雙極性器件還是CMOS器件比較

作者：時間：2012-02-11 來源：網(wǎng)絡

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在這種工藝技術中必須權衡性能與漏電。一般來說，這些工藝的柵極長度在130nm到350nm之間，將來也可能達到到90nm。對于可移植設備而言，漏電流性能可隨工藝、溫度或電源的變化而變化，這是一個重要參數(shù)，因為它將直接影響電池的使用壽命。圖4顯示了采用NMOS工藝設備的漏電流(Ioff)與驅動電流(Idrive)隨溫度變化而變化的情況。Idrive與溫度變化關系不大，而Ioff則具有顯著的溫度相關性。圖5是PMOS設備的溫度相關性圖。由于溫度變化幅度不大，Ioff隨溫度變動的情況可以接受。圖6所示的是環(huán)形振蕩器頻率，是一項顯示設備電源電壓功能典型的品質因數(shù)，在實際應用中也可作為權衡漏電與性能的準則。

　　圖4：NMOS設備中漏電流與驅動電流隨溫度變化

　　圖5：PMOS設備中漏電流與驅動電流隨溫度變化

　　圖6：環(huán)形振蕩器頻率被看作電源功能之一

設計低功耗混合信號設備的另一個重要組件是高可靠性、小型、低功耗非易失性存儲器。鐵電存儲器(FRAM)可提供獨特的性能，是眾多應用中極具吸引力的非易失性存儲器選擇，其與眾不同的特性包括類似RAM的快速寫入速度、低電壓低功耗寫入工作、超長使用壽命以及高靈活度的架構等。該存儲器已經集成至上文所述的低功耗數(shù)字工藝技術中。

　　FRAM的工作電壓為1.5V，與浮柵器件不同，它不需要充電泵。與所有非易失性存儲器一樣，其可靠性問題主要涉及寫入/讀取周期持久性、數(shù)據(jù)保持以及高溫使用壽命。即便在多次工作之后，F(xiàn)RAM也可保持優(yōu)異的非周期和周期位性能。

　　封裝技術

　　當需要在同一IC中實現(xiàn)不同性能指標時，可高效使用封裝技術。例如，一些應用需要同時具有低噪聲、低功耗數(shù)字性能，可通過將兩種不同工藝的硅裸片布置在同一封裝中來實現(xiàn)?？蓪⒐杪闫M行堆棧，節(jié)省電路板空間。隨著封裝技術的不斷發(fā)展，還可將電感器與電容器等無源元件集成在封裝內。板上裸片貼裝(Chip on Board)技術能夠將整個IC完全嵌入到印刷電路板中，為密集型應用節(jié)省寶貴的空間。