LED散熱基板匯總介紹及技術(shù)發(fā)展趨勢分析

　　隨著全球環(huán)保的意識抬頭，節(jié)能省電已成為當(dāng)今的趨勢。LED產(chǎn)業(yè)是近年來最受矚 目的產(chǎn)業(yè)之一。發(fā)展至今，LED產(chǎn)品已具有節(jié)能、省電、高效率、反應(yīng)時間快、壽命周期長 、且不含汞，具有環(huán)保效益；等優(yōu)點。然而通常LED高功率產(chǎn)品輸入功率約為20%能轉(zhuǎn)換成 光，剩下80%的電能均轉(zhuǎn)換為熱能。

　　一般而言，LED發(fā)光時所產(chǎn)生的熱能若無法導(dǎo)出，將會使LED結(jié)面溫度過高，進(jìn)而影 響產(chǎn)品生命周期、發(fā)光效率、穩(wěn)定性，而LED結(jié)面溫度、發(fā)光效率及壽命之間的關(guān)系，以下 將利用關(guān)系圖作進(jìn)一步說明。
　　
　　1、LED散熱途徑

　　依據(jù)不同的封裝技術(shù)，其散熱方法亦有所不同，而LED各種散熱途徑方法約略可以 下示意之：

　　散熱途徑說明：

　　(1). 從空氣中散熱

　　(2). 熱能直接由System circuit board導(dǎo)出

　　(3). 經(jīng)由金線將熱能導(dǎo)出

　　(4). 若為共晶及Flip chip制程，熱能將經(jīng)由通孔至系統(tǒng)電路板而導(dǎo)出

　　一般而言，LED晶粒（Die）以打金線、共晶或覆晶方式連結(jié)于其基板上 （Substrate of LEDDie）而形成一LED晶片（ chip），而后再將LED 晶片固定于系統(tǒng)的電 路板上（System circuitboard）。因此，LED可能的散熱途徑為直接從空氣中散熱，或經(jīng) 由LED晶?；?/em>材料的熱散能力即為相當(dāng)重要的參數(shù)。另一方面， LED所產(chǎn)生的熱亦會經(jīng)由電極金屬導(dǎo)線而至系統(tǒng)電路板，一般而言，利用金線方式做電極接 合下，散熱受金屬線本身較細(xì)長之幾何形狀而受限；因此，近來即有共晶（Eutectic） 或 覆晶（Flipchip）接合方式，此設(shè)計大幅減少導(dǎo)線長度，并大幅增加導(dǎo)線截面積，如此一 來，藉由LED電極導(dǎo)線至系統(tǒng)電路板之散熱效率將有效提升。

　　經(jīng)由以上散熱途徑解釋，可得知散熱基板材料的選擇與其LED晶粒的封裝方式于LED 熱散管理上占了極重要的一環(huán)，后段將針對LED散熱基板做概略說明。

　　2、LED散熱基板

　　LED散熱基板主要是利用其散熱基板材料本身具有較佳的熱傳導(dǎo)性，將熱源從LED晶 粒導(dǎo)出。因此，我們從LED散熱途徑敘述中，可將LED散熱基板細(xì)分兩大類別，分別為LED晶 ?；迮c系統(tǒng)電路板，此兩種不同的散熱基板分別乘載著LED晶粒與LED晶片將LED晶粒發(fā)光 時所產(chǎn)生的熱能，經(jīng)由LED晶粒散熱基板至系統(tǒng)電路板，而后由大氣環(huán)境吸收，以達(dá)到熱散 之效果。

　　隨著全球環(huán)保的意識抬頭，節(jié)能省電已成為當(dāng)今的趨勢。LED產(chǎn)業(yè)是近年來最受矚 目的產(chǎn)業(yè)之一。發(fā)展至今，LED產(chǎn)品已具有節(jié)能、省電、高效率、反應(yīng)時間快、壽命周期長 、且不含汞，具有環(huán)保效益；等優(yōu)點。然而通常LED高功率產(chǎn)品輸入功率約為20%能轉(zhuǎn)換成 光，剩下80%的電能均轉(zhuǎn)換為熱能。

　　一般而言，LED發(fā)光時所產(chǎn)生的熱能若無法導(dǎo)出，將會使LED結(jié)面溫度過高，進(jìn)而影 響產(chǎn)品生命周期、發(fā)光效率、穩(wěn)定性，而LED結(jié)面溫度、發(fā)光效率及壽命之間的關(guān)系，以下 將利用關(guān)系圖作進(jìn)一步說明。
　　
　　1、LED散熱途徑

　　依據(jù)不同的封裝技術(shù)，其散熱方法亦有所不同，而LED各種散熱途徑方法約略可以 下示意之：

　　散熱途徑說明：

　　(1). 從空氣中散熱

　　(2). 熱能直接由System circuit board導(dǎo)出

　　(3). 經(jīng)由金線將熱能導(dǎo)出

　　(4). 若為共晶及Flip chip制程，熱能將經(jīng)由通孔至系統(tǒng)電路板而導(dǎo)出

　　一般而言，LED晶粒（Die）以打金線、共晶或覆晶方式連結(jié)于其基板上 （Substrate of LEDDie）而形成一LED晶片（ chip），而后再將LED 晶片固定于系統(tǒng)的電 路板上（System circuitboard）。因此，LED可能的散熱途徑為直接從空氣中散熱，或經(jīng) 由LED晶?；逯料到y(tǒng)電路板再到大氣環(huán)境。而散熱由系統(tǒng)電路板至大氣環(huán)境的速率取決于 整個發(fā)光燈具或系統(tǒng)之設(shè)計。

　　然而，現(xiàn)階段的整個系統(tǒng)之散熱瓶頸，多數(shù)發(fā)生在將熱量從LED晶粒傳導(dǎo)至其基板 再到系統(tǒng)電路板為主。此部分的可能散熱途徑：其一為直接藉由晶?；迳嶂料到y(tǒng)電路 板，在此散熱途徑里，其LED晶粒基板材料的熱散能力即為相當(dāng)重要的參數(shù)。另一方面， LED所產(chǎn)生的熱亦會經(jīng)由電極金屬導(dǎo)線而至系統(tǒng)電路板，一般而言，利用金線方式做電極接 合下，散熱受金屬線本身較細(xì)長之幾何形狀而受限；因此，近來即有共晶（Eutectic） 或 覆晶（Flipchip）接合方式，此設(shè)計大幅減少導(dǎo)線長度，并大幅增加導(dǎo)線截面積，如此一 來，藉由LED電極導(dǎo)線至系統(tǒng)電路板之散熱效率將有效提升。

　　經(jīng)由以上散熱途徑解釋，可得知散熱基板材料的選擇與其LED晶粒的封裝方式于LED 熱散管理上占了極重要的一環(huán)，后段將針對LED散熱基板做概略說明。

　　2、LED散熱基板

　　LED散熱基板主要是利用其散熱基板材料本身具有較佳的熱傳導(dǎo)性，將熱源從LED晶 粒導(dǎo)出。因此，我們從LED散熱途徑敘述中，可將LED散熱基板細(xì)分兩大類別，分別為LED晶 ?；迮c系統(tǒng)電路板，此兩種不同的散熱基板分別乘載著LED晶粒與LED晶片將LED晶粒發(fā)光 時所產(chǎn)生的熱能，經(jīng)由LED晶粒散熱基板至系統(tǒng)電路板，而后由大氣環(huán)境吸收，以達(dá)到熱散 之效果。

　　2.1 系統(tǒng)電路板

　　系統(tǒng)電路板主要是作為LED散熱系統(tǒng)中，最后將熱能導(dǎo)至散熱鰭片、外殼或大氣中 的材料。近年來印刷電路板（PCB）的生產(chǎn)技術(shù)已非常純熟，早期LED產(chǎn)品的系統(tǒng)電路板多 以PCB為主，但隨著高功率LED的需求增加，PCB之材料散熱能力有限，使其無法應(yīng)用于其高 功率產(chǎn)品，為了改善高功率LED散熱問題，近期已發(fā)展出高熱導(dǎo)系數(shù)鋁基板（MCPCB），利 用金屬材料散熱特性較佳的特色，已達(dá)到高功率產(chǎn)品散熱的目的。然而隨著LED亮度與效能 要求的持續(xù)發(fā)展，盡管系統(tǒng)電路板能將LED晶片所產(chǎn)生的熱有效的散熱到大氣環(huán)境，但是 LED晶粒所產(chǎn)生的熱能卻無法有效的從晶粒傳導(dǎo)至系統(tǒng)電路板，異言之，當(dāng)LED功率往更高 效提升時，整個LED的散熱瓶頸將出現(xiàn)在LED晶粒散熱基板。

　　2.2 LED晶?；?/P>

　　LED晶?；逯饕亲鳛長ED 晶粒與系統(tǒng)電路板之間熱能導(dǎo)出的媒介，藉由打線、 共晶或覆晶的制程與LED晶粒結(jié)合。而基于散熱考量，目前市面上LED晶?；逯饕蕴沾?基板為主，以線路備制方法不同約略可區(qū)分為：厚膜陶瓷基板、低溫共燒多層陶瓷、以及 薄膜陶瓷基板三種，在傳統(tǒng)高功率LED元件，多以厚膜或低溫共燒陶瓷基板作為晶粒散熱基 板，再以打金線方式將LED晶粒與陶瓷基板結(jié)合。

　　如前言所述，此金線連結(jié)限制了熱量沿電極接點散失之效能。因此，近年來，國內(nèi) 外大廠無不朝向解決此問題而努力。其解決方式有二，其一為尋找高散熱系數(shù)之基板材料 ，以取代氧化鋁，包含了矽基板、碳化矽基板、陽極化鋁基板或氮化鋁基板，其中矽及碳 化矽基板之材料半導(dǎo)體特性，使其現(xiàn)階段遇到較嚴(yán)苛的考驗，而陽極化鋁基板則因其陽極 化氧化層強度不足而容易因碎裂導(dǎo)致導(dǎo)通，使其在實際應(yīng)用上受限，因而，現(xiàn)階段較成熟 且普通接受度較高的即為以氮化鋁作為散熱基板；然而，目前受限于氮化鋁基板不適用傳 統(tǒng)厚膜制程（材料在銀膠印刷后須經(jīng)850℃大氣熱處理，使其出現(xiàn)材料信賴性問題），因此 ，氮化鋁基板線路需以薄膜制程備制。

　　以薄膜制程備制之氮化鋁基板大幅加速了熱量從LED晶粒經(jīng)由基板材料至系統(tǒng)電路 板的效能，因此大幅降低熱量由LED晶粒經(jīng)由金屬線至系統(tǒng)電路板的負(fù)擔(dān)，進(jìn)而達(dá)到高熱散 的效果。

　　另一種熱散的解決方案為將LED晶粒與其基板以共晶或覆晶的方式連結(jié)，如此一來 ，大幅增加經(jīng)由電極導(dǎo)線至系統(tǒng)電路板之散熱效率。然而此制程對于基板的布線精確度與 基板線路表面平整度要求極高，這使得厚膜及低溫共燒陶瓷基板的精準(zhǔn)度受制程網(wǎng)版張網(wǎng) 問題及燒結(jié)收縮比例問題而不敷使用?，F(xiàn)階段多以導(dǎo)入薄膜陶瓷基板，以解決此問題。薄 膜陶瓷基板以黃光微影方式備制電路，輔以電鍍或化學(xué)鍍方式增加線路厚度，使得其產(chǎn)品 具有高線路精準(zhǔn)度與高平整度的特性。共晶/覆晶制程輔以薄膜陶瓷散熱基板勢必將大幅提 升LED的發(fā)光功率與產(chǎn)品壽命。

　　近年來，由于鋁基板的開發(fā)，使得系統(tǒng)電路板的散熱問題逐漸獲得改善，甚而逐漸 往可撓曲之軟式電路板開發(fā)。另一方面，LED晶?；逡嘀鸩匠蚪档推錈嶙璺较蚺?。

　　3、LED陶瓷散熱基板介紹

　　如何降低LED晶粒陶瓷散熱基板的熱阻為目前提升LED發(fā)光效率最主要的課題之一， 若依其線路制作方法可區(qū)分為厚膜陶瓷基板、低溫共燒多層陶瓷、以及薄膜陶瓷基板三種 ，分別說明如下：

　　3.1 厚膜陶瓷基板

　　厚膜陶瓷基板乃采用網(wǎng)印技術(shù)生產(chǎn)，藉由刮刀將材料印制于基板上，經(jīng)過干燥、燒 結(jié)、雷射等步驟而成，目前國內(nèi)厚膜陶瓷基板主要制造商為禾伸堂、九豪等公司。一般而 言，網(wǎng)印方式制作的線路因為網(wǎng)版張網(wǎng)問題，容易產(chǎn)生線路粗糙、對位不精準(zhǔn)的現(xiàn)象。因 此，對于未來尺寸要求越來越小，線路越來越精細(xì)的高功率LED產(chǎn)品，亦或是要求對位準(zhǔn)確 的共晶或覆晶制程生產(chǎn)的LED產(chǎn)品而言，厚膜陶瓷基板的精確度已逐漸不敷使用。

　　3.2 低溫共燒多層陶瓷

　　低溫共燒多層陶瓷技術(shù)，以陶瓷作為基板材料，將線路利用網(wǎng)印方式印刷于基板上 ，再整合多層的陶瓷基板，最后透過低溫?zé)Y(jié)而成，而其國內(nèi)主要制造商有璟德電子、鋐 鑫等公司。而低溫共燒多層陶瓷基板之金屬線路層亦是利用網(wǎng)印制程制成，同樣有可能因 張網(wǎng)問題造成對位誤差，此外，多層陶瓷疊壓燒結(jié)后，還會考量其收縮比例的問題。因此 ，若將低溫共燒多層陶瓷使用于要求線路對位精準(zhǔn)的共晶/覆晶LED產(chǎn)品，將更顯嚴(yán)苛。

　　3.3 薄膜陶瓷基板

　　為了改善厚膜制程張網(wǎng)問題，以及多層疊壓燒結(jié)后收縮比例問題，近來發(fā)展出薄膜 陶瓷基板作為LED晶粒的散熱基板。薄膜散熱基板乃運用濺鍍、電/電化學(xué)沉積、以及黃光 微影制程制作而成，具備：

　?。?）低溫制程（300℃以下），避免了高溫材料破壞或尺寸變異的可能性；

　?。?）使用黃光微影制程，讓基板上的線路 更加精確；

　　（3）金屬線路不易脫落…等特點，因此薄膜陶瓷基板適用于高功率、小尺 寸、高亮度的LED,以及要求對位精確性高的共晶/覆晶封裝制程。而目前國內(nèi)主要以璦司柏 電子與同欣電等公司，具備了專業(yè)薄膜陶瓷基板生產(chǎn)能力。

　　4、國際大廠LED產(chǎn)品發(fā)展趨勢

　　目前LED產(chǎn)品發(fā)展的趨勢，可從LED各封裝大廠近期所發(fā)表的LED產(chǎn)品功率和尺寸觀 察得知，高功率、小尺寸的產(chǎn)品為目前LED產(chǎn)業(yè)的發(fā)展重點，且均使用陶瓷散熱基板作為其 LED晶粒散熱的途徑。因此，陶瓷散熱基板在高功率，小尺寸的LED產(chǎn)品結(jié)構(gòu)上，已成為相 當(dāng)重要的一環(huán)，以下表二即為國內(nèi)外主要之LED產(chǎn)品發(fā)展近況與產(chǎn)品類別作簡單的匯整。

　　5、結(jié)論

　　要提升LED發(fā)光效率與使用壽命，解決LED產(chǎn)品散熱問題即為現(xiàn)階段最重要的課題之 一，LED產(chǎn)業(yè)的發(fā)展亦是以高功率、高亮度、小尺寸LED產(chǎn)品為其發(fā)展重點，因此，提供具 有其高散熱性，精密尺寸的散熱基板，也成為未來在LED散熱基板發(fā)展的趨勢?，F(xiàn)階段以氮 化鋁基板取代氧化鋁基板，或是以共晶或覆晶制程取代打金線的晶粒/基板結(jié)合方式來達(dá)到 提升LED發(fā)光效率為開發(fā)主流。在此發(fā)展趨勢下，對散熱基板本身的線路對位精確度要求極 為嚴(yán)苛，且需具有高散熱性、小尺寸、金屬線路附著性佳等特色，因此，利用黃光微影制 作薄膜陶瓷散熱基板，將成為促進(jìn)LED不斷往高功率提升的重要觸媒之一。