LED封裝步驟、壽命預(yù)測(cè)、參數(shù)講解

　　采用這種方法得出的結(jié)溫，肯定要比用熱電偶測(cè)量散熱器的溫度再來(lái)推算其結(jié)溫要準(zhǔn)確很多。

　　6．如何來(lái)預(yù)測(cè)這個(gè)燈具的壽命。

　　從結(jié)溫來(lái)推測(cè)壽命好像應(yīng)該很簡(jiǎn)單，只要查一下圖1的曲線(xiàn)，就可以知道對(duì)應(yīng)于95度結(jié)溫時(shí)的壽命就可以得到LED的壽命為2萬(wàn)小時(shí)了。但是，這種方法用于室內(nèi)的LED燈具還有一定的可信度，如果應(yīng)用到室外的LED燈具，尤其是大功率LED路燈，那里還有很多不確定因素。最大的問(wèn)題是LED路燈的散熱器的散熱效率的隨時(shí)間而降低。這是由于塵土、鳥(niǎo)屎的積累而使得其散熱效率降低。也還因?yàn)槭彝庥泻軓?qiáng)烈的紫外線(xiàn)，也會(huì)使LED的壽命降低。紫外線(xiàn)主要是對(duì)封裝的環(huán)氧樹(shù)脂的老化起很大作用，假如采用硅膠，可以有所改善。紫外線(xiàn)對(duì)熒光粉的老化也有一些壞作用，但不是很?chē)?yán)重。

　　不過(guò)，這種方法用來(lái)相對(duì)比較兩種散熱器的散熱效果是比較有效的。很明顯，伏安特性左移越小的散熱器，其散熱效果就越好。另外，對(duì)于預(yù)測(cè)室內(nèi)LED燈具的壽命也還是有一定的準(zhǔn)確度的。

　　LED主要參數(shù)與特性

　　LED是利用化合物材料制成pn結(jié)的光電器件。它具備pn結(jié)結(jié)型器件的電學(xué)特性：I-V特性、C-V特性和光學(xué)特性：光譜響應(yīng)特性、發(fā)光光強(qiáng)指向特性、時(shí)間特性以及熱學(xué)特性。本文將為你詳細(xì)介紹。

　　1、LED電學(xué)特性

　　1.1 I-V特性

　　表征LED芯片pn結(jié)制備性能主要參數(shù)。LED的I-V特性具有非線(xiàn)性、整流性質(zhì)：?jiǎn)蜗驅(qū)щ娦?，即外加正偏壓表現(xiàn)低接觸電阻，反之為高接觸電阻。

圖1 LED I-V特性曲線(xiàn)

　　如圖1：

　　（1） 正向死區(qū)：（圖oa 或oa′段）a點(diǎn)對(duì)于V0 為開(kāi)啟電壓，當(dāng)V＜Va，外加電場(chǎng)尚克服不少因載流子擴(kuò)散而形成勢(shì)壘電場(chǎng)，此時(shí)R很大；開(kāi)啟電壓對(duì)于不同LED其值不同，GaAs 為1V，紅色GaAsP 為1.2V，GaP 為1.8V，GaN 為2.5V。

　?。?）正向工作區(qū)：電流IF 與外加電壓呈指數(shù)關(guān)系：

IF = IS (e qVF/KT –1)

IS為反向飽和電流。V＞0 時(shí)，V＞VF 的正向工作區(qū)IF 隨VF 指數(shù)上升：

IF = IS e qVF/KT

　?。?）反向死區(qū) ：V＜0 時(shí)pn 結(jié)加反偏壓V= - VR 時(shí)，反向漏電流IR（V= -5V）時(shí)，GaP 為0V，GaN 為10uA。

　?。?）反向擊穿區(qū) V＜- VR ，VR 稱(chēng)為反向擊穿電壓；VR 電壓對(duì)應(yīng)IR 為反向漏電流。當(dāng)反向偏壓一直增加使V＜- VR 時(shí)，則出現(xiàn)IR 突然增加而出現(xiàn)擊穿現(xiàn)象。由于所用化合物材料種類(lèi)不同，各種LED 的反向擊穿電壓VR 也不同。

　　1.2 C-V特性

　　鑒于LED 的芯片有9×9mil (250×250um)，10×10mil，11×11mil (280×280um)，12×12mil (300×300um)，故pn 結(jié)面積大小不一，使其結(jié)電容（零偏壓）C≈n+pf左右。C-V 特性呈二次函數(shù)關(guān)系（如圖2）。由1MHZ 交流信號(hào)用C-V 特性測(cè)試儀測(cè)得。

圖2 LED C-V特性曲線(xiàn)

　　1.3 最大允許功耗PFm

　　當(dāng)流過(guò)LED的電流為IF、管壓降為UF 則功率消耗為P=UF×IF. LED工作時(shí)，外加偏壓、偏流一定促使載流子復(fù)合發(fā)出光，還有一部分變?yōu)闊幔菇Y(jié)溫升高。若結(jié)溫為T(mén)j、外部環(huán)境溫度為T(mén)a，則當(dāng)Tj＞Ta 時(shí)，內(nèi)部熱量借助管座向外傳熱，散逸熱量（功率），可表示為P = KT（Tj – Ta）。

　　1.4 響應(yīng)時(shí)間

　　響應(yīng)時(shí)間表征某一顯示器跟蹤外部信息變化的快慢。現(xiàn)有幾種顯示LCD（液晶顯示）約10-3~10-5S，CRT、PDP、LED 都達(dá)到10-6~10-7S（us 級(jí)）。

　　1.響應(yīng)時(shí)間從使用角度來(lái)看，就是LED點(diǎn)亮與熄滅所延遲的時(shí)間，即圖3中tr 、tf 。圖中t0 值很小，可忽略。

圖3

　　② 響應(yīng)時(shí)間主要取決于載流子壽命、器件的結(jié)電容及電路阻抗。LED 的點(diǎn)亮?xí)r間——上升時(shí)間tr 是指接通電源使發(fā)光亮度達(dá)到正常的10%開(kāi)始，一直到發(fā)光亮度達(dá)到正常值的90%所經(jīng)歷的時(shí)間。LED 熄滅時(shí)間——下降時(shí)間tf 是指正常發(fā)光減弱至原來(lái)的10%所經(jīng)歷的時(shí)間。

　　不同材料制得的LED 響應(yīng)時(shí)間各不相同；如GaAs、GaAsP、GaAlAs 其響應(yīng)時(shí)間＜10-9S，GaP 為10-7 S。因此它們可用在10~100MHZ 高頻系統(tǒng)。

　　2、LED光學(xué)特性

　　發(fā)光二極管有紅外（非可見(jiàn)）與可見(jiàn)光兩個(gè)系列，前者可用輻射度，后者可用光度學(xué)來(lái)量度其光學(xué)特性。

　　2.1 發(fā)光法向光強(qiáng)及其角分布Iθ

　　2.1.1 發(fā)光強(qiáng)度（法向光強(qiáng)）是表征發(fā)光器件發(fā)光強(qiáng)弱的重要性能。LED 大量應(yīng)用要求是圓柱、圓球封裝，由于凸透鏡的作用，故都具有很強(qiáng)指向性：位于法向方向光強(qiáng)最大，其與水平面交角為90°。當(dāng)偏離正法向不同θ角度，光強(qiáng)也隨之變化。發(fā)光強(qiáng)度隨著不同封裝形狀而強(qiáng)度依賴(lài)角方向。

　　2.1.2 發(fā)光強(qiáng)度的角分布Iθ是描述LED發(fā)光在空間各個(gè)方向上光強(qiáng)分布。它主要取決于封裝的工藝（包括支架、模粒頭、環(huán)氧樹(shù)脂中添加散射劑與否）

　?、?為獲得高指向性的角分布（如圖4）

圖4

　?、?LED 管芯位置離模粒頭遠(yuǎn)些；

　?、?使用圓錐狀（子彈頭）的模粒頭；

　　③ 封裝的環(huán)氧樹(shù)脂中勿加散射劑。

　　采取上述措施可使LED 2θ1/2 = 6°左右，大大提高了指向性。

　?、?當(dāng)前幾種常用封裝的散射角(2θ1/2 角)圓形LED：5°、10°、30°、45°。

　　2.2 發(fā)光峰值波長(zhǎng)及其光譜分布

　?、?LED 發(fā)光強(qiáng)度或光功率輸出隨著波長(zhǎng)變化而不同，繪成一條分布曲線(xiàn)——光譜分布曲線(xiàn)。當(dāng)此曲線(xiàn)確定之后，器件的有關(guān)主波長(zhǎng)、純度等相關(guān)色度學(xué)參數(shù)亦隨之而定。

　　LED 的光譜分布與制備所用化合物半導(dǎo)體種類(lèi)、性質(zhì)及pn結(jié)結(jié)構(gòu)（外延層厚度、摻雜雜質(zhì)）等有關(guān)，而與器件的幾何形狀、封裝方式無(wú)關(guān)。

圖5 LED光譜分布曲線(xiàn)

1.藍(lán)光InGaN/GaN 2.綠光GaP：N 3.紅光GaP：Zn-O

4.紅外GaAs5.Si 光敏二極管6.標(biāo)準(zhǔn)鎢絲燈

圖5繪出幾種由不同化合物半導(dǎo)體及摻雜制得LED 光譜響應(yīng)曲線(xiàn)。其中

　?、?是藍(lán)色I(xiàn)nGaN/GaN 發(fā)光二極管，發(fā)光譜峰λp = 460～465nm；

　?、?是綠色GaP:N 的LED，發(fā)光譜峰λp