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美國國家半導體推出業(yè)內(nèi)首款 5A 的雙輸出閘極驅動器

作者:電子設計應用 時間:2004-01-18 來源:電子設計應用 收藏
公司 (National Semiconductor Corporation) (美國紐約證券交易所上市代號:NSM)宣布推出業(yè)內(nèi)首款雙輸出閘極驅動器,其特點是可輸出業(yè)內(nèi)最高峰值電流,而且具有獨特的負極至正極輸出電壓擺動功能。這款 5A 峰值電流的雙輸出閘極驅動器能以極快的速度進行開關,升/降時間只需 14 毫微秒 (ns),而傳輸延遲則只有 25 毫微秒,并備有反相、非反相及互補三種不同版本可供選擇。此外,這款雙輸出驅動器芯片可以驅動較大的功率金屬氧化半導體場效應晶體管 (MOSFET) 及低閾值同步整流器,最適用于通信設備的電源供應器、運轉控制系統(tǒng)及不間斷電源供應 (UPS) 系統(tǒng)。

新推出的 LM5110 雙輸出閘極驅動器芯片屬于該公司高電壓電源控制集成電路系列的最新型號,可為直流/直流電源供應器提供一個高效率而性能可靠的解決方案。

電源管理產(chǎn)品部市場營銷總監(jiān) Paul Greenland 表示:「LM5110 芯片的推出擴大了我們的高電壓電源管理芯片系列的產(chǎn)品陣容,加強了這系列芯片在通信產(chǎn)品市場上的競爭優(yōu)勢。LM5110 芯片設有 MOSFET/雙極雙輸出電路,容許滿擺幅的電壓擺動,而輸出電流更比同類競爭產(chǎn)品如 CMOS 雙輸出閘極驅動器高 3 倍至 4 倍。LM5110 芯片若與我們的 LM5041 或 LM5030 高電壓脈沖寬度調(diào)制 (PWM) 控制器搭配一起,便可組成一個極具成本效益的高速脈沖寬度調(diào)制及場效應晶體管 (FET) 驅動器芯片組解決方案,為高電流、低電壓輸出的新一代功率轉換器提供支持?!?/P>

LM5110 芯片是業(yè)內(nèi)首款可為不同目標分別供電的 MOSFET 驅動器,可將閘極電平拉低至源極電平之下,以便低閾值 MOSFET 可以保持在關閉 (OFF) 狀態(tài)之中,讓工程師有較大的空間設定漏極至閘極的瞬態(tài)及閾值移位。對于只提供正閘極驅動電流的傳統(tǒng)式單電源供應解決方案來說,LM5110 芯片的輸入?yún)⒖茧妷汗苣_可干脆連接地線。這款驅動器可在 3.5V 至 14V 的廣闊供電電壓范圍內(nèi)操作,而且更設有高度集成的線路電壓不足鎖定 (UVLO) 電路,以便電源進行開關或供電線路出現(xiàn)瞬態(tài)轉變時仍可安全操作,不會有意外的情況出現(xiàn)。

LM5110 芯片利用業(yè)內(nèi)標準雙輸出驅動器的兩條未用管腳添加多個重要的全新功能,以便在 5A 峰值輸出電流這個獨特功能之外,添加關閉管腳及負極輸出驅動功能,確保在任何情況下也可有效控制功率 MOSFET。LM5110 雙輸出驅動器也可采用并行的連接方式串連一起,以便將輸出電流加大一倍,為要求更高的應用方案提供高達 10A 的峰值電流。

LM5110 芯片采用散熱能力已加強的小巧 10 管腳 LLP? CSP 封裝 (4mm x 4mm),除了散熱能力獲得改善之外,也占用極少印刷電路板空間,有助提高操作的可靠性及節(jié)省成本。LM5110 備有三種不同配置可供選擇:雙輸出非反相 (-1);雙輸出反相 (-2);以及設有反相級與非反相級的配置 (-3)。這款芯片保證可在 -40°C 至 +125°C 的工業(yè)溫度范圍內(nèi)發(fā)揮正常的電子特性。

供貨情況

LM5110 芯片備有 SOIC-8 或 10 管腳表面貼裝 LLP CSP 兩種封裝可供選擇,采購以 1,000 顆為單位,每顆售 0.65 美元,已有現(xiàn)貨供應。



關鍵詞: 美國國家半導體

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