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電子設(shè)計基礎(chǔ)(二):電容

作者: 時間:2015-11-21 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

  三、常用

本文引用地址:http://2s4d.com/article/283157.htm

  1、 鋁電解

  用浸有糊狀電解質(zhì)的吸水紙夾在兩條鋁箔中間卷繞而成,薄的化氧化膜作介質(zhì)的器。因?yàn)檠趸び袉蜗驅(qū)щ娦再|(zhì),所以電解電容器具有極性。容量大,能耐受大的脈動電流,容量誤差大,泄漏電流大;普通的不適于在高頻和低溫下應(yīng)用,不宜使用在25kHz 以上頻率低頻旁路、信號耦合、電源濾波。

  電容量:0.47--10000u

  額定電壓:6.3--450V

  主要特點(diǎn):體積小,容量大,損耗大,漏電大

  應(yīng)用:電源濾波,低頻耦合,去耦,旁路等

  2、 鉭電解電容器(CA)鈮電解電容(CN)

  用燒結(jié)的鉭塊作正極,電解質(zhì)使用固體二氧化錳溫度特性、頻率特性和可靠性均優(yōu)于普

  通電解電容器,特別是漏電流極小,貯存性良好,壽命長,容量誤差小,而且體積小,單位體積下能得到最大的電容電壓乘積對脈動電流的耐受能力差,若損壞易呈短路狀態(tài)超小型高可靠機(jī)件中。

  電容量:0.1--1000u

  額定電壓:6.3--125V

  主要特點(diǎn):損耗、漏電小于鋁電解電容

  應(yīng)用:在要求高的電路中代替鋁電解電容

  3、 薄膜電容器

  結(jié)構(gòu)與紙質(zhì)電容器相似,但用聚脂、聚苯乙烯等低損耗塑材作介質(zhì)頻率特性好,介電損

  耗小不能做成大的容量,耐熱能力差濾波器、積分、振蕩、定時電路。

  a 聚酯(滌綸)電容(CL)

  電容量:40p--4u

  額定電壓:63--630V

  主要特點(diǎn):小體積,大容量,耐熱耐濕,穩(wěn)定性差

  應(yīng)用:對穩(wěn)定性和損耗要求不高的低頻電路

  b 聚苯乙烯電容(CB)

  電容量:10p--1u

  額定電壓:100V--30KV

  主要特點(diǎn):穩(wěn)定,低損耗,體積較大

  應(yīng)用:對穩(wěn)定性和損耗要求較高的電路

  c 聚丙烯電容(CBB)

  電容量:1000p--10u

  額定電壓:63--2000V

  主要特點(diǎn):性能與聚苯相似但體積小,穩(wěn)定性略差

  應(yīng)用:代替大部分聚苯或云母電容,用于要求較高的電路

  4、 瓷介電容器

  穿心式或支柱式結(jié)構(gòu)瓷介電容器,它的一個電極就是安裝螺絲。引線電感極小,頻率特

  性好,介電損耗小,有溫度補(bǔ)償作用不能做成大的容量,受振動會引起容量變化特別適于高頻旁路。

  a 高頻瓷介電容(CC)

  電容量:1--6800p

  額定電壓:63--500V

  主要特點(diǎn):高頻損耗小,穩(wěn)定性好

  應(yīng)用:高頻電路

  b 低頻瓷介電容(CT)

  電容量:10p--4.7u

  額定電壓:50V--100V

  主要特點(diǎn):體積小,價廉,損耗大,穩(wěn)定性差

  應(yīng)用:要求不高的低頻電路

  5、 獨(dú)石電容器

  (多層陶瓷電容器)在若干片陶瓷薄膜坯上被覆以電極槳材料,疊合后一次繞結(jié)成一塊不可分割的整體,外面再用樹脂包封而成小體積、大容量、高可靠和耐高溫的新型電容器,高介電常數(shù)的低頻獨(dú)石電容器也具有穩(wěn)定的性能,體積極小,Q 值高容量誤差較大噪聲旁路、濾波器、積分、振蕩電路。

  容量范圍:0.5PF--1UF

  耐壓:二倍額定電壓。

  電容量大、體積小、可靠性高、電容量穩(wěn)定,耐高溫耐濕性好等。

  應(yīng)用范圍:廣泛應(yīng)用于電子精密儀器。各種小型電子設(shè)備作諧振、耦合、濾波、旁路。

  6、 紙質(zhì)電容器

  一般是用兩條鋁箔作為電極,中間以厚度為0.008~0.012mm 的電容器紙隔開重疊卷繞而成。制造工藝簡單,價格便宜,能得到較大的電容量。

  一般在低頻電路內(nèi),通常不能在高于3~4MHz 的頻率上運(yùn)用。油浸電容器的耐壓比普通紙質(zhì)。電容器高,穩(wěn)定性也好,適用于高壓電路。

  7、 微調(diào)電容器

  電容量可在某一小范圍內(nèi)調(diào)整,并可在調(diào)整后固定于某個電容值。 瓷介微調(diào)電容器的Q 值高,體積也小,通??煞譃閳A管式及圓片式兩種。 云母和聚苯乙烯介質(zhì)的通常都采用彈簧式東,結(jié)構(gòu)簡單,但穩(wěn)定性較差。 線繞瓷介微調(diào)電容器是拆銅絲〈外電極〉來變動電容量的,故容量只能變小,不適合在需反復(fù)調(diào)試的場合使用。

  a 空氣介質(zhì)可變電容器

  可變電容量:100--1500p

  主要特點(diǎn):損耗小,效率高;可根據(jù)要求制成直線式、直線波長式、直線頻率式及對數(shù)式等

  應(yīng)用:電子儀器,廣播電視設(shè)備等

  b 薄膜介質(zhì)可變電容器

  可變電容量:15--550p

  主要特點(diǎn):體積小,重量輕;損耗比空氣介質(zhì)的大

  應(yīng)用:通訊,廣播接收機(jī)等

  c 薄膜介質(zhì)微調(diào)電容器

  可變電容量:1--29p

  主要特點(diǎn):損耗較大,體積小

  應(yīng)用:收錄機(jī),電子儀器等電路作電路補(bǔ)償

  d 陶瓷介質(zhì)微調(diào)電容器

  可變電容量:0.3--22p

  主要特點(diǎn):損耗較小,體積較小

  應(yīng)用:精密調(diào)諧的高頻振蕩回路

  8、 陶瓷電容器

  用高介電常數(shù)的電容器陶瓷〈鈦酸鋇一氧化鈦〉擠壓成圓管、圓片或圓盤作為介質(zhì),并用燒滲法將銀鍍在陶瓷上作為電極制成。它又分高頻瓷介和低頻瓷介兩種。 具有小的正電容溫度系數(shù)的電容器,用于高穩(wěn)定振蕩回路中,作為回路電容器及墊整電容器。低頻瓷介電容器限于在工作頻率較低的回路中作旁路或隔直流用,或?qū)Ψ€(wěn)定性和損耗要求不高的場合〈包括高頻在內(nèi)〉。這種電容器不宜使用在脈沖電路中,因?yàn)樗鼈円子诒幻}沖電壓擊穿。高頻瓷介電容器適用于高頻電路。

  9、 玻璃釉電容器(CI)

  由一種濃度適于噴涂的特殊混合物噴涂成薄膜而成,介質(zhì)再以銀層電極經(jīng)燒結(jié)而成“獨(dú)石”結(jié)構(gòu)性能可與云母電容器媲美,能耐受各種氣候環(huán)境,一般可在200℃或更高溫度下工作,額定工作電壓可達(dá)500V,損耗tgδ0.0005~0.008

  電容量:10p--0.1u

  額定電壓:63--400V

  主要特點(diǎn):穩(wěn)定性較好,損耗小,耐高溫(200 度)

  應(yīng)用:脈沖、耦合、旁路等電路

  四、電容器主要特性參數(shù)

  1、 標(biāo)稱電容量和允許偏差

  標(biāo)稱電容量是標(biāo)志在電容器上的電容量。

  電容器實(shí)際電容量與標(biāo)稱電容量的偏差稱誤差,在允許的偏差范圍稱精度。

  精度等級與允許誤差對應(yīng)關(guān)系:00(01)-±1%、0(02)-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、 Ⅳ-(+20%-10%)、Ⅴ-(+50%-20%)、Ⅵ-(+50%-30%)

  一般電容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ級,電解電容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ級,根據(jù)用途選取。

  2、額定電壓

  在最低環(huán)境溫度和額定環(huán)境溫度下可連續(xù)加在電容器的最高直流電壓有效值,一般直接標(biāo)注在電容器外殼上,如果工作電壓超過電容器的耐壓,電容器擊穿,造成不可修復(fù)的永久損壞。

  3、絕緣電阻

  直流電壓加在電容上,并產(chǎn)生漏電電流,兩者之比稱為絕緣電阻。

  當(dāng)電容較小時,主要取決于電容的表面狀態(tài),容量〉0.1uf 時,主要取決于介質(zhì)的性能,絕緣電阻越大越好。

  電容的時間常數(shù):為恰當(dāng)?shù)脑u價大容量電容的絕緣情況而引入了時間常數(shù),他等于電容的絕緣電阻與容量的乘積。

  4、損耗

  電容在電場作用下,在單位時間內(nèi)因發(fā)熱所消耗的能量叫做損耗。各類電容都規(guī)定了其在某頻率范圍內(nèi)的損耗允許值,電容的損耗主要由介質(zhì)損耗,電導(dǎo)損耗和電容所有金屬部分的電阻所引起的。

  在直流電場的作用下,電容器的損耗以漏導(dǎo)損耗的形式存在,一般較小,在交變電場的作用下,電容的損耗不僅與漏導(dǎo)有關(guān),而且與周期性的極化建立過程有關(guān)。

  5、頻率特性

  隨著頻率的上升,一般電容器的電容量呈現(xiàn)下降的規(guī)律。

 



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