ITO導(dǎo)電玻璃基礎(chǔ)知識

ITO導(dǎo)電玻璃是在鈉鈣基或硅硼基基片玻璃的基礎(chǔ)上，利用磁控濺射的方法鍍上一層氧化銦錫（俗稱ITO）膜加工制作成的。液晶顯示器專用ITO導(dǎo)電玻璃，還會在鍍ITO層之前，鍍上一層二氧化硅阻擋層，以阻止基片玻璃上的鈉離子向盒內(nèi)液晶里擴(kuò)散。高檔液晶顯示器專用ITO玻璃在濺鍍ITO層之前基片玻璃還要進(jìn)行拋光處理，以得到更均勻的顯示控制。液晶顯示器專用ITO玻璃基板一般屬超浮法玻璃，所有的鍍膜面為玻璃的浮法錫面。因此，最終的液晶顯示器都會沿浮法方向，規(guī)律的出現(xiàn)波紋不平整情況。

在濺鍍ITO層時(shí)，不同的靶材與玻璃間，在不同的溫度和運(yùn)動(dòng)方式下，所得到的ITO層會有不同的特性。一些廠家的玻璃ITO層常常表面光潔度要低一些，更容易出現(xiàn)“麻點(diǎn)”現(xiàn)象；有些廠家的玻璃ITO層會出現(xiàn)高蝕間隔帶，ITO層在蝕刻時(shí)，更容易出現(xiàn)直線放射型的缺劃或電阻偏高帶；另一些廠家的玻璃ITO層則會出現(xiàn)微晶溝縫。

ITO導(dǎo)電層的特性：

ITO膜層的主要成份是氧化銦錫。在厚度只有幾千埃的情況下，氧化銦透過率高，氧化錫導(dǎo)電能力強(qiáng)，液晶顯示器所用的ITO玻璃正是一種具有高透過率的導(dǎo)電玻璃。由于ITO具有很強(qiáng)的吸水性，所以會吸收空氣中的水份和二氧化碳并產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)而變質(zhì)，俗稱“霉變”，因此在存放時(shí)要防潮。

ITO層在活性正價(jià)離子溶液中易產(chǎn)生離子置換反應(yīng)，形成其它導(dǎo)電和透過率不佳的反應(yīng)物質(zhì)，所以在加工過程中，盡量避免長時(shí)間放在活性正價(jià)離子溶液中。

ITO層由很多細(xì)小的晶粒組成，晶粒在加溫過程中會裂變變小，從而增加更多晶界，電子突破晶界時(shí)會損耗一定的能量，所以ITO導(dǎo)電玻璃的ITO層在600度以下會隨著溫度的升高，電阻也增大。

ITO導(dǎo)電玻璃的分類：

ITO導(dǎo)電玻璃按電阻分，分為高電阻玻璃（電阻在150~500奧姆）、普通玻璃（電阻在60~150奧姆）、低電阻玻璃（電阻小于60奧姆）。高電阻玻璃一般用于靜電防護(hù)、觸控屏幕制作用；普通玻璃一般用于TN類液晶顯示器和電子抗干擾；低電阻玻璃一般用于STN液晶顯示器和透明線路板。

ITO導(dǎo)電玻璃按尺寸分，有14”x14”、14”x16”、20”x24”等規(guī)格；按厚度分，有2.0mm、1.1mm、0.7mm、0.55mm、0.4mm、0.3mm等規(guī)格，厚度在0.5mm以下的主要用于STN液晶顯示器產(chǎn)品。

ITO導(dǎo)電玻璃按平整度分，分為拋光玻璃和普通玻璃。

影響ITO玻璃性能的主要參數(shù)：

長度、寬度、厚度及允差（±0.20）

垂直度（≤0.10%）

翹曲度（厚度0.7mm以上≤0.10%，厚度0.55mm以下≤0.15%）

微觀波紋度

倒邊

C倒邊（0.05mm≤寬度≤0.40mm）

R倒邊（0.20mm≤寬度≤1.00mm，曲率半徑≤50mm）

倒角（浮法方向2.0mmX5.0mm；其余1.5mmx1.5mm）

SIO2阻擋層厚度（350埃±50埃，550nm透過率≥90%）

ITO層光學(xué)、電學(xué)、蝕刻性能（蝕刻液：600C 37%HCL:H267%HNO3=50:50:3）：見表1-1。

表1-1

化學(xué)穩(wěn)定性：

耐堿為浸入600C、濃度為10%氫氧化鈉溶液中5分鐘后，ITO層方塊電阻變化值不超過10%。

耐酸為浸入250C、濃度為6%鹽酸溶液中5分鐘后，ITO層方塊電阻變化值不超過10%。

耐溶劑為在250C、丙酮、無水乙醇或100份去離子水加3分EC101配制成的清洗液中5分鐘后，ITO層方塊電阻變化值不超過10%。

附著力：在膠帶貼附在膜層表面并迅速撕下，膜層無損傷；或連撕三次后，ITO層方塊電阻變化值不超過10%。

熱穩(wěn)定性：在3000C的空氣中，加熱30分鐘后，ITO導(dǎo)電膜方塊電阻值應(yīng)不大于原方塊電阻的300%。

外觀質(zhì)量：

裂紋：不允許。

粘附物：包括塵粒、玻璃碎等凸起物，TN型ITO導(dǎo)電玻璃鍍膜面不允許有不可去除的高度超過0.1mm的粘附物；STN型ITO導(dǎo)電玻璃鍍膜面不允許有不可去除的高度超過0.05mm的粘附物。

沾污：不可有不溶于水或一般清洗劑無法除去的沾污。

崩邊：長X寬≤2.0mmx1.0mm；深度不超過玻璃基片厚度的50%；總長度≤總邊長的5%。

劃痕：見表1-2。表1-2