FRAM在汽車行駛記錄儀中的應(yīng)用
存儲(chǔ)歷史數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器大家都比較容易選擇,目前大容量的Flash和U盤,很多廠商都能提供。最難的是汽車的實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器比較難選擇,因?yàn)閷?shí)時(shí)數(shù)據(jù)比歷史數(shù)據(jù)更為重要,而且要求掉電后數(shù)據(jù)能保存(發(fā)生事故時(shí),汽車系統(tǒng)可能會(huì)沒(méi)有電源),為了實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性,要求由于輸入量的檢測(cè)周期越短越好,據(jù)目前我們了解,國(guó)標(biāo)要求最大0.2秒采集一次數(shù)據(jù),以20秒為一個(gè)存儲(chǔ)單位, 實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)需要存儲(chǔ)10次20秒的數(shù)據(jù),也就是說(shuō)在實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)需要存儲(chǔ)200秒的數(shù)據(jù),到了200后,將實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)抽樣送入歷史記錄中,然后實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)中的重新覆蓋,由此可見(jiàn),在實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)中的存儲(chǔ)器要求很高。
我個(gè)人認(rèn)為此儲(chǔ)器要求: 1)掉電后數(shù)據(jù)需要保存; 2)擦寫數(shù)據(jù)多, 3)可靠高.
目前實(shí)現(xiàn)這種要求的方式有以下幾種
1) SRAM+電池+電源管理IC +EEPROM
2) NVRAM
3) FRAM
下面是幾種方案的性能比較:
一 SRAM+電池+電源管理IC+EEPROM 由于EEPROM和FLASH的擦寫次數(shù)的限制,檢測(cè)的數(shù)據(jù)量不能實(shí)時(shí)寫入其中,只能存儲(chǔ)在SRAM中,當(dāng)?shù)揭欢ǖ臅r(shí)間或檢測(cè)到掉電后在把數(shù)據(jù)寫入EEPROM和FLASH中,EEPROM存儲(chǔ)實(shí)時(shí)數(shù)據(jù),Flash存儲(chǔ)歷史數(shù)據(jù).此方案的特點(diǎn):價(jià)格可能比較便宜,但是性能很不可靠,發(fā)生事故時(shí)可能整個(gè)系統(tǒng)都沒(méi)有電,當(dāng)系統(tǒng)檢測(cè)到掉電時(shí),再把SRAM的數(shù)據(jù)寫入EEPROM和FLASH中,已經(jīng)沒(méi)有時(shí)間,而且汽車系統(tǒng)的環(huán)境比較復(fù)雜,我們都知道SRAM+電池的存儲(chǔ)方式很不可靠.所以目前很少有工程師這樣設(shè)計(jì).
評(píng)論