基于TMS320C6201DSP處理器與FLASH存儲器接口系統(tǒng)設(shè)計

單電源3．0V讀、編程寫入、擦除；
與JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的命令集和引腳分布兼容；
增加了快速編程寫人命令，寫入僅需兩個總線周期；
具有至少100 000次的編程寫入／擦寫壽命；
靈活的扇區(qū)結(jié)構(gòu)支持整片內(nèi)容擦除、任一扇區(qū)內(nèi)容擦除、相連續(xù)的多扇區(qū)內(nèi)容并行擦除；
具有嵌入式編程寫入算法，可自動寫入和驗證寫入地址的數(shù)據(jù)；
具有嵌入式擦除算法，可自動預(yù)編程和擦除整個芯片或任一扇區(qū)的內(nèi)容；
具有數(shù)據(jù)查尋位和切換位，可以通過軟件查尋方法檢測編程寫入／擦除操作的狀態(tài)；
具有RY／*BY管腳，可以通過硬件方法檢測編程寫入／擦除操作的狀態(tài)；
自動休眠功能，當(dāng)?shù)刂繁３址€(wěn)定時，自動轉(zhuǎn)入低功耗模式；
具有低電壓禁止寫入功能；
具有擦除暫停／擦除恢復(fù)功能，

2．2 MBM29LV800BA的主要命令及嵌入式算法

MBM29LV800BA的編程寫入及擦除命令如表2所示。其中，X為十六進(jìn)制數(shù)字的任意值，RA為被讀數(shù)據(jù)的FLASH地址，RD為從FLASH地址RA讀出的數(shù)據(jù)，PA為寫編程命令字的FLASH地址，PD為編程命令宇，SA為被擦除內(nèi)容的扇區(qū)地址。 MBM29LV800BA具有嵌入式編程寫入和擦除算法機構(gòu)，當(dāng)向FLASH寫入數(shù)據(jù)內(nèi)容或擦除其扇區(qū)內(nèi)容時，需要根據(jù)相應(yīng)的算法編程才能完成。其編程擦除算法流程為：首先寫編程擦除命令序列；然后運行數(shù)據(jù)測試算法以確定擦除操作完成；其編程寫入算法流程為：程序開始，首先驗證寫入扇區(qū)是否為空，不空則運行擦除算法；然后運行編程寫入算法，寫編程寫入命令序列，再運行數(shù)據(jù)測試算法或查詢RY／*BY管腳信號以確定該次操作完成。地址增1繼續(xù)上述過程，否則結(jié)束操作；數(shù)據(jù)測試算法主要是測試DQ7和DQ5位的數(shù)據(jù)變化，以確定泫次操作是進(jìn)行中、完成、還是失敗。

3 C6201／6701與FLASH的接口設(shè)計

基于C6000系列DSP處理器的嵌入式系統(tǒng)往往采用地址映射方式為MAPl的ROM引導(dǎo)方式。這種方式是把開發(fā)成功的敝入式可執(zhí)行程序燒寫在CEl空間(從0~01400000地址開始的ROM存儲器)中，并根據(jù)引導(dǎo)方式設(shè)置相應(yīng)的引導(dǎo)模式管腳BOOTMODE[4：0]。這樣，當(dāng)嵌入式系統(tǒng)上電工作時，從復(fù)位信號的上升沿開始，輔助DMA把執(zhí)行程序從引導(dǎo)ROM中移至片上程序存儲船中，然后在片上程序存儲器開始執(zhí)行程序。這種方式呵充分發(fā)揮C6000系列DSP的并行結(jié)構(gòu)特點，具有最好的執(zhí)行性能。當(dāng)引導(dǎo)ROM器件采用FLASH存儲器MBM29LV800BA時，C6201／C6701與FLASH存儲器以8位方式連接的接口設(shè)計如圖3所示。FLASH的地址線[A-1，A0，…A18]與DSP的EMIF接口地址線[EA2，EA 3+…，EA21]直接相連；FLASH的低8位數(shù)據(jù)線DQ[0：7]與EMIF接口數(shù)據(jù)線[ED0，…，ED7]直接相連，高8位數(shù)據(jù)線DQ[8：15]不連接；讀寫使能信號可直接相連；EMIF接口的片選信號／CEl與字節(jié)使能信號／BE0相與后與FLASH的片選信號相連；FLASH的方式信號／BYTE接地；由于EMIF接口的ARDY信號為低時，DSP自動插入等待時鐘周期，因此，F(xiàn)LASH的就緒或忙RY／*BY信號經(jīng)上拉電阻直接與ARDY信號相連，這種設(shè)計使FLASH的編程寫操作可不運行數(shù)據(jù)測試算法，大大簡化了程序設(shè)計；C6201／C6701與FLASH以16位或32位方式相連咱6接口設(shè)計與8位方式類似。

4 引導(dǎo)程序開發(fā)實現(xiàn)過程

C6000系列DSP的引導(dǎo)程序開發(fā)實現(xiàn)不能一步完成，它需要一系列的實現(xiàn)步驟：首先，在硬件設(shè)計的同時，可在C6000系列DSP的集成開發(fā)環(huán)境CCS中，用C語言和匯編語言編寫應(yīng)用程序USAGE．C，通過編譯、連接查找、修正原程序中的錯誤，生成COFF格式的可執(zhí)行文件USAGE．OUT；其次，當(dāng)硬件設(shè)計成功時，利用仿真器加載軟件程序USAGE．OUT到硬件系統(tǒng)中調(diào)試驗證軟件程序，直至程序無錯誤；然后，編寫、加載鏈接指令文件Link．crud，重新編譯、鏈接軟件程序生成BOOT．OUT文件，再利用TI公司提供的HEX轉(zhuǎn)換工具包中的轉(zhuǎn)換程序和FLASH存儲器寬度，把該BOOT．OUT文件轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的BOOT．HEX文件，由于轉(zhuǎn)換工具包中沒有提供相應(yīng)的轉(zhuǎn)換程序把BOOT．OUT文件直接轉(zhuǎn)換為FLASH認(rèn)可的二進(jìn)制文件，因此還需要編寫轉(zhuǎn)換程序把BOOT．HEX文件再轉(zhuǎn)換為BOOT．BIN二進(jìn)制文件；最后，在CCS中編寫FLASH寫入程序，編譯、鏈接生成可執(zhí)行文件，并通過JTAG端口加載運行，把得到的引導(dǎo)程序BOOT．BIN作為數(shù)據(jù)文件寫入引導(dǎo)FLASH存儲器中。需注意的是程序?qū)懭隖LASH存儲器時，需要把CEl空間寄存器設(shè)計為32位寬度存儲器接口方式。

Link.com
-c
-l rts6201.lib ;或rts7601.lib
MEMORY
{
VECS ： 0=00000000h 1=00000200h
PMEM ：0=00000200h 1=0000FE00h
DMEM ：0=80000000h 1=00010000h
CElVECS： 0=01400000h 1=00000200h
CElPMEM：0=01400200h 1=0000FE00h
CElinit： 0=01410000h 1=00010000h
}
SECTIONS
{
．vector：load=CElVECS，run=VECS
．text ：load=CElPMEM，rnn=PMEM
．cinit：load=CElinit，run=DMEM
．const：load=CElinit，run=DMEM
．data ：load：CElinit，run=DMEM
．cio >DMEM
．far >DMEM
．stack >DMEM
．bss >DMEM
．svsmem>DMEM

設(shè)置引導(dǎo)方式管腳BOOTMODE[4：0]的信號電平為01101。當(dāng)系統(tǒng)再次加電時，即可直接執(zhí)行用戶開發(fā)的嵌入式應(yīng)用程序。

由于C6000系列DSP處理器具有驚人的運算速度，并且具有體積小、功耗低等特點，必將迅速得到廣泛的應(yīng)用，盡快掌握其開發(fā)應(yīng)用技術(shù)，可使其發(fā)揮重大作用；FLASH存儲器具有容量大、體積小、功耗低、在系統(tǒng)可編程的特點，大大方便了DSP處理器的開發(fā)及應(yīng)用。C6000系列DSP與FLASH的接口設(shè)計技術(shù)已成功地在作者開發(fā)的基于三個C6201／6701處理器的嵌入式實時圖像匹配計算機中得到應(yīng)用。