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制造工藝介紹

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