提高M(jìn)SP430G單片機(jī)的Flash擦寫(xiě)壽命的方法

Void ChkFstPowerOnInfo(void);

? FlashWrite()用于寫(xiě)Flash，傳遞的形參包括指向待寫(xiě)入數(shù)據(jù)的指針，待寫(xiě)入數(shù)據(jù)在子頁(yè)中的起始字節(jié)編號(hào)，寫(xiě)入數(shù)據(jù)的長(zhǎng)度，原型如下。

void FlashWrite( u8 *array, u8 startNum, u8 length );

? FlashErase()用于擦除Flash，傳遞的形參是子頁(yè)的編號(hào)，在擦除函數(shù)中需要根據(jù)子頁(yè)的編號(hào)判斷是否需要執(zhí)行頁(yè)的擦除操作，原型如下。

void FlashErase(u8 seg_sn);

2.2.2 軟件流程圖

軟件啟動(dòng)后，初始化模擬EEPROM流程圖描述如下。

調(diào)用API，向模擬EEPROM 寫(xiě)入數(shù)據(jù)的軟件流程如圖五所示。在軟件處理中，要特別注意目標(biāo)指針的切換和保證寫(xiě)入數(shù)據(jù)的正確性，在代碼空間允許的情況下，可以增加一些校驗(yàn)算法來(lái)保證。

采用劃分子頁(yè)的方案總結(jié)如下。

? 每次寫(xiě)入模擬EEPROM的數(shù)據(jù)長(zhǎng)度為定長(zhǎng)，即為子頁(yè)的長(zhǎng)度。

? 軟件需要定義一個(gè)存儲(chǔ)變量結(jié)構(gòu)體，用于刷新和同步模擬EEPROM內(nèi)容。在將數(shù)據(jù)寫(xiě)入模擬EEPROM之前，程序員需要按照約定的數(shù)據(jù)格式，在內(nèi)存中將所有的目標(biāo)存儲(chǔ)變量進(jìn)行整理。

? 在軟件處理上，需要計(jì)算當(dāng)前寫(xiě)入和下一次寫(xiě)入的物理地址;在每一次執(zhí)行寫(xiě)入操作后，根據(jù)子頁(yè)長(zhǎng)度大小，將指向子頁(yè)的目的操作指針自動(dòng)累加。

? 待一個(gè)頁(yè)(Page)寫(xiě)滿后，需要將最后更新的模擬EEPROM數(shù)據(jù)拷貝到下一個(gè)頁(yè)，再對(duì)寫(xiě)滿頁(yè)執(zhí)行一次擦除操作。

? 在嵌入式軟件處理上需加入合適的校驗(yàn)機(jī)制，保證寫(xiě)入數(shù)據(jù)的正確性并監(jiān)測(cè)用于模擬EEPROM功能的Flash 子頁(yè)是否已經(jīng)失效。

2.3 兩種方案的對(duì)比分析

兩種方案的對(duì)比分析見(jiàn)表二。

表二 兩種方案的對(duì)比分析