安森美半導(dǎo)體推出硅技術(shù)的 PNP 與 NPN 器件

安森美半導(dǎo)體推出采用先進(jìn)硅技術(shù)的 PNP 與 NPN 器件，豐富了其業(yè)界領(lǐng)先的低 Vce(sat) 雙極結(jié)晶體管 (BJT) 產(chǎn)品系列。這兩種新型晶體管與傳統(tǒng)的 BJT 或平面 MOSFET相比，不僅實(shí)現(xiàn)了能效的最大化，而且還延長了電池的使用壽命。最新的低 Vce(sat) BJT 包括WDFN、SOT-23、SOT-223、SOT-563、ChipFET 及 SC-88等多種封裝形式，非常適用于多種便攜式應(yīng)用。

安森美半導(dǎo)體分立產(chǎn)品部副總裁兼總經(jīng)理 Mamoon Rashid 指出：“安森美半導(dǎo)體提供目前市場上最豐富的高性能 BJT 選擇。我們的 Vce(sat) BJT 是低功率耗損和高散熱性能領(lǐng)域的領(lǐng)先產(chǎn)品，為電源控制提供了非常經(jīng)濟(jì)的解決方案。這種器件非常適用于移動電話和汽車等多種開關(guān)應(yīng)用 (strategic switch)，為設(shè)計(jì)人員提供高性價(jià)比的解決方案，從而有助于他們推出領(lǐng)先的產(chǎn)品?！?

安森美半導(dǎo)體最新推出的 NSSxxx 低 Vce(sat) 表面貼裝器件專為對能效控制要求極為嚴(yán)格的低壓轉(zhuǎn)換應(yīng)用而設(shè)計(jì)。電流為1 A時(shí)，該器件可提供45 mV的超低飽和電壓及300倍的電流增益。這種低 Vce(sat) BJT 還提供超過8 kV的較高的靜電放電 (ESD) 容差，因此能在突發(fā)浪涌情況下自我保護(hù)，避免受損。由于實(shí)現(xiàn)了出色的電氣性能及較低的溫度系數(shù)，因此這種器件可提高能效，在無需額外 ESD 保護(hù)電路就能實(shí)現(xiàn)更好的電池節(jié)能。相對于 MOSFET而言，這種器件比較適中的開關(guān)速度降低了噪聲諧波，因此更適于需要控制電磁干擾(EMI)的應(yīng)用。  

安森美半導(dǎo)體的低 Vce(sat) BJT 系列產(chǎn)品采用多種業(yè)界領(lǐng)先的封裝，包括SOT-23、SOT-223、SOT-563、WDFN3、WDFN6、ChipFET、SC-88、SC74和TSOP6等。每10,000片的批量單價(jià)為0.14～0.27美元。

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