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研華新一代CXL 2.0內(nèi)存，數(shù)據(jù)中心效率大革新！

2024 年 10 月，研華科技宣布推出新一代SQRAM CXL 2.0 Type 3 內(nèi)存模塊。Compute Express Link (CXL) 2.0 是內(nèi)存技術(shù)的下一代進(jìn)化產(chǎn)品，可通過高速、低延遲的互連實現(xiàn)內(nèi)存擴(kuò)展和加速，滿足大型 AI 訓(xùn)練和高性能計算集群的需求。 CXL 2.0 建立在 CXL 規(guī)范的基礎(chǔ)上，引入了內(nèi)存共享和擴(kuò)展等高級功能，使異構(gòu)計算環(huán)境中的資源利用效率更高，在當(dāng)今高性能計算領(lǐng)域引起了廣泛關(guān)注。通過E3.S 2T規(guī)格擴(kuò)展內(nèi)存在傳統(tǒng)的內(nèi)存架構(gòu)中，固定的內(nèi)存分配常常導(dǎo)致資源利用率
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美光率先上市基于LPDDR5X的 LPCAMM2內(nèi)存模塊，變革PC用戶體驗

2024 年 1 月 18 日，中國上海 —— Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）近日宣布推出業(yè)界首款標(biāo)準(zhǔn)低功耗壓縮附加內(nèi)存模塊（LPCAMM2），提供從 16GB 至 64GB 的容量選項，為 PC 提供更高性能、更低功耗、更緊湊的設(shè)計空間及模塊化設(shè)計。LPCAMM2 內(nèi)存模塊現(xiàn)已出樣，并計劃于 2024 年上半年量產(chǎn)，這是自 1997 年業(yè)界采用小型雙列直插式內(nèi)存模塊（SODIMM）以來，客戶
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SMART Modular 世邁科技推出DuraMemory DDR5 VLP ECC UDIMM 內(nèi)存模塊

隸屬SGH（Nasdaq：SGH) 控股集團(tuán)的全球?qū)I(yè)內(nèi)存與儲存解決方案領(lǐng)導(dǎo)者 SMART Modular世邁科技（“SMART”）宣布推出16GB和32GB DDR5 VLP ECC UDIMM內(nèi)存模塊，為刀鋒服務(wù)器專用VLP模組產(chǎn)品添增生力軍。專為網(wǎng)通及高算力應(yīng)用所需1U刀鋒服務(wù)器而生隸屬SGH（Nasdaq：SGH) 控股集團(tuán)的全球?qū)I(yè)內(nèi)存與儲存解決方案領(lǐng)導(dǎo)者 SMART Modular世邁科技（“SMART”）宣布推出16GB和32GB DDR5 VLP ECC UDIMM內(nèi)存模塊，為
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CXL標(biāo)準(zhǔn)成為現(xiàn)實：三星推出首款CXL內(nèi)存模塊

早在3月初，三星就發(fā)布了首個DDR5 DRAM存儲芯片。而近日，三星又公布了目前世界上首款CXL協(xié)議的DDR5內(nèi)存，該內(nèi)存將被用于服務(wù)器領(lǐng)域。三星稱，基于CXL的DDR5內(nèi)存模塊采用了EDSFF尺寸，這允許服務(wù)器系統(tǒng)極大地提升內(nèi)存容量和帶寬。新的內(nèi)存模塊甚至可將內(nèi)存容量拓展到TB級別，減少內(nèi)存緩存所引起的系統(tǒng)延遲，并可加強(qiáng)服務(wù)器系統(tǒng)地機(jī)器學(xué)習(xí)、人工智能的能力。Compute Express Link (CXL) 是一種開放式互連新標(biāo)準(zhǔn)，于2019年由英特爾、谷歌等巨頭牽頭開發(fā)的。它主要面向CPU
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2013年全球內(nèi)存模塊廠營收排名

　　全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下內(nèi)存研究部門DRAMeXchange最新發(fā)表的模塊營收調(diào)查顯示，2013年全球模塊市場總銷售金額約為73億美元，相較于2012年55億美元，大幅提升32%，主要受益于標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存價格的上漲、現(xiàn)貨市場轉(zhuǎn)趨熱絡(luò)及合約市場的比重提升。2013年模塊廠前十名幾乎囊括全球模塊市場中88%的營業(yè)額，其中金士頓穩(wěn)坐模塊廠龍頭，年營收增長約32%;威剛與記憶科技則分居二、三名，營收也大幅增長116%及37%。由于模塊廠營業(yè)項目轉(zhuǎn)趨多元，本次排名僅針對各家模塊廠的DRAM營收做統(tǒng)計
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三星推首款30納米低功率1.25V服務(wù)器內(nèi)存模塊

　　日前，三星電子在電子行業(yè)首次推出了采用30納米級企業(yè)服務(wù)器1.25V16GB(千兆)DDR3(DoubleData Rate 3) RDIMM (Registered Dual Inline Memory Module)產(chǎn)品。　　三星相關(guān)負(fù)責(zé)人向記者表示，9月16日三星電子將在新加坡舉辦“三星半導(dǎo)體CIO(首席信息官ChiefInformationOfficer)論壇”，并在此論壇上發(fā)布30納米級1.25V服務(wù)器使用的DRAM(動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)產(chǎn)品。　
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臺灣內(nèi)存模塊廠宇瞻瞄準(zhǔn)軍方市場

　　第3屆全球安控電子技術(shù)論壇暨元器件展Composec及臺北國際安全博覽會SecuTech，甫順利落幕，這次不少內(nèi)存模塊廠踴躍參與，也透露模塊廠積極跨出標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存領(lǐng)域的意味;宇瞻這次也卷土重來再次參與盛會，并宣布與美國嵌入式系統(tǒng)領(lǐng)導(dǎo)廠商Diamond Systems Corporation共同研發(fā)新款內(nèi)存模塊，將打入軍方用模塊市場，這是繼憶正、宜鼎等業(yè)者之外，另一個瞄準(zhǔn)軍規(guī)內(nèi)存市場的模塊業(yè)者?！?/li>
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LSI 針對企業(yè)網(wǎng)絡(luò)和存儲應(yīng)用擴(kuò)展定制 IP 產(chǎn)品系列

　　LSI 公司日前宣布推出具有多核功能的 PowerPC 476 微處理器內(nèi)核和高速嵌入式 DRAM 內(nèi)存模塊，進(jìn)一步豐富了其業(yè)界領(lǐng)先的定制芯片 IP 產(chǎn)品系列。該新型處理器內(nèi)核和內(nèi)存模塊旨在加速用于諸如企業(yè)級交換機(jī)、路由器、RAID 存儲器、服務(wù)器以及基站等高性能應(yīng)用中的高級網(wǎng)絡(luò)和存儲SoC 的開發(fā)。　　定制多核集成電路 (IC) 使 OEM 廠商能夠針對計算密集型應(yīng)用開發(fā)出高度差異化的高性能解決方案。LSI 推出的這款新型 PowerPC 476FP 器件采用 TSMC 40G 工藝制造而成，能
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奇夢達(dá)展示新一代億能Xtune為首的產(chǎn)品

　　2008年6月3日，奇夢達(dá)公司今日宣布旗下的內(nèi)存模塊品牌-----億能，將于6月3日至7日在Computex 2008展覽期間，展示其渠道和零售市場銷售的主力：以新一代Xtune為首的系列產(chǎn)品。　　億能的 Xtune系列產(chǎn)品主要是為追求最大性能的游戲玩家和專業(yè)使用者而設(shè)計的，在正常1.5伏的電壓下可達(dá)到強(qiáng)大的的超頻能力。億能 Xtune可以在標(biāo)準(zhǔn)電壓下提供高容量內(nèi)存和極高的內(nèi)存頻率，并且大幅提升運算平臺的性能。為了減少全球環(huán)境日益變暖，億能XTUNE降低熱能的產(chǎn)生以及為節(jié)能
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內(nèi)存模塊介紹

內(nèi)存模塊　　內(nèi)存模塊 (Memory Module)：提到內(nèi)存模塊是指一個印刷電路板表面上有鑲嵌數(shù)個記憶體芯片chips，而這內(nèi)存芯片通常是DRAM芯片，但近來系統(tǒng)設(shè)計也有使用快取隱藏式芯片鑲嵌在內(nèi)存模塊上內(nèi)存模塊是安裝在PC 的主機(jī)板上的專用插槽(Slot)上鑲嵌在Module上DRAM芯片(chips)的數(shù)量和個別芯片(chips)的容量，是決定內(nèi)存模塊的設(shè)計的主要因素。 [ 查看詳細(xì) ]

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