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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 三星(samsung)

臺積電和三星的“3nm之爭”：誰率先降低代工價(jià)格，誰就會是贏家

  • 2022年已經(jīng)接近尾聲，3nm制程的競爭似乎也進(jìn)入到了白熱化階段，臺積電和三星誰先真正實(shí)現(xiàn)3nm制程的量產(chǎn)，一直都是產(chǎn)業(yè)的焦點(diǎn)。雖然需要用到3nm芯片的廠商少之又少，但這并不妨礙它是巨頭爭相追逐的對象，畢竟對于整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)來說，搶先掌握先進(jìn)工藝是占領(lǐng)市場最關(guān)鍵的部分。
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三星押注半導(dǎo)體代工業(yè)務(wù) 今年投資近220億美元

  • 當(dāng)前全球半導(dǎo)體市場的狀況并不樂觀，在消費(fèi)電子產(chǎn)品需求下滑的影響下，存儲芯片的價(jià)格與需求雙雙下滑，三星、SK海力士等存儲芯片廠商均受到了影響。但在不利的市場狀況下，并未影響三星的投資決心，他們在半導(dǎo)體工廠方面仍在大力投資。外媒最新的報(bào)道顯示，三星今年前三季度在工廠方面已完成329632億韓元的投資，其中半導(dǎo)體工廠方面的投資高達(dá)291021億韓元，折合約219.55億美元，占到了全部工廠投資的88%。不過從數(shù)據(jù)來看，雖然三星電子在半導(dǎo)體工廠方面仍在大力投資，但他們今年前三季度的投資，其實(shí)不及去年同期。去年前三
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三星 SDI 加速推進(jìn)與通用汽車、沃爾沃設(shè)立合資電池廠

  • IT之家11月15日消息，三星 SDI 正在推動與兩家全球汽車制造商分別在美國建立合資電動汽車電池廠。這兩個(gè)合資項(xiàng)目的總成本估計(jì)為 80 億美元，其中三星 SDI 預(yù)計(jì)將投資 40 億美元。有分析認(rèn)為，三星集團(tuán)的這一大規(guī)模投資計(jì)劃表明，三星集團(tuán)對電動汽車電池事業(yè)的保守態(tài)度正在發(fā)生變化。他們計(jì)劃建設(shè)一家年產(chǎn)能 50GWh 的工廠，從而滿足為 67 萬輛續(xù)航 500 公里的電動汽車提供動力電池的需求。為此，三星 SDI 和通用汽車將各自投資約 20 億美元。三星 SDI 的鋰電池IT之家了解到，通用汽車此前已
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消息稱三星擬明年砍單3000萬部手機(jī) 部件供應(yīng)商或受巨大沖擊

  • 據(jù)報(bào)道，隨著智能手機(jī)市場的持續(xù)下滑，全球第一大智能手機(jī)廠商三星計(jì)劃大幅調(diào)降明年智能手機(jī)出貨量的預(yù)期，內(nèi)部規(guī)劃其明年智能手機(jī)生產(chǎn)目標(biāo)將落在2.7億部，雖然與今年調(diào)整后的目標(biāo)2.6億略有增長，但是相比之前的預(yù)期的2.9億部則減少了2000萬部，與今年的原本出貨目標(biāo)相比則減少了3000萬部。其中，高端S系列旗艦機(jī)型產(chǎn)量維持與今年相當(dāng)，砍單機(jī)型主要是原本為銷售主力的A系列與M系列中低端機(jī)型，聯(lián)發(fā)科、大立光、雙鴻、晶技等供應(yīng)鏈恐承壓。根據(jù)披露財(cái)報(bào)，三星第三季度營業(yè)利潤為10.85萬億韓元（約合人民幣550億元），同
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LG顯示已開始為iPhone 14 Pro Max供應(yīng)面板 打破三星壟斷地位

  • 經(jīng)歷生產(chǎn)計(jì)劃推遲的LG顯示經(jīng)過技術(shù)補(bǔ)充程序后，已經(jīng)獲得了蘋果的最終批準(zhǔn)，在上月底就已開始供應(yīng)iPhone 14 Pro Max所需的LTPO OLED面板，由三星顯示壟斷的iPhone Pro系列面板供應(yīng)有望重新變?yōu)槎喾焦?yīng)。
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報(bào)告稱三星電子 DRAM 市場份額創(chuàng) 8 年來新低

  • IT之家 11 月 9 日消息，根據(jù)最新的報(bào)告，三星電子在全球 DRAM 市場的份額已跌至八年來的最低點(diǎn)。據(jù) Eugene Investment & Securities 11 月 8 日發(fā)布的報(bào)告，第三季度全球 DRAM 市場銷售額為 179.73 億美元（當(dāng)前約 1301.25 億元人民幣），較第二季度的 254.27 億美元下降 29.3%。三星電子的 DRAM 銷售額從第二季度的 111.21 億美元下降到第三季度的 73.71 億美元（當(dāng)前約 533.66 億元人民幣
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三星開始量產(chǎn)第8代V-NAND，存儲密度高達(dá)1Tb

  • 作為全球化的半導(dǎo)體企業(yè)，正如在2022年度閃存峰會和2022年度三星內(nèi)存技術(shù)日上所承諾的，三星今日宣布，已開始量產(chǎn)三星產(chǎn)品中具有最高存儲密度的1Tb（太字節(jié)）三比特單元（TLC）第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲密度，可為全球企業(yè)系統(tǒng)提供容量更大、密度更高的存儲解決方案。三星電子第八代V-NAND，1Tb三星閃存產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁SungHoi Hu表示："市場對更高密度、更大容量存儲的需求，推動了V-NAND層數(shù)的增加，三星采用3D縮放（3
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傳輸速度高達(dá)2400Mtps，三星量產(chǎn)第八代V-NAND閃存

  • 據(jù)業(yè)內(nèi)消息，近期三星電子宣布已經(jīng)開始大規(guī)模量產(chǎn)236層3D NAND閃存芯片(第八代V-NAND閃存)。據(jù)悉，三星第八代V-NAND閃存芯片擁有高達(dá)2400MTps的傳輸速度，搭配高端主控使用可以讓消費(fèi)級SSD的傳輸速度達(dá)到直接越級的12GBps。三星電子表示，第八代V-NAND閃存會提供128GB+1TB的搭配方案，具體的細(xì)則比如芯片的大小和實(shí)際密度等數(shù)據(jù)并沒有做詳細(xì)介紹，但是三星電子表示其擁有業(yè)界最高的比特密度。官方表示，第八代V-NAND閃存芯片相比于現(xiàn)階段相同容量的閃存芯片可提高大約1/5的單晶生
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三星4nm芯片仍未達(dá)標(biāo)？Galaxy S23或全系標(biāo)配驍龍8 Gen 2

  • 據(jù)外媒報(bào)道，三星Galaxy S23系列手機(jī)將于2023年2月的首周正式推出。雖然三星通常在每年的2月底推出其名下的Galaxy S系列手機(jī)。但在今年推出Galaxy S22系列手機(jī)時(shí)，卻提前了幾周發(fā)布。因此S23系列或許也會跟今年的S22系列一樣，在2月的首周推出。Galaxy S23或全系標(biāo)配驍龍8 Gen 2據(jù)消息人士最新透露，與此前曝光的消息基本一致，三星將在其即將推出的Galaxy S23系列旗艦將全系標(biāo)配高通驍龍8 Gen 2處理器。高通公司首席財(cái)務(wù)官的一份文件中，相關(guān)人士表示Galaxy S
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三星和 SK 海力士瞄準(zhǔn)汽車半導(dǎo)體

  • IT之家 11 月 7 日消息，據(jù) BusinessKorea，隨著全球?qū)﹄妱悠囉酶咝阅馨雽?dǎo)體的需求的迅速增加，三星電子和 SK 海力士已逐漸將目光投向了汽車半導(dǎo)體領(lǐng)域。IT之家了解到，這兩家公司雖然在世界存儲器半導(dǎo)體市場上占據(jù)了第一和第二的位置，但在汽車半導(dǎo)體市場上并沒有太大的影響力。Strategy Analytics 數(shù)據(jù)顯示，以 2019 年的銷售額為標(biāo)準(zhǔn)，韓國在全球汽車半導(dǎo)體市場的占有率僅為 2.3%。在油車領(lǐng)域，車用半導(dǎo)體價(jià)格普遍較低，因此收益性較低，而且油車更換周期也普遍更長，可
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三星宣布量產(chǎn)第 8 代 V-NAND 閃存，PCIe 5.0 SSD 速度可超 12GBps

  • IT之家 11 月 7 日消息，雖然還沒有發(fā)布任何實(shí)際產(chǎn)品，但三星電子現(xiàn)宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)其 236 層 3D NAND 閃存芯片，該公司將其命名為第 8 代 V-NAND。新一代存儲芯片可帶來 2400MTps 的傳輸速度，當(dāng)搭配高端主控使用時(shí)，它可使得消費(fèi)級 SSD 的傳輸速度輕松超過 12GBps。據(jù)介紹，第 8 代 V-NAND 可提供 1Tb (128GB) 的方案，三星電子沒有公開 IC 的大小和實(shí)際密度，不過他們稱之為業(yè)界最高的比特密度。三星聲稱，與現(xiàn)有相同容量的閃存芯片相比，
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新思科技攜手三星，提升3nm移動、HPC和AI芯片設(shè)計(jì)PPA

  • 加利福尼亞州山景城2022年11月4日 /美通社/ -- 新思科技（Synopsys, Inc.，納斯達(dá)克股票代碼：SNPS）近日宣布，在雙方的長期合作中，三星晶圓廠（以下簡稱"三星"）已經(jīng)通過新思科技數(shù)字和定制設(shè)計(jì)工具和流程實(shí)現(xiàn)了多次成功的測試流片，從而更好地推動三星的3納米全環(huán)繞柵極（GAA）技術(shù)被采用于對功耗、性能和面積（PPA）要求極高的應(yīng)用中。此外，新思科技還獲得了三星的"最先進(jìn)工藝"認(rèn)證。與三星SF5E工藝相比，采用三星晶圓廠SF3技術(shù)的共同客戶將實(shí)現(xiàn)功
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俄烏沖突尚未結(jié)束，三星SK海力士加大半導(dǎo)體原材料國產(chǎn)化使用

  • 俄羅斯和烏克蘭是氖、氬、氪、氙等半導(dǎo)體原料氣體供應(yīng)大國，其中氖氣由烏克蘭供應(yīng)全球近七成產(chǎn)量，而俄羅斯惰性氣體供應(yīng)量占全球供應(yīng)總量的30%。隨著俄烏沖突爆發(fā)后，全球氖氣、氙氣等產(chǎn)量大減，全球芯片市場的供應(yīng)短缺問題加劇。為降低對進(jìn)口產(chǎn)品的依賴，韓國存儲器大廠三星和SK海力士都表示將大幅增加韓國本土生產(chǎn)的氣體。據(jù)韓國經(jīng)濟(jì)新聞報(bào)道，近日，三星表示，公司將與浦項(xiàng)鋼鐵（POSCO）一起推進(jìn)半導(dǎo)體核心材料氙氣的本土生產(chǎn)，目前該材料全部依賴進(jìn)口。目前，大多數(shù)韓國芯片制造商和微電子設(shè)備制造商依賴進(jìn)口氣體，這些氣體是生產(chǎn)3D
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尺寸最小+功耗最低，三星即將宣布MRAM重要突破

  • 據(jù)外媒報(bào)道，三星電子即將在國際電子器件會議（IEDM）上報(bào)告其在新一代非易失性存儲器件領(lǐng)域的最新研究進(jìn)展。會議接收的資料顯示，三星研究人員在14nm FinFET邏輯工藝平臺上實(shí)現(xiàn)了磁性隧道結(jié)堆疊的磁阻式隨機(jī)存取存儲器(MRAM)制造，據(jù)稱是目前世界上尺寸最小、功耗最低的非易失性存儲器。該團(tuán)隊(duì)采用三星28nm嵌入式MRAM，并將磁性隧道結(jié)擴(kuò)展到14nm FinFET邏輯工藝。三星研究人員將在12月召開的國際電子器件會議上就此進(jìn)行報(bào)告。論文中提到，該團(tuán)隊(duì)生產(chǎn)了一個(gè)獨(dú)立的存儲器，其寫入能量要求為每比特25pJ
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臺積電宣布聯(lián)手三星、ARM、美光等19個(gè)合作伙伴成立OIP 3D Fabric聯(lián)盟

  • 臺積電10月27日宣布，成立開放創(chuàng)新平臺（OIP）3D Fabric聯(lián)盟以推動3D半導(dǎo)體發(fā)展，目前已有三星、美光、SK海力士、日月光、ARM、新思科技、Advantest、世芯電子、Alphawave、Amkor、Ansys、Cadence、創(chuàng)意電子、IBIDEN、西門子、Silicon Creations、矽品精密工業(yè)、Teradyne、Unimicron19個(gè)合作伙伴同意加入。據(jù)悉，3DFabric聯(lián)盟成員能夠及早取得臺積電的3DFabric技術(shù)，使得他們能夠與臺積電同步開發(fā)及優(yōu)化解決方案，也
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三星(samsung)介紹

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