一種軟啟動(dòng)與防反接保護(hù)電路

作者：聶劍時(shí)間：2015-02-11 來源：電子產(chǎn)品世界

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編者按：　　摘要：在很多消費(fèi)電子設(shè)備中用到了軟啟動(dòng)電路與防反接電路，其保護(hù)作用非常顯著。多數(shù)的設(shè)計(jì)中，這兩種電路獨(dú)立存在，或者僅有一種保護(hù)電路，導(dǎo)致部分保護(hù)功能缺失或者電路設(shè)計(jì)復(fù)雜。本設(shè)計(jì)提出一種設(shè)計(jì)方法，同時(shí)實(shí)現(xiàn)軟啟動(dòng)與防反接保護(hù)功能，且電路簡單。　　軟啟動(dòng)與防反接保護(hù)電路對(duì)電子設(shè)備有很好的保護(hù)作用，由于消費(fèi)電子客戶存在多次開關(guān)機(jī)的應(yīng)用場(chǎng)景和輸入接反的可能性。但是由于成本與電路設(shè)計(jì)的復(fù)雜性，很多設(shè)計(jì)中只提供了一種保護(hù)電路。本文基于提供全面保護(hù)與降低成本、降低設(shè)計(jì)復(fù)雜性的角度，提出一種電路，整合了軟啟動(dòng)與防反

　　4.1.2. 二極管橋防反接保護(hù)電路

本文引用地址：http://2s4d.com/article/269825.htm

　　此方式是從二極管防反接電路演變而來的，電路圖見圖6。

　　此電路中利用二極管構(gòu)成二極管橋堆，輸入電壓極性無論如何變化，輸出電壓的極性保持不變，即便是輸入電壓極性接反，設(shè)備也能正常工作。從工作原理看，相當(dāng)于電源輸入的兩個(gè)極性上均接有防反接二極管，故其比單個(gè)二極管防反接電路的效率低，成本稍高。需要注意輸入輸出的參考地不相同。

　　4.2 MOSFET防反接保護(hù)電路

　　利用MOSFET設(shè)計(jì)防反接保護(hù)，也分為P溝道與N溝道兩種，下面分別介紹：

　　4.2.1 N溝道MOSFET防反接電路

　　利用N溝道MOSFET設(shè)計(jì)的防反接保護(hù)電路，電路圖見圖7。

　　當(dāng)輸入電壓正常接入時(shí)，電流從輸入正極流入，流經(jīng)電阻R1、R2，經(jīng)過Q1的體二極管流回輸入端。Q1柵極源極之間電壓即為電阻R2上的分壓，選擇適當(dāng)?shù)腞1、R2值，滿足Q1飽和導(dǎo)通。當(dāng)輸入電壓極性接反時(shí)，Q1的體二極管反向截止，由于沒有電流回路，柵極源極之間電壓無偏置電壓，Q1不能導(dǎo)通，輸出端無電壓輸出，設(shè)備不工作。需要注意兩點(diǎn)：Q1的體二極管參與電阻R1、R2的分壓;輸入輸出的參考地不相同。

　　4.2.2 P溝道MOSFET防反接電路

　　利用P溝道MOSFET設(shè)計(jì)的防反接保護(hù)電路，電路圖見圖8。

　　當(dāng)輸入電壓正常接入時(shí)，電流從輸入正極流入，流經(jīng)Q1體二極管，經(jīng)過R1、R2流回輸入端。Q1上柵極源極之間電壓即為R1的分壓，選擇適當(dāng)?shù)腞1、R2值，Q1最終工作在飽和狀態(tài)。當(dāng)輸入極性接反時(shí)，由于Q1的體二極管截止，無電流回路，柵極源極之間電壓無電壓偏置，Q1不能導(dǎo)通。需要注意，Q1的體二極管參與電阻R1、R2的分壓。

　　5 一種軟啟動(dòng)與防反接電路

　　實(shí)際應(yīng)用中經(jīng)常需要同時(shí)使用軟啟動(dòng)與防反接保護(hù)，可以考慮將兩種保護(hù)電路整合在一起，下面給出一種整合方式供大家參考，分為N溝道MOSFET與P溝道MOSFET兩種。

　　5.1 N溝道MOSFET整合

　　N溝道MOSFET整合后的軟啟動(dòng)與防反接保護(hù)電路，電路圖見圖9。