什么是igbt

什么是igbt

IGBT就是
大功率絕緣柵型場效應管 ，在大功率電源上或變頻器上廣泛使用.

1.IGBT的基本結構

絕緣柵雙極晶體管（IGBT）本質上是一個場效應晶體管，只是在漏極和漏區(qū)之間多了一個 P 型層。根據國際電工委員會的文件建議，其各部分名稱基本沿用場效應晶體管的相應命名。

圖1所示為一個N 溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構，N+區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。 N+ 區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P型區(qū)（包括P+和P一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（Subchannel region ）。而在漏區(qū)另一側的 P+ 區(qū)稱為漏注入區(qū)（Drain injector ），它是 IGBT 特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成 PNP 雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進行導電調制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入區(qū)上的電極稱為漏極。

為了兼顧長期以來人們的習慣，IEC規(guī)定：源極引出的電極端子（含電極端）稱為發(fā)射極端（子），漏極引出的電極端（子）稱為集電極端（子）。這又回到雙極晶體管的術語了。但僅此而已。

IGBT的結構剖面圖如圖2所示。它在結構上類似于MOSFET ，其不同點在于IGBT是在N溝道功率MOSFET 的N+基板（漏極）上增加了一個P+ 基板（IGBT 的集電極），形成PN結j1 ，并由此引出漏極、柵極和源極則完全與MOSFET相似。

圖1 N溝道IGBT結構圖2 IGBT的結構剖面圖

由圖2可以看出，IGBT相當于一個由MOSFET驅動的厚基區(qū)GTR ，其簡化等效電路如圖3所示。圖中Rdr是厚基區(qū)GTR的擴展電阻。IGBT是以GTR 為主導件、MOSFET 為驅動件的復合結構。

N溝道IGBT的圖形符號有兩種，如圖4所示。實際應用時，常使用圖2－5所示的符號。對于P溝道，圖形符號中的箭頭方向恰好相反，如圖4所示。

IGBT 的開通和關斷是由柵極電壓來控制的。當柵極加正電壓時，MOSFET 內形成溝道，并為PNP晶體管提供基極電流，從而使IGBT導通，此時，從P+區(qū)注到N一區(qū)進行電導調制，減少N一區(qū)的電阻 Rdr值，使高耐壓的 IGBT 也具有低的通態(tài)壓降。在柵極上加負電壓時，MOSFET 內的溝道消失，PNP晶體管的基極電流被切斷，IGBT 即關斷。

正是由于 IGBT 是在N 溝道 MOSFET 的 N+ 基板上加一層 P+ 基板，形成了四層結構，由PNP－NPN晶體管構成 IGBT 。但是，NPN晶體管和發(fā)射極由于鋁電極短路，設計時盡可能使NPN不起作用。所以說， IGBT 的基本工作與NPN晶體管無關，可以認為是將 N 溝道 MOSFET 作為輸入極，PNP晶體管作為輸出極的單向達林頓管。

采取這樣的結構可在 N一層作電導率調制，提高電流密度。這是因 為從 P+ 基板經過 N+ 層向高電阻的 N一層注入少量載流子的結果。 IGBT 的設計是通過 PNP－NPN 晶體管的連接形成晶閘管。

2.IGBT模塊的術語及其特性術語說明

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術語	符號	定義及說明（測定條件參改說明書）
集電極、發(fā)射極間電壓	VCES	柵極、發(fā)射極間短路時的集電極，發(fā)射極間的最大電壓
柵極發(fā)極間電壓	VGES	上一頁 1 2 3 4 下一頁 關鍵詞： igbt 評論 我來說兩句…… 驗證碼： 相關推薦 用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低側柵極驅動器 電源與新能源 SiC MOSFET IGBT 低側柵極驅動器 | 2024-05-22 R系列IGBT-IPM的內部結構電路 設計方案 系列 IGBT-IPM 內部 結構 | 2011-06-23 風力發(fā)電系統(tǒng)中的５ＫＷ單相逆變器的研制 資源下載 風力發(fā)電 逆變器 脈寬調制 IGBT | 2007-02-16 柵極電阻RG對IGBT開關特性的性能影響分析 dolphin | 2014-06-12 IGBT驅動芯片IXDN404應用及改進 資源下載 IXYS公司 IGBT IXDN404 驅動與保護 | 2007-02-16 變頻器上光耦的應用 806990228 | 2013-10-25 安森美第7代IGBT模塊協(xié)助再生能源簡化設計并降低成本 電源與新能源 安森美 IGBT 再生能源 | 2024-06-13 IGBT等效電路和圖形符號 設計方案 IGBT 等效電路 圖形符號 | 2012-07-12 動態(tài)電流源的RB-IGBT驅動電路圖 設計方案 動態(tài) 電流 RB-IGBT 驅動 電路圖 | 2010-08-31 雜散電感對SiC和IGBT功率模塊開關特性的影響探究 電源與新能源 雜散電感 SiC IGBT 開關特性 | 2024-04-18 IGBT的驅動與保護技術 資源下載 IGBT 驅動 保護 | 2007-02-16 從零了解汽車電控IGBT模塊 汽車 電控 IGBT | 2024-04-23 一鍵解鎖熱泵系統(tǒng)解決方案 工控自動化 熱泵 供暖 IPM MOSFET IGBT | 2024-04-12 柵極環(huán)路電感對SiC和IGBT功率模塊開關特性的影響分析 電源與新能源 IGBT SiC 開關特性 | 2024-04-18 MOS驅動ic應用手冊 資源下載 MOSFET IGBT MOS 驅動ic | 2007-02-16 TVS結電容 張遂新 | 2014-06-11 車規(guī)級IGBT模塊,持續(xù)放量 汽車電子 IGBT | 2024-04-22 基于新技術電源控制IC的綠色高效 高功率密度電源的設計 視頻 電源控制 MOSFET IGBT | 2010-06-12 一文搞懂IGBT的損耗與結溫計算，圖文結合+計算公式步驟 元件/連接器 IGBT 損耗 溫升 | 2024-07-11 R系列IGBT-IPM的內部結構圖 設計方案 系列 IGBT-IPM 內部 結構圖 | 2009-07-06 IGBT應用設計分析 mokou2013 | 2013-08-01 電磁爐IGBT激勵電路 設計方案 電磁爐 IGBT 激勵電路 | 2012-07-18 AVAGO光耦內置的IGBT保護功能 wanchong | 2013-06-28 一種新型的IGBT短路保護電路的設計 資源下載 IGBT 短路保護 電路設計 | 2007-12-25 Power Integrations推出適用于1.2kV至2.3kV“新型雙通道”IGBT模塊的單板即插即用型門極驅動器 電源與新能源 Power Integrations IGBT 門極驅動器 | 2024-05-22 一文搞懂IGBT 元件/連接器 IGBT 功率半導體 | 2024-05-31 上一篇：熱敏電阻型號組成 下一篇：熱敏電阻器的分類與參數 技術專區(qū) FPGA DSP MCU 示波器 步進電機 Zigbee LabVIEW Arduino RFID NFC STM32 Protel GPS MSP430 Multisim 濾波器 CAN總線 開關電源 單片機 PCB USB ARM CPLD 連接器 MEMS CMOS MIPS EMC EDA ROM 陀螺儀 VHDL 比較器 Verilog 穩(wěn)壓電源 RAM AVR 傳感器 可控硅 IGBT 嵌入式開發(fā) 逆變器 Quartus RS-232 Cyclone 電位器 電機控制 藍牙 PLC PWM 汽車電子 轉換器 電源管理 信號放大器 關閉