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4nm→2nm，三星或升級(jí)美國(guó)德州泰勒晶圓廠制程節(jié)點(diǎn)

根據(jù)韓國(guó)媒體Etnews的報(bào)導(dǎo)，晶圓代工大廠三星正在考慮將其設(shè)在美國(guó)德州泰勒市的晶圓廠制程技術(shù)，從原計(jì)劃的4納米改為2納米，以加強(qiáng)與臺(tái)積電美國(guó)廠和英特爾的競(jìng)爭(zhēng)。消息人士稱(chēng)，三星電子最快將于第三季做出最終決定。報(bào)導(dǎo)指出，三星的美國(guó)德州泰勒市晶圓廠投資于2021年，2022年開(kāi)始興建，計(jì)劃于2024年底開(kāi)始分階段運(yùn)營(yíng)。以三星電子DS部門(mén)前負(fù)責(zé)人Lee Bong-hyun之前的說(shuō)法表示，到2024年底，我們將開(kāi)始從這里出貨4納米節(jié)點(diǎn)制程的產(chǎn)品。不過(guò)，相較于三星泰勒市晶圓廠，英特爾計(jì)劃2024年在亞利桑那州和俄亥
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今年9月，Intel 4制程節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)，英特爾重獲制程領(lǐng)先性的“四年五個(gè)制程節(jié)點(diǎn)”之旅又按時(shí)抵達(dá)了一座里程碑。近日，英特爾執(zhí)行副總裁兼技術(shù)開(kāi)發(fā)總經(jīng)理Ann Kelleher為我們講述了這一計(jì)劃的“幕后故事”，英特爾是如何按時(shí)穩(wěn)步推進(jìn)“四年五個(gè)制程節(jié)點(diǎn)”計(jì)劃的呢？目前，Intel 7和Intel 4已經(jīng)實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)，Intel 3即將到來(lái)，實(shí)現(xiàn)約18%的每瓦性能提升，而接下來(lái)的Intel 20A和Intel 18A同樣進(jìn)展順利，在每瓦性能上將比上一個(gè)節(jié)點(diǎn)各提升約10%。創(chuàng)新技術(shù)加持Ann Kell
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近日，英特爾公司首席執(zhí)行官帕特·基辛格表示，英特爾將按計(jì)劃或提前完成其“四年五個(gè)制程節(jié)點(diǎn)”計(jì)劃，英特爾在制程技術(shù)方面取得的進(jìn)展正在得到第三方的充分肯定。在2021年7月，英特爾公布了“四年五個(gè)制程節(jié)點(diǎn)”計(jì)劃，即通過(guò)在（當(dāng)時(shí)的）未來(lái)四年內(nèi)推進(jìn)Intel 7、Intel 4、Intel 3、Intel 20A和Intel 18A五個(gè)制程節(jié)點(diǎn)，于2025年重獲制程領(lǐng)先性。這一計(jì)劃也標(biāo)志著英特爾調(diào)整了其命名制程節(jié)點(diǎn)的方式，目前在半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)，制程節(jié)點(diǎn)的數(shù)字已不再表示芯片的具體物理特征，但仍然代表著性能
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