Intel研發(fā)新技術(shù)　45nmCPU無鉛生產(chǎn)

根據(jù)HKEPC的報(bào)道，Intel公司正式宣布，由新一代high-k金屬閘極 (high-k metal gate) 45nm制程開始，未來Intel處理器均采用100% 無鉛設(shè)計(jì)，預(yù)計(jì)將于今年下半年開始量產(chǎn)。Intel副總裁、技術(shù)與制造事業(yè)群組裝測(cè)試技術(shù)開發(fā)總監(jiān) Nasser Grayeli 表示，Intel爾正積極朝協(xié)助環(huán)境永續(xù)發(fā)展而努力，包含了全面采用無鉛制程、重視產(chǎn)品能源效率運(yùn)用、減少?gòu)U氣排放，以及大規(guī)?；厥赵倮盟Y源與制造材料等。 

　　據(jù)了解，由于鉛可能影響環(huán)境和公眾健康，但數(shù)十年以來，電子零組件持續(xù)使用鉛的原因是因?yàn)樗邆溥m當(dāng)?shù)碾姎夂蜋C(jī)械特性，要尋找能滿足效能和可靠性需求的鉛替代材料是一大科學(xué)及技術(shù)挑戰(zhàn)。為此，Intel針對(duì)過往仍存于處理器封裝之內(nèi)部連接點(diǎn) (interconnect) 第一層內(nèi)之5% (約0.02公克) 的含鉛焊錫 (lead solder)，或以錫、銀、銅合金 (tin/silver/copper alloy) 取代以鉛/錫為主的焊錫。由于Intel先進(jìn)硅晶技術(shù)含有復(fù)雜的連接結(jié)構(gòu)，必須投入大量的工程資源，才能使Intel處理器封裝完全不使用鉛，并推動(dòng)整合新的焊錫合金系統(tǒng)。 

　　無論是采用何種封裝設(shè)計(jì)，包括PGA (pin grid array)、BGA (ball grid array) 和LGA (land grid array) 等方式，Intel45 nm Hi-k技術(shù)均將100%使用無鉛設(shè)計(jì)。Intel也將于2008年將65nm制程所制造的芯片組產(chǎn)品全面改采100% 無鉛技術(shù)。