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詳解TINY6410硬件電路設計之二

作者:Machinnneee 時間:2015-01-16 來源:電子產品世界 收藏


K4X1G163PE芯片接口

本文引用地址:http://2s4d.com/article/268241.htm

  從K4X1G163PE的數(shù)據(jù)手冊中可以知道,該為16位寬的,為完成32位數(shù)據(jù)的傳輸(6410為32位處理器哦)將兩片并聯(lián)使用。

  在原理圖中最明顯的一個是退耦電容的使用,每個vdd管腳旁邊都有一個104的電容,這在設計中顯得很重要。

  首先分析數(shù)據(jù)位,6410的32位數(shù)據(jù)分為高地位傳送至,因此U12和U3的DQ分別對應32位數(shù)據(jù)的高16位和低16位。

  其次來看地址位:該SDRAM為64M的大小(由于6410已經有sdram控制器)因此不需要進行管腳的移動。此時只需要連接好合適的管腳即可。將6410的低12位連接值SDRAM的A0-A12即可。

  BA0~BA1代表了SDRAM的最高地址位,需要將地址線的14和15與之相連,這時需要注意沒有使用到13管腳,因此將其與SDRAM的NC管腳連接。這與沒有SDRAM控制器的2440設計有著天壤之別,在2440中需要考慮位寬,片子位寬和片子個數(shù)等因素。這就是科技對我們電子工程師最明顯的一個優(yōu)待。

  剩余的就是數(shù)據(jù)和地址的屏蔽位和控制管腳,這與6410的相關管腳連接即可。至于片選和使能管腳,也是簡單的連接。

  Tiny6410的板子的SDRAM使用參考電壓為1.8V,供電電路采用XC9216A18CMR典型1.8V電源管理芯片。這里面的測試點TP4也是我們電子工程師需要注意的小技巧。

  硬件電路已經完成,那么剩下的就是軟件的編程與實現(xiàn)。

  難點就在編程上,不過還好三星已經給出了bootloader的源程序,通過對比可以完成裸機的程序編寫。

  如果你沒有明白,請在論壇或者回復中留下郵箱,我將發(fā)送裸機測試程序。

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關鍵詞: TINY6410 SDRAM NANDFLASH

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