首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> mosfet

功率MOSFET數(shù)據(jù)表深入分析

  • 本文不準備寫成一篇介紹功率MOSFET的技術大全,只是讓讀者去了解如何正確的理解功率MOSFET數(shù)據(jù)表中的常用主要參數(shù),以幫助設計者更好的使用功率MOSFET進行設計?！　?shù)據(jù)表中的參數(shù)分為兩類:即最大額定值和電氣特性值。
  • 關鍵字： MOSFET  數(shù)據(jù)表  分析    

飛兆半擴展PowerTrench MOSFET系列

  • 提升功率密度和輕載效率是服務器、電信和AC-DC電源設計人員的主要考慮問題。此外，這些開關電源(SMPS)設計中的同步整流需要具有高性價比的電源解決方案，以便最大限度地減小線路板空間，同時提高效率和降低功耗。
  • 關鍵字： 飛兆  MOSFET  

空間受限型應用中的PMBus熱插拔電路介紹

IR推出優(yōu)化版車用功率MOSFET產(chǎn)品

  • 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出具備低導通電阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535車用功率MOSFET，適用于汽油和柴油發(fā)動機壓電噴射系統(tǒng)。
  • 關鍵字： IR  MOSFET  

詳細介紹如何運用MOSFET實現(xiàn)完美安全系統(tǒng)

  • 汽車上許多組建的多元應用，從車上的燈泡到繼電器、從LED顯示照明到啟動馬達，不僅提供了各式各樣的高負載型、低成本效益的解決方案，也兼具了注重安全性汽車所必須的通訊和診斷能力。因此，設計人員為了增加車上電子
  • 關鍵字： MOSFET  詳細介紹  如何運用  安全系統(tǒng)    

MOSFET驅動器及功耗計算介紹

  • 我們先來看看MOS關模型：



    Cgs：由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的，其電容值是由實際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。
    Cgd：是兩個不同作用的結果。第一JFET區(qū)域和門電極的重疊，第二是
    耗盡區(qū)電容
  • 關鍵字： MOSFET  驅動器  功耗計算    

提升電源轉換效率的自定時電壓檢測同步MOSFET控制方案

  • 標簽：電源 諧振轉換器 高壓電源 直流電源 MOSFET現(xiàn)代電子設備功能越來越多，設備功能的高功耗對環(huán)境的影響也越來越大。提高電源效率是降低功耗的方法之一。諧振拓撲具有較高效率，很多大功率消費電子產(chǎn)品和計算機
  • 關鍵字： 同步  MOSFET  控制  方案  檢測  電壓  電源  轉換  效率  定時  

功率器件的新時代汽車電子功率MOSFET技術

  • 過去15到20年間，汽車用功率MOSFET已從最初的技術話題發(fā)展到蓬勃的商業(yè)領域。選用功率MOSFET是因為其能夠耐受汽車電子系統(tǒng)中常遇到的掉載和系統(tǒng)能量突變等引起的瞬態(tài)高壓現(xiàn)象，且其封裝簡單，主要采用TO220 和 TO247
  • 關鍵字： MOSFET  功率器件  汽車電子    

MOSFET雙峰效應的評估方法簡介

  • 金屬氧化物半導體場效應晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)是由一個金氧半(MOS)二機體和兩個與其緊密鄰接的P-n接面(p-n junction)所組成。自從在1960年首次證明后，MOSFET快速的發(fā)展
  • 關鍵字： MOSFET  雙峰效  方法    

瑞薩電子推出新款超級結MOSFET

  • 瑞薩電子公司 (TSE: 6723)，高級半導體解決方案的主要供應商，日前宣布推出三款新型超級結金屬氧化物場效應三極管(超級結MOSFET)，具有如下的特點：600V功率半導體器件中的導通電阻X柵極電荷，適用于高速電機驅動、DC-DC轉換器和DC-AC逆變器應用。
  • 關鍵字： 瑞薩  MOSFET  

MOSFET驅動器及功耗計算方法

  • 我們先來看看MOS關模型：



    Cgs：由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的，其電容值是由實際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。
    Cgd：是兩個不同作用的結果。第一JFET區(qū)域和門電極的重疊，第二是
    耗盡區(qū)電容
  • 關鍵字： MOSFET  驅動器  功耗計算  方法    

Vishay推出新款8V N溝道TrenchFET 功率

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。該器件采用占位面積2mm x 2mm的熱增強型PowerPAK? SC-70封裝，具有N溝道器件中最低的導通電阻。
  • 關鍵字： Vishay  MOSFET  SiA436DJ  

高效能低電壓Power MOSFET及其參數(shù)與應用

  • 前言近年來，產(chǎn)業(yè)的發(fā)展、有限的資源及日益嚴重的地球暖化現(xiàn)象，促使環(huán)保節(jié)能的觀念逐漸受到重視，更造...
  • 關鍵字： 高效能  Power  MOSFET  

MHP技術在鋰電池電路保護中的應用

  • 鋰離子電池的先進技術使得高能量的鋰離子電池具備更高的能量密度和更輕的重量，可以取代諸如電動工具、電...
  • 關鍵字： MHP技術  鋰電池  電路保護  MOSFET  
共1275條 53/85 |‹ « 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 » ›|

mosfet介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條 mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對 mosfet的理解，并與今后在此搜索 mosfet的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473