基于器件特性進(jìn)行精確的高亮度LED測試

　　高亮發(fā)光二極管（High brightness light emitting diodes，HBLED）綜合具備了高輸出、高效率和長壽命等優(yōu)勢。制造商們正在開發(fā)可以實現(xiàn)光通量更高、壽命更長、色彩更豐富而且單位功率發(fā)光度更高的器件。要確保其性能和可靠性，就必須在生產(chǎn)的每個階段實施精確的、成本經(jīng)濟(jì)的測試。

　　圖1顯示了典型的二極管的電I-V特性曲線。雖然一個完整的測試程序可以包括數(shù)百個點，但對一個有限的樣本的探查一般就足以提供優(yōu)值。許多HBLED測試需要以一個已知的電流信號源驅(qū)動器件并相應(yīng)測量其電壓，或者反過來，同時具備了可同步動作的信號源和測量功能可以加速系統(tǒng)的設(shè)置并提升吞吐率。測試可以在管芯層次（圓片和封裝）或者模塊/子組件水平上進(jìn)行。在模塊/子組件水平上，HBLED可以采取串聯(lián)/并聯(lián)方式；于是一般需要使用更高的電流，有時達(dá)50A或者更高，具體則取決于實際應(yīng)用。有些管芯級的測試所用的電流在5A～10A的范圍內(nèi)，具體取決于管芯的尺寸。

　　正向電壓測試

　　要理解新的結(jié)構(gòu)單元材料，如石墨烯、碳納米管、硅納米線或者量子點，在未來的電子器件中是如何發(fā)揮其功效的，就必須采用那

　　光學(xué)測試

　　光學(xué)測量中也需要使用正向電流偏置，因為電流與HBLED的發(fā)光量密切相關(guān)?？梢杂霉怆姸O管或者積分球來捕捉發(fā)射的光子，從而可以測量光功率?？梢詫l(fā)光變換為一個電流，并用電流計或者一個信號源測量單元的單個通道來測量該電流。

　　反向擊穿電壓測試

　　對HBLED施加的反向偏置電流可以實現(xiàn)反向擊穿電壓（VR）的測試。該測試電流的設(shè)置應(yīng)當(dāng)使所測得的電壓值不再隨著電流的輕微增加而顯著上升。在更高的電壓下，反向偏置電流的大幅增加所造成的反向電壓的變化并不顯著。VR的測試方法是，在一段特定時間內(nèi)輸出低反向偏置電流，然后測量HBLED兩端的電壓降。其結(jié)果一般為數(shù)十伏特。

　　漏電流測試

　　當(dāng)施加一個低于擊穿電壓的反向電壓時，對HBLED兩端的漏電流（IL）的測量一般使用中等的電壓值。在生產(chǎn)測試中，常見的做法是僅確保漏電流不不至于超過一個特定的閾值。

　　提升HBLED的生產(chǎn)測試的吞吐率

　　過去，HBLED的生產(chǎn)測試的所有環(huán)節(jié)都由單臺PC來控制。換言之，在測試程序的每個要素中，必須針對每次測試配置信號源和測量裝置，并在執(zhí)行預(yù)期的行動后，將數(shù)據(jù)返回給PC?？刂芇C根據(jù)通過/不通過的標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行評估，并決定DUT應(yīng)歸入哪一類。PC發(fā)送指令和結(jié)果返回PC的過程將耗費大量的時間。