東芝文章進入東芝技術(shù)社區(qū)

中國手機出貨強勁推動?xùn)|芝營業(yè)利潤預(yù)期上調(diào)一倍

　　據(jù)外媒報道，東芝今天將截至9月份的上半財年營業(yè)利潤預(yù)期上調(diào)一倍以上至700億日元(約合6.95億美元)，此前預(yù)期為300億日元。　　受此消息推動，東芝股價在周三快速上漲，創(chuàng)下自去年10月以來的最高點。這是東芝第二次上調(diào)營業(yè)利潤預(yù)期，該公司在今年5月份最初預(yù)計上半財年將營業(yè)虧損200億日元。　　智能機存儲芯片的強勁需求推動?xùn)|芝上調(diào)營業(yè)利潤預(yù)期。另外，比東芝保守預(yù)期更為疲軟的日元匯率也發(fā)揮了推動作用。　　芯片需求的增長源于中國智能機出貨量的強勁表現(xiàn)。盡管全球智能機市場表現(xiàn)乏力，但是中國智能機出
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NAND閃存需求提升東芝調(diào)高上半年獲利預(yù)測

　　先前，因為受到連續(xù)7年作假帳風(fēng)波，因而導(dǎo)致公司商譽嚴重受損，并且沖擊投資人信心的日本電子大廠東芝(Toshiba)，28日宣布上調(diào)2016年上半年度的獲利預(yù)測，預(yù)估將上調(diào)至850億日元的水準(zhǔn)，較原本預(yù)估的700億日元調(diào)高21.43%，每股EPS也將達到20.08日元，等于宣告正式擺脫公司作假帳的陰霾。　　東芝于28日發(fā)出的消息表示，由于受惠于智能手機對于NAND閃存的提升，尤其在中國市場，在手機制造商不斷提升產(chǎn)品的儲存能力，所以需要性能越來越好的NAND閃存產(chǎn)品，導(dǎo)致相關(guān)價格的不斷上揚，如此以進一
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東芝2016媒體沙龍舉辦，在華產(chǎn)品重點一目了然

　　“東芝媒體沙龍”今天在京舉行。東芝電子(中國)公司三大業(yè)務(wù)部門介紹了其優(yōu)勢產(chǎn)品及在華戰(zhàn)略。　　閃存：看好工業(yè)和汽車，明年量產(chǎn)64層3D NAND Flash 　　存儲業(yè)務(wù)市場部高級經(jīng)理張會波稱，閃存中工業(yè)和汽車類增長很快。過去東芝主要面向手機和SSD卡，今后將轉(zhuǎn)型，在工業(yè)和汽車領(lǐng)域發(fā)力。　　隨著芯片制程工藝接近極限，下一代主攻3D。很多人誤解，認為東芝在3D方面走得較慢，實際上，東芝希望技術(shù)路線走得更加穩(wěn)妥、保守，盡管東芝有32層產(chǎn)品，但主打48層3D NAND，
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東芝推出行業(yè)領(lǐng)先的50Mbps高速通信光電耦合器

　　東芝公司(TOKYO：6502)旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布推出行業(yè)領(lǐng)先的[1]高速通信光電耦合器，實現(xiàn)高達50Mbps的數(shù)據(jù)速率。兩款新產(chǎn)品“TLP2767”和“TLP2367”出貨即日啟動?！　　癟LP2767”是業(yè)界[1]首款50Mbps產(chǎn)品，實現(xiàn)8毫米的爬電距離和電氣間隙以及可加強隔離的0.4毫米隔離層。產(chǎn)品采用SO6L封裝，可保證5000Vrms(最小值)的隔離電壓?！癟LP2367”采用5引腳小型SO6封裝，可保證5毫米(最小值)的爬電距離和電氣間隙以及3750Vrms的隔離電
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東芝推出低輸入電流驅(qū)動、軌對軌輸出、柵極驅(qū)動光電耦合器

　　東芝公司今天宣布推出采用低高度SO6L封裝的軌對軌輸出柵極驅(qū)動光電耦合器，用于直接驅(qū)動中低等功率絕緣柵雙極晶體管(IGBT)及功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(power MOSFET)。量產(chǎn)出貨即日啟動?！　⌒驴罟怆婑詈掀靼ㄓ糜隍?qū)動小功率IGBT的“TLP5751”和用于驅(qū)動中等功率IGBT的“TLP5752”及“TLP5754”，它們均采用低高度SO6L封裝。與采用DIP8封裝的東芝產(chǎn)品相比，新產(chǎn)品的高度僅為前者的54%，安裝面積僅為前者的43%，有助于開發(fā)更纖薄小巧的裝置。盡管高度較低，但新產(chǎn)
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生活狀態(tài)檢測功能將受關(guān)注

　　當(dāng)下可穿戴電子產(chǎn)品中，無線遙控類、玩具類和醫(yī)療健康類可穿戴設(shè)備將會有較好的發(fā)展。而更多種類和更微弱的生物電信號感知將會是未來可穿戴電子產(chǎn)品設(shè)備的發(fā)展方向，例如，測量眼球運動和腦電波信號?？纱┐髟O(shè)備的生活狀態(tài)檢測功能將會逐漸受到關(guān)注，例如，病人和老人生命體征的檢測。而更專業(yè)、更貼合慢性病的防治和監(jiān)控將會是這一類可穿戴設(shè)備的發(fā)展方向。　　在可穿戴設(shè)備方面，東芝有APP-Lite系列芯片方案，該方案具有以下優(yōu)勢：　　· 多傳感器的融合，高集成度單芯片方案(包含傳感器、模擬前端放大處理電
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三星、東芝競擴產(chǎn)，NAND Flash恐跌三成

全球NAND Flash(儲存型快閃記憶體)供給成長持續(xù)大于需求，預(yù)估NAND Flash今年底報價將較去年跌掉三成，且跌勢恐將一直延續(xù)至2018年。市調(diào)機構(gòu)IHS iSuppli最
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SK海力士與東芝和解提升未來技術(shù)發(fā)展力

東芝(Toshiba)與SK海力士(SK Hynix)宣布將共同開發(fā)下一代半導(dǎo)體制程技術(shù)，同時東芝也撤銷對SK海力士提出的1.1兆韓元(約9.1億美元)損害賠償訴訟。兩企業(yè)決
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東芝推出全球?qū)懭胨俣茸羁斓男孪盗蠸D存儲卡

東京 — 東芝公司(TOKYO：6502)今天宣布將推出全球數(shù)據(jù)寫入速度最快的新系列SD存儲卡。東芝EXCERIA存儲卡系列中的最新產(chǎn)品EXCERIA PROTM1和EXCERIATM1旨在
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TZ5000應(yīng)用處理器增添連接與多媒體功能

TZ5000 整合了 PowerVR 圖形與視頻處理器以及 Ensigma Wi-Fi 802.11ac。2014 年 3 月 3 日 —— Imagination Technologies 宣布，東芝(Toshiba)在其新款 TZ5000 應(yīng)用處理
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東芝未來科學(xué)館新館累計參觀人數(shù)突破100萬

　　8月27日，在東芝未來科學(xué)館重裝開業(yè)的兩年零七個月后，累計參觀人數(shù)突破了100萬人。　　　　東芝未來科學(xué)館舊館于1961年11月至2013年9月在日本川崎市幸區(qū)小向東芝町開門迎客，經(jīng)過重新裝修，煥然一新的新館于2014年1月31日在川崎市東芝智能大樓內(nèi)隆重開館。館內(nèi)展示了東芝集團秉承創(chuàng)始人田中久重和藤岡市助孜孜以求、勇于探索的精神和141年不斷進取的發(fā)展歷程，介紹了東芝集團的重點業(yè)務(wù)、最新產(chǎn)品和前沿技術(shù)。此外，東芝未來科學(xué)館還面向擔(dān)負未來重任的孩子們，積極推出旨在體驗和學(xué)習(xí)
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東芝將啟動最大額定值為40V/2.0A的雙極兩路步進電機驅(qū)動器的批量生產(chǎn)

　　東芝公司旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布，公司將于8月5日啟動雙極兩路步進電機驅(qū)動器“TC78S122FNG”的批量生產(chǎn)，該產(chǎn)品提供40V的最大輸出耐壓和2.0A的輸出電流。公司還為其步進電機驅(qū)動器產(chǎn)品陣容推出了另一款產(chǎn)品“TC78S122FTG”，該產(chǎn)品采用另一種封裝選項，即更緊湊型 QFN封裝，預(yù)計將于8月底開始批量生產(chǎn)。　　打印機、監(jiān)控攝像頭、辦公室自動化設(shè)備、ATM等銀行終端、驗鈔機、游樂設(shè)備和家用電器等應(yīng)用均需要高速、高性能電
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東芝開始全球首批64層3D NAND閃存的樣品出貨

　　東京-東芝公司今天宣布最新一代BiCS FLASHTM三維(3D)閃存存儲器，采用了堆棧式單元結(jié)構(gòu)[1]。該款64層工藝的存儲器于今天成為了世界首款[2]樣品出貨的產(chǎn)品。新型存儲器采用3-bit-per-cell(1個存儲器儲存單元可存放3比特的數(shù)據(jù))技術(shù)，實現(xiàn)了256Gbit(32GB)的容量。這種進步印證了東芝專有架構(gòu)的潛力。東芝將不斷精進BiCS FLASHTM制造工藝，其發(fā)展藍圖中的下一個里程碑將是同樣采用64層堆棧的512Gbit(64GB)容量存儲器。　　這款新型存儲器沿襲48層BiC
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東芝將在下一代FlashAir中實施“Eyefi連接”功能

　　東京—東芝公司今天宣布了其下一代的FlashAir™產(chǎn)品系列，即支持嵌入式無線局域網(wǎng)通信的SD存儲卡，該產(chǎn)品系列將實施“Eyefi連接”功能，東芝已從美國Eyefi公司獲得該功能的使用授權(quán)許可。東芝的目標(biāo)是在2016財年內(nèi)推出支持Eyefi連接功能的FlashAir™產(chǎn)品。　　支持Eyefi連接的相機將提供一系列先進的功能，包括打開和關(guān)閉FlashAir™無線連接，其特點是可防止相機在數(shù)據(jù)傳輸過程中關(guān)機。Eyefi連接功能將率
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東芝推出具備50V額定輸出和8通道漏型輸出的晶體管陣列

　　東京—東芝公司旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布，將啟動新一代晶體管陣列“TBD62183AFNG”和“TBD62183AFWG”的樣品出貨，該系列產(chǎn)品搭載適用于多種應(yīng)用的DMOS FET[1] 型漏型輸出[2]，包括光電耦合器控制、LED照明、繼電器驅(qū)動和電平位移器。　　批量生產(chǎn)計劃于2016年9月底啟動。　　這些新產(chǎn)品實現(xiàn)30V額定輸入和50V額定輸出的高壓驅(qū)動，適用于各種電平位移器，并且可通過高壓控制信號直接控制光電耦
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東芝介紹

東芝（TOSHIBA），是日本最大的半導(dǎo)體制造商，亦是第二大綜合電機制造商，隸屬于三井集團旗下。歷史東芝是由兩家日本公司于1939年合并成的。兩家公司中第一個成立的是田中制造所，那是日本國內(nèi)第一家電報設(shè)備制造公司；是由田中久重于1875年創(chuàng)立的。在1904年公司更名為芝浦制作所。在20世紀(jì)初期，公司以供應(yīng)日本國內(nèi)的重型機電制造為主業(yè)；在明治維新之后，公司更躍升為世界的工業(yè)大廠之一。 [ 查看詳細 ]