東芝文章進入東芝技術(shù)社區(qū)

大廠斷臂求生日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已衰落？

技術(shù)遠比市場重要，中國半導(dǎo)體企業(yè)即便占據(jù)再高的市場份額，但是如果沒有核心技術(shù)在手，就很難獲得半導(dǎo)體市場話語權(quán)!
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東芝董事：WD等美企是半導(dǎo)體事業(yè)合適買家

　　3 月 29 日是東芝(Toshiba)以 NAND 型快閃存儲器(Flash Memory)為主軸的半導(dǎo)體事業(yè)第一次招標的截止日，有意參與競標的企業(yè)將會在今日向東芝提交出資金額、出資比重等條件。而日前就傳出為了避免東芝半導(dǎo)體技術(shù)外流，尤其是流向中國，日本公共資金將攜手美國陣營吃下東芝半導(dǎo)體事業(yè)，而最新有東芝高層表示，美企是東芝半導(dǎo)體事業(yè)的合適買家，不希望賣給美國以外的外資企業(yè)。　　日本媒體報導(dǎo)，日本經(jīng)濟同友會代表干事、也擔(dān)任東芝社外董事的小林喜光在 28 日舉行的記者會上表示，目前已和東芝進行合
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買家眾多東芝存儲業(yè)務(wù)將花落誰家？

東芝已經(jīng)處于資不抵債的邊緣，被迫出售優(yōu)質(zhì)大額資產(chǎn)來改善其財務(wù)狀況，究竟東芝存儲業(yè)務(wù)花落誰家，雖然在近期就可以揭曉。
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東芝面向風(fēng)扇電機推出600V／500V小型封裝高壓智能功率器件

　　東芝公司旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布推出新系列小型封裝高壓智能功率器件(IPD)，這些產(chǎn)品用于空調(diào)、空氣凈化器和空氣泵等各類風(fēng)扇電機。該新系列包括600V/2.5A “TPD4204F"和500V/2.5A “TPD4206F2"兩款產(chǎn)品，產(chǎn)品出貨即日啟動。　　利用東芝最新的MOSFET技術(shù)，新系列IPD在新開發(fā)的小型表面貼裝“SOP30”封裝中實現(xiàn)高壓和低功率損耗，該封裝尺寸僅為20.0mm x 14.2mm。其封裝空間僅約為東
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東芝擴大單線信號輸入照明LED驅(qū)動器IC產(chǎn)品陣容

　　東芝公司旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布推出“TB62D787FTG”，該產(chǎn)品為一款新的單線信號輸入、24通道輸出LED驅(qū)動器IC，適用于游樂設(shè)備和LED照明應(yīng)用。樣品發(fā)貨即日啟動，量產(chǎn)計劃于六月開始。　　與東芝9通道輸出IC“TB62D786FTG”一樣，該新產(chǎn)品集成了單線式曼徹斯特編碼接口。還集成了輸入最高可達28V的線性穩(wěn)壓電路(5V輸出)和用于通信數(shù)據(jù)的菊鏈式引腳。因此，3線輸入(一根電源線、一根數(shù)據(jù)線和一根地線)有效提高了該LED驅(qū)動器單元的可擴展性。　　此外，新增的通信模式支持在6
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東芝旗下西屋電氣最快周二申請破產(chǎn) 尋韓國電力支持

　　據(jù)日本經(jīng)濟新聞周一報道，東芝旗下的美國核業(yè)務(wù)西屋電氣(Westinghouse Electric)最快將于周二申請破產(chǎn)保護，并尋求韓國電力(KEPCO)的支持。　　報道稱，申請破產(chǎn)保護可能有助于東芝控制因西屋虧損引起的損失。　　消息人士周五對路透社表示，東芝已通知其主要關(guān)聯(lián)銀行，計劃讓旗下美國核業(yè)務(wù)西屋電氣在3月31日申請破產(chǎn)，這會使東芝本財年該業(yè)務(wù)相關(guān)費用升至大約1萬億日圓(約合90億美元)。　　報道稱，西屋董事會最早將于周二開會，決定是否利用破產(chǎn)法第11章，有可能同日申請破產(chǎn)。報道
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東芝推出EMI性能更佳的600V/650V超結(jié)N溝道功率MOSFET

　　東芝公司旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布推出EMI性能更佳的600V/650V超結(jié)N溝道功率MOSFET，該產(chǎn)品適用于工業(yè)和辦公設(shè)備。該新“DTMOS V系列”最初將提供12款產(chǎn)品。樣品發(fā)貨即日啟動，批量生產(chǎn)發(fā)貨計劃于3月中旬啟動。　　該新系列擁有與東芝當(dāng)前的“DTMOS IV系列”相同水平的低導(dǎo)通電阻、高速開關(guān)性能，同時，其優(yōu)化的設(shè)計流程使EMI性能提升約3至5dB[1]。而且，降低的單位面積導(dǎo)通電阻(RON x A)性能使新的650v 0.
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東芝推出配有內(nèi)置偏移電壓全時檢測功能及電流反饋系統(tǒng)的汽車音響功率放大器IC

　　東京—東芝公司旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布推出“TCB502HQ”，該產(chǎn)品是一款4聲道功率放大器IC，其可檢測輸出偏移電壓，輸出偏移電壓是導(dǎo)致喇叭燒毀的因素之一。批量生產(chǎn)即日啟動。　　這款全新IC集成有一個新開發(fā)的偏移電壓全時檢測電路，在放聲期間依然可以檢測輸出偏移電壓，從而避免喇叭燒毀?！　?nbsp; 　　制造商們不斷通過改善汽車音響的音質(zhì)來設(shè)法滿足消費者的需求，這款新IC集成有類似于高端高保真音響中采用的電流反饋系統(tǒng)，有助于制造商們滿足消費者的需求。這樣即可在較寬帶寬范
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東芝推出無需電流檢測電阻的雙極步進電機驅(qū)動器IC

　　東芝公司旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布推出一款無需額外電流檢測電阻的雙極步進電機驅(qū)動器“TB67S508FTG”，其提供40V的高電壓和3.0A的電流。樣品發(fā)貨即日啟動。　　該產(chǎn)品有助于打印機、辦公室自動化設(shè)備、監(jiān)控攝像頭、ATM等銀行終端、驗鈔機、游樂設(shè)備和家用電器等實現(xiàn)小型化，從而實現(xiàn)空間節(jié)省和設(shè)計改進。作為縮小IC板和減少產(chǎn)品內(nèi)部熱量的一種方式，低功耗也變得日益重要?！　?nbsp; 　　新的IC采用了東芝ACDS[1]結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)之前用于單極步進電機驅(qū)動器I
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為籌措資金傳東芝半導(dǎo)體事業(yè)計劃IPO

　　日刊工業(yè)新聞 23 日報導(dǎo)，東芝(Toshiba)半導(dǎo)體事業(yè)將分拆出去成立新公司“東芝存儲器(Toshiba Memory)”，且東芝計劃出售“東芝存儲器”過半數(shù)股權(quán)，而據(jù)悉東芝是以“最快 2018 年度讓東芝存儲器 IPO 上市”為前提進行股權(quán)出售手續(xù)，以期望借由向著重內(nèi)部報酬率(IRR)的投資基金出示早期上市的計劃，來抬高“東芝存儲器”身價、提高出售額。東芝目標是借由出售“東芝存儲器&rdq
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東芝半導(dǎo)體與存儲創(chuàng)新高，展臺再現(xiàn)法寶

　　在日前舉辦的“2017慕尼黑上海電子展”上，東芝巨型而醒目的展位前人頭攢動。不僅如此，東芝還舉辦了新聞發(fā)布會，介紹了近來東芝的改組情況及展會上的新展品。?東芝半導(dǎo)體與存儲業(yè)務(wù)創(chuàng)史上新高　　東芝發(fā)布會上，東芝電子(中國)公司董事長兼總經(jīng)理田中基仁介紹稱：2016財年(2017年3月)，預(yù)計整個東芝營業(yè)額超過三千億日元，成為東芝歷史上銷售第二高的年份。不過，由于在美國的西屋核電的損失，造成2016年財務(wù)資不抵債的風(fēng)險，下個月，即4月1日，東芝存儲器部門將獨立出來，成立東芝memory，還是東芝1
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東芝推出具備改進的低導(dǎo)通電阻、高速開關(guān)的800V超級結(jié)N溝道功率MOSFET

　　東芝公司旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布面向高效電源推出具備改進的低導(dǎo)通電阻、高速開關(guān)的800V超級結(jié)N溝道功率MOSFET?！癉TMOS?IV系列”的八款新MOSFET利用超結(jié)結(jié)構(gòu)，與東芝之前的“π-MOSVIII系列”相比，其可將其單位面積導(dǎo)通電阻(RON?x?A)降低近79%。?該系列產(chǎn)品改進的高速開關(guān)還有助于提高使用該系列產(chǎn)品的芯片組的電源效率。這些MOSFET適用于工業(yè)電源，服務(wù)器、筆記本電腦適配器和充電器以及移動設(shè)備的備用電源以及LED照明燈
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東芝推出具備更高正向浪涌電流的第二代650V碳化硅肖特基勢壘二極管

　　東芝公司(TOKYO：6502)旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布推出第二代650V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)，該二極管將該公司現(xiàn)有產(chǎn)品所提供的正向浪涌電流(IFSM)提高了約70%。新系列八款碳化硅肖特基勢壘二極管出貨即日啟動?！　∵@些新的碳化硅肖特基勢壘二極管采用東芝的第二代碳化硅工藝制造，與第一代產(chǎn)品相比，正向浪涌電流提高了約70%，同時開關(guān)損耗指標“RON?*?Qc”?[1]降低了大約30%，這使它們適合應(yīng)用于高效功率因數(shù)校正(PFC)方案中
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東芝面向快速充電器推出支持4.5V邏輯電平驅(qū)動的100V N溝道功率MOSFET

　　東芝公司旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布面向快速充電器推出支持4.5V邏輯電平驅(qū)動的100V?N溝道功率MOSFET，以此擴大其低電壓N溝道功率MOSFET的產(chǎn)品陣容?！癠-MOS?VIII-H系列”的兩款新MOSFET分別是“TPH4R10ANL”和“TPH6R30ANL”，產(chǎn)品出貨即日啟動。　　隨著快速充電器的普及和發(fā)展，市場需要更高性能的用于次級側(cè)整流器的功率MOSFET。這些新的MOSFET利用東芝低電壓溝槽結(jié)構(gòu)工藝，實現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的[1]低導(dǎo)通電阻和高速性能。該結(jié)
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“芯科技智社會創(chuàng)未來”——東芝再次發(fā)力慕展

　　日本半導(dǎo)體制造商株式會社東芝(Toshiba)存儲&電子元器件解決方案公司旗下東芝電子有限公司宣布，將在3月14至16日的慕尼黑上海電子展E4館4300展位上，以“芯科技智社會創(chuàng)未來”為主題，展示東芝針對“Automotive”、“IoT”、“Industrial”和“Memory & Storage”4大應(yīng)用領(lǐng)域所研發(fā)的最新技術(shù)、產(chǎn)品和解決方案呈現(xiàn)給迅猛增長的中國ICT市場。　　依托領(lǐng)先的芯片技術(shù)，構(gòu)建智能的社會生活，從而開創(chuàng)充滿想象力的未
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東芝介紹

東芝（TOSHIBA），是日本最大的半導(dǎo)體制造商，亦是第二大綜合電機制造商，隸屬于三井集團旗下。歷史東芝是由兩家日本公司于1939年合并成的。兩家公司中第一個成立的是田中制造所，那是日本國內(nèi)第一家電報設(shè)備制造公司；是由田中久重于1875年創(chuàng)立的。在1904年公司更名為芝浦制作所。在20世紀初期，公司以供應(yīng)日本國內(nèi)的重型機電制造為主業(yè)；在明治維新之后，公司更躍升為世界的工業(yè)大廠之一。 [ 查看詳細 ]