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IDT推出業(yè)界最低功耗低失真混頻器

  • 擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商 IDT? 公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 宣布，已推出針對 4G 無線基站的業(yè)界最低功耗低失真多樣化混頻器。
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IDT推出全球首款針對高性能應(yīng)用的壓電MEMS振蕩器

  • 擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商 IDT 公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 宣布，已推出全球首款針對高性能通信、消費、云和工業(yè)應(yīng)用的 CrystalFree 壓電MEMS(pMEMS)LVDS / LVPECL 振蕩器。IDT 的新型振蕩器可在緊湊業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)封裝中以遠(yuǎn)低于 1 皮秒的相位抖動運行，使其成為傳統(tǒng)六管腳晶體振蕩器(XO)的理想替代。
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IDT推出低功耗、高精度溫度傳感器

  • 擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商 IDT? 公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 宣布推出面向超低功耗固態(tài)硬盤應(yīng)用的全新精密溫度傳感器產(chǎn)品系列。新的器件系列可將功耗降至最低、優(yōu)化材料清單成本(BOM)，并與針對高容量內(nèi)存模塊的現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)保持兼容。
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IDT推出全球最先進(jìn)單相電能計量SoC

  • 擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商 IDT? 公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 宣布推出針對智能電網(wǎng)應(yīng)用的全球最先進(jìn)單相電能計量 SoC。該器件擁有業(yè)界最寬的動態(tài)范圍和前所未有的集成度，幫助智能電表制造商在提高精度的同時簡化設(shè)計并降低整個系統(tǒng)成本。
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IDT推出針對智能電網(wǎng)的全球最先進(jìn)單相電能計量SoC

  • 擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商 IDT 公司 (Integrated Device Technology, Inc.; ) 宣布推出針對智能電網(wǎng)應(yīng)用的全球最先進(jìn)單相電能計量 SoC。該器件擁有業(yè)界最寬的動態(tài)范圍和前所未有的集成度，幫助智能電表制造商在提高精度的同時簡化設(shè)計并降低整個系統(tǒng)成本。
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IDT推出單芯片無線電源發(fā)送器和接收器解決方案

  • 擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商 IDT? 公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 宣布，已推出全球首個真正的單芯片無線電源發(fā)送器和業(yè)界最高輸出功率的單芯片接收器解決方案。與現(xiàn)有解決方案相比，IDT 的高集成多模式發(fā)送器可減少 80% 的板面積和 50% 的解決方案材料清單(BOM)成本。更多功能的多模式接收器輸出功率為通常使用解決方案的兩倍，可將充電時間縮減一半。
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IDT推出最新系列低抖動SiGe VCSO產(chǎn)品

  • 擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商 IDT? 公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 宣布，已推出新的低抖動硅鍺(SiGe)聲表面(SAW)壓控振蕩器(VCSO)產(chǎn)品系列。新的產(chǎn)品系列與 IDT 備受歡迎的 M675 系列和高性能計時產(chǎn)品組合相得益彰，采用更高頻率低抖動振蕩器設(shè)計，從而滿足光纖電信應(yīng)用的嚴(yán)格要求。
  • 關(guān)鍵字： IDT  振蕩器  M675  

IDT推出首款FlatNoise雙中頻可變增益放大器

  • 擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商IDT? 公司(Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 宣布，已推出業(yè)界首款針對2G/3G/4G 無線基站多模式收發(fā)器的FlatNoise雙中頻(IF)可變增益放大器(VGA)。IDT 的器件針對最大增益提供業(yè)界最佳的噪聲系數(shù)(4dB)，當(dāng)增益降低時幾乎不會衰減，可改善服務(wù)質(zhì)量(QoS)并減少下行數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器的信噪比(SNR)要求，從而減少系統(tǒng)成本。
  • 關(guān)鍵字： IDT  轉(zhuǎn)換器  

IDT推出低功耗、低失真RF至IF混頻器

  • 擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商IDT公司 (Integrated Device Technology, Inc.; ) 宣布，已推出兩款面向手機(jī)基站設(shè)備的低功耗、低失真射頻(RF)至中頻(IF)混頻器以擴(kuò)展其模擬無線基礎(chǔ)設(shè)施產(chǎn)品組合。新的器件可改善系統(tǒng)三階互調(diào)(IM3)性能并減少功耗，從而實現(xiàn)改進(jìn)的服務(wù)質(zhì)量(QoS)和 4G 無線基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用中更小的附件和增強(qiáng)的可靠性。
  • 關(guān)鍵字： IDT  RF  混頻器  

IDT展示全球首款商用壓電MEMS振蕩器

  • 　　擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商 IDT? 公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 宣布，已開發(fā)并展示全球首款納入壓電微機(jī)電系統(tǒng)(pMEMS)諧振器的商用振蕩器。該振蕩器利用 pMEMS 諧振器與生俱來的高頻率，使其適合在任何應(yīng)用中替代傳統(tǒng)的石英振蕩器。 　　IDT 的 pMEMS 諧振器技術(shù)將壓電材料的強(qiáng)機(jī)電耦合與單晶硅的穩(wěn)定性和弱阻尼相結(jié)合，生成擁有無與倫比性能和可靠性的無源頻率源。
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IDT推出全球首款超低功耗CrystalFree CMOS振蕩器

  • 　　擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商 IDT 公司 (Integrated Device Technology, Inc.) ，推出業(yè)界首款擁有突破性 ±50 ppm 頻率精度和超低功耗的 CMOS 振蕩器。新器件代替了傳統(tǒng)的石英晶體振蕩器，在任何要求 ±50 ppm 時間基準(zhǔn)的廣泛應(yīng)用中，節(jié)省功耗高達(dá) 75%，包括計算、通信和消費市場。 　　IDT 新的 3LG 系列 CrystalFree CMOS 振蕩器確保 ±50
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IDT推出全球首款超低功耗CMOS振蕩器

  • 擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商IDT公司(IntegratedDeviceTechnology,Inc.)，推出業(yè)界首款擁有突破性±50ppm頻率精度和超低功耗的CMOS振蕩器。新器件代替了傳統(tǒng)的石英晶體振蕩器，在任何要求±50ppm時間基準(zhǔn)的廣泛應(yīng)用中，節(jié)省功耗高達(dá)75%，包括計算、通信和消費市場。
  • 關(guān)鍵字： IDT  CMOS振蕩器  CrystalFree  

IDT70V9289的典型應(yīng)用電路設(shè)計

  • IDT70V9289是IDT公司新推出的一款高速同步雙口靜態(tài)存儲器(SRAM)，可實現(xiàn)不同傳輸方式的雙路高速數(shù)據(jù)流的無損傳輸。文中詳細(xì)介紹該電路的結(jié)構(gòu)和原理，給出IDT70V9289的典型應(yīng)用電路及設(shè)計時應(yīng)注意的問題?！　? 引言　
  • 關(guān)鍵字： V9289  9289  IDT  70V    

IDT推出領(lǐng)先相位噪聲性能靈活頻率轉(zhuǎn)換器件

  • 　　擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商IDT?公司(IntegratedDeviceTechnology,Inc.;NASDAQ:IDTI)推出擁有行業(yè)領(lǐng)先相位噪聲性能、業(yè)界最靈活的通用頻率轉(zhuǎn)換器(UFT)。這些器件易于配置，允許不受輸入頻率的傳統(tǒng)整數(shù)或分?jǐn)?shù)倍數(shù)限制的輸出頻率，可用于大量的高性能應(yīng)用，包括通信線路卡、網(wǎng)絡(luò)接口、嵌入式系統(tǒng)和4G無線基站。 　
  • 關(guān)鍵字： IDT  頻率轉(zhuǎn)換器件  

IDT推出通用頻率轉(zhuǎn)換器

  • 擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商 IDT公司 (Integrated Device Technology) 推出擁有行業(yè)領(lǐng)先相位噪聲性能、業(yè)界最靈活的通用頻率轉(zhuǎn)換器 (UFT)。這些器件易于配置，允許不受輸入頻率的傳統(tǒng)整數(shù)或分?jǐn)?shù)倍數(shù)限制的輸出頻率，可用于大量的高性能應(yīng)用，包括通信線路卡、網(wǎng)絡(luò)接口、嵌入式系統(tǒng)和 4G 無線基站。
  • 關(guān)鍵字： IDT  UFT  840N202I  
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