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半導體市場今年迎向高規(guī)格之爭

  • 　　2015年由行動裝置帶動的高規(guī)格半導體之爭蓄勢待發(fā);行動應用處理器、LPDDR4、UFS(Universal Flash Storage;UFS)、三階儲存單元(Triple Level Cell;TLC)等新一代半導體需求增加，被視為半導體產業(yè)成長新動能。 　　據(jù)韓媒亞洲經(jīng)濟的報導，智慧型手機的功能高度發(fā)展，讓核心零組件如應用處理器(Application Processor;AP)、LPDDR4、UFS、TLC等下一代半導體的需求日漸增加。首先是AP從32位元進化到64位元，可望讓多工與資料處理
  • 關鍵字： 半導體  NAND Flash  LPDDR4  

NAND閃存下一步指向3D架構14納米

  • 　　存儲是電子產品中最重要的部分之一，它與數(shù)據(jù)相伴而生，哪里有數(shù)據(jù)，哪里就會需要存儲芯片。近年來，存儲芯片行業(yè)熱點話題不斷：3D NAND的生產制造進展情況如何?LPDDR4在市場上的應用進程是怎樣的?移動產品中eMCP將成為主流封裝形式嗎?存儲技術發(fā)展的路徑或許會爭論不休，但是整體方面卻不會改變，那就是更大的容量、更高的密度、更快的存儲速度、更加節(jié)能以及更低的成本。 　　2015年手機存儲市場 　　著眼用戶體驗提升 　　目前業(yè)界對于2015年中國智能手機市場走勢的預測很多，總的觀點是增長率放緩。當
  • 關鍵字： NAND  14納米  

2014年Q4品牌NAND供應商營收僅成長2%

  • 　　根據(jù)市場研究機構 TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 最新報告， 2014年第四季 NAND Flash 市況雖依舊維持健康水準，但在三星電子(Samsung)、東芝(Toshiba)與晟碟(SanDisk)各自面臨價格與產銷端的壓力影響營收、及第三 季呈現(xiàn)微幅衰退的情況下，品牌供應商營收僅較第三季成長2%至87.5億美元。 　　DRAMeXchange 研究協(xié)理楊文得表示，因需求端面臨淡季效應，2015年第一季整體市況將轉為供過于求，在價格滑落幅度轉趨明顯的情況下
  • 關鍵字： NAND  英特爾  三星  

淡季影響銷售，NAND Flash 供應商 Q1 將供過于求

  • 　　根據(jù) TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 最新報告顯示，第四季 NAND Flash 市況雖依舊維持健康水準，但在三星電子、東芝與晟碟各自面臨價格與產銷端的壓力影響營收、及第三季呈現(xiàn)微幅衰退的情況下，品牌供應商營收僅較第三季成長 2% 至 87.5 億美元。DRAMeXchange 研究協(xié)理楊文得表示，因需求端面臨淡季效應，2015 年第一季整體市況將轉為供過于求，在價格滑落幅度轉趨明顯的情況下，業(yè)者將藉由加速先進制程的轉進，改善成本架構，以減低價格跌幅的沖擊。 　
  • 關鍵字： NAND Flash  三星  東芝  

國際大廠找Mobile RAM貨源　敲開與臺廠合作大門

  • 　　存儲器廠持續(xù)在eMCP(eMMC結合MCP封裝)領域擴大進擊，繼東芝(Toshiba)與南亞科洽談策略聯(lián)盟，新帝(SanDisk)亦傳出首度來臺尋找移動式存儲器Mobile RAM合作伙伴，考慮與南亞科簽定長約或包下產能，顯示國際存儲器大廠亟欲尋找Mobile RAM貨源，并敲開與臺廠合作大門。 　　半導體業(yè)者透露，在三星電子和SK海力士主導下，智能型手機內建存儲器規(guī)格從eMMC轉為eMCP，原本NAND Flash芯片外加關鍵零組件Mobile RAM芯片，2015年東芝??新帝陣營將展開大反撲。
  • 關鍵字： NAND Flash  Mobile RAM  

NAND Flash價格續(xù)滑　難擺脫供給過剩困境

  • 　　由于MLC(Multi-Level Cell)NAND Flash供應量持續(xù)增加，造成價格連續(xù)兩個月下滑，業(yè)界預期若三星電子(Samsung Electronics)等業(yè)者提高TLC(Triple-Level Cell)NAND Flash生產比重，后續(xù)MLC產品價格下滑情況恐將更明顯。 　　根據(jù)韓媒DigitalTimes報導，由于USB、硬碟與記憶卡市場進入淡季，加上庫存堆積，導致NAND Flash價格走滑，市場供給過剩情況恐持續(xù)到農歷春節(jié)。業(yè)界認為目前NAND Flash下滑走勢雖大部分是受
  • 關鍵字： NAND Flash  三星  

無線應用成2015半導體市場最大增長動力

  • 　　2015年全球半導體行業(yè)收入預計將達3580億美元，較2014年增長5.4%，但仍然低于之前5.8%的增長預期。 　　半導體市場的增長動力包括智能手機專用標準電路ASSP，以及超移動PC和固態(tài)硬盤中使用的DRAM和NAND閃存芯片。 　　“由于DRAM恢復傳統(tǒng)的降價方式，而整個行業(yè)需要消耗假期的過多庫存，因此2015年的半導體收入增長可能較2014年的7.9%有所放緩。”業(yè)內人士認為，“由于供應短缺，DRAM價格在2014年基本保持堅挺，使之成為2014年增速最
  • 關鍵字： 物聯(lián)網(wǎng)  DRAM  NAND  

群聯(lián)砸3.8億 入股宇瞻

  • 　　儲存型快閃記憶體(NAND Flash)控制晶片大廠群聯(lián)(8299)昨(19)日宣布，參與記憶體模組廠宇瞻私募，將以每股25.38元、總金額3億8,070萬元，取得宇瞻9.9%股權，成為宇瞻最大法人股東，雙方將攜手沖刺工控應用固態(tài)硬碟(SSD)市場。 　　群聯(lián)昨股價上漲2.5元，收在214.5元;宇瞻下跌0.25元，以31.4元作收。 　　群聯(lián)斥資約3.8億元，取得宇瞻9.9%股權，成為最大法人股東。圖為群聯(lián)董事長潘健成。 本報系資料庫 　　分享 　　上述私募價格是采依過去30個交易日均價31
  • 關鍵字： 群聯(lián)  宇瞻  NAND Flash  

半導體事業(yè)關鍵時刻 救了三星的面子與里子

  • 　　三星電子(Samsung Electronics)日前發(fā)布2014年第4季暫定財報，營收止跌回升為52兆韓元(約478.8億美元)，其中半導體事業(yè)暨裝置解決方案(DS)事業(yè)部貢獻達一半以上，可說是最大功臣。 　　據(jù)韓媒ChosunBiz報導，三星電子在1月8日發(fā)布2014年第4季暫定財報，業(yè)績終于跌回升，營收為52兆韓元，營業(yè)利益達5.2兆韓元。 　　韓國KDB大宇證券推估，三星電子DS部門第4季貢獻營業(yè)利益約2.9兆韓元，比IT暨移動通訊(IM)事業(yè)部高出1兆韓元左右。第3季DS部門營業(yè)利益(2
  • 關鍵字： 蘋果  DRAM  NAND Flash  

Gartner：蓬勃的DRAM市場為內存制造商帶來增長

  • 　　Gartner發(fā)布初步統(tǒng)計結果，2014年全球半導體總營收為3398億美元，與2013年的3150億美元相比增長7.9%。前25大半導體廠商合并營收增長率為11.7%，優(yōu)于該產業(yè)整體表現(xiàn)。前25大廠商占整體市場營收的72.1%，比2013年的69.7%更高。 　　Gartner研究副總裁Andrew Norwood表示：“就群體來看，DRAM廠商的表現(xiàn)勝過半導體產業(yè)其他廠商。這股趨勢始于2013年DRAM市場因供給減少及價格回穩(wěn)雙重因素而蓬勃發(fā)展并持續(xù)至今，2014年營收也因而增長31.
  • 關鍵字： Gartner  DRAM  NAND  

三星2015年內量產48層V NAND　已著手研發(fā)64層產品

  • 　　三星電子(Samsung Electronics) 為與其他尚無法生產V NAND的競爭業(yè)者將技術差距拉大到2年以上，并在次世代存儲器芯片市場上維持獨大地位，計劃在2015年內量產堆疊48層Cell的3D垂直結構NAND Flash。 　　據(jù)首爾經(jīng)濟報導，三星近來已完成48層結構的V NAND研發(fā)，并著手研發(fā)后續(xù)產品64層結構V NAND。48層V NAND將于2015年內開始量產。原本韓國業(yè)界推測三星會在2015年下半完成48層V NAND，并在2016年才投入量產，然三星大幅提前了生產日程。
  • 關鍵字： 三星  NAND  Intel  

高交會上東芝引領閃存技術走向

  • 　　全球市場研究機構TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange的數(shù)據(jù)表明，東芝2014年會計年度第二季(7月~9月)的NAND Flash營運表現(xiàn)最亮眼，位出貨量季成長25%以上，營收較上季度成長23.7%。 　　東芝電子(中國)有限公司董事長兼總經(jīng)理田中基仁在日前的2014年高交會電子展上也透露，2014年東芝在中國的閃存生意非常好，在高交會電子展上展示的存儲技術和產品也是很有分量的，從MLC、MMC到SLC，都可以看到最新的產品，并且東芝的技術動向，也在引領未來閃存的發(fā)展趨勢。
  • 關鍵字： 東芝  NAND  閃存  3D  201501  

Spansion面向嵌入式市場推出新型工業(yè)級e.MMC NAND閃存產品

  • 　　不久前，Spansion宣布面向嵌入式系統(tǒng)的全新工業(yè)級e.MMC產品系列。眾所周知，Spansion于2012年推出了立足嵌入式應用的SLC NAND產品。至此，我們?yōu)镾LC NAND解決方案發(fā)展了一個強大的客戶群，而且我們還發(fā)現(xiàn)，這些客戶對嵌入式集中規(guī)模存儲解決方案的需求也越來越大。對于那些不僅僅是要購買一款“現(xiàn)成”產品的嵌入式客戶而言，Spansion全新的e.MMC系列產品是一個完美的選擇。 　　   　　作為Spansion第一款管理型NAND產品系
  • 關鍵字： Spansion  NAND  

海力士前高層加入慧榮　SSD大戰(zhàn)鳴槍

  • 　　固態(tài)硬碟(SSD)戰(zhàn)火正熱，持續(xù)成為2015年產業(yè)焦點，NAND Flash控制芯片業(yè)者為了布局上游半導體大廠，使出渾身解數(shù)綁樁，傳出慧榮將延攬前SK海力士(SK Hynix)的Solution Development Division資深副總Gi Hyun Bae擔任公司高層。 　　慧榮一向和SK海力士合作緊密，雙方合作內嵌式存儲器eMMC業(yè)務外，有機會延伸至SSD產品線上，2015年更是關鍵年，慧榮內部極度重視SSD產品線，立下通吃NAND Flash大廠和存儲器模組兩大族群的目標，看好公司營運
  • 關鍵字： SSD  NAND Flash  SK海力士  

NAND閃存將被RRAM顛覆？存儲器市場暗潮涌動

  • 　　NAND閃存已經(jīng)成為固態(tài)存儲的霸主，不過它也存在諸多問題，尤其是壽命隨著工藝的先進化而不斷縮短，TLC格式也引發(fā)了諸多質疑，因此研發(fā)一種可取而代之的新式非易失性存儲技術勢在必行。 　　從FRAM到相變式存儲器，新選手不斷涌現(xiàn)，但目前還未能挑戰(zhàn)NAND的地位。直到最近，名為電阻式RAM的新貴出現(xiàn)了，它最被看好，三星、閃迪等巨頭都在投入，不過，走在最前列的是一家美國創(chuàng)業(yè)公司Crossbar。 　　RRAM相較于NAND最大的優(yōu)勢就是更好的性能、壽命。NAND的讀取延遲一般在幾百微妙級別，Crossba
  • 關鍵字： NAND  三星  閃迪  
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