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MEMS硅壓阻汽車(chē)壓力傳感器特性詳解

作者: 時(shí)間:2013-11-21 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
圖3敏感元件封裝

  圖3敏感元件封裝

  如圖3的敏感芯體封接在金屬螺紋底座上形成進(jìn)壓的腔道后成為一個(gè)可安裝的壓力測(cè)量前端,見(jiàn)圖4。

  圖4可安裝的壓力測(cè)量前端

  圖4可安裝的壓力測(cè)量前端

  此封裝技術(shù)可以承載至少15 MPa的壓力,若經(jīng)特殊處理可承載100 MPa的壓力。

2的倍號(hào)智能調(diào)理設(shè)計(jì)

  如圖2輸出電壓信號(hào)Vo=VB△R/R(R1=R2=R3=R4,△R1=△R2=△R3=△R4),在理想狀態(tài)下其信號(hào)輸出是一個(gè)線性變化值。但是單晶硅材料的屬于半導(dǎo)體傳感器其受溫度的影響比較大。這使得傳感器在環(huán)境溫度變化時(shí)輸出呈現(xiàn)變化,影響讀出精度。對(duì)圖2的電橋加入溫度對(duì)電橋的影響得出下式:

  MEMS硅壓阻汽車(chē)壓力傳感器特性詳解

  則

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  理想狀態(tài)下若:

  MEMS硅壓阻汽車(chē)壓力傳感器特性詳解

  但是在汽車(chē)應(yīng)用環(huán)境中溫度的影響很大,所以必需采用補(bǔ)償技術(shù)。圖5為一組實(shí)測(cè)得的未補(bǔ)償過(guò)的傳感器的寬溫度范圍溫度壓力曲線圖。顯而易見(jiàn),在汽車(chē)常用的工作溫區(qū),溫度引入的讀出誤差達(dá)到了10%左右,這顯然是不允許的。傳統(tǒng)的補(bǔ)償方法是在橋臂上串并聯(lián)電阻法補(bǔ)償,為提升工作效率采用激光修調(diào)預(yù)先制作在陶瓷基板上的厚膜電阻網(wǎng)絡(luò)的辦法來(lái)實(shí)現(xiàn)。但是此法有很多的缺點(diǎn)和局限性,并且寬溫度區(qū)的補(bǔ)償后精度也僅為2%~3%,達(dá)不到汽車(chē)測(cè)壓的要求。

  MEMS硅壓阻汽車(chē)壓力傳感器特性詳解

  圖5 寬溫度范圍下壓力信號(hào)輸出曲線

  通過(guò)采用數(shù)字化的信號(hào)處理將傳感器的微弱信號(hào)轉(zhuǎn)化為標(biāo)準(zhǔn)電壓信號(hào),并且植入模型算法將輸出的標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)補(bǔ)償?shù)揭欢ǖ木确秶鷥?nèi),是當(dāng)代最新的傳感器信號(hào)調(diào)理技術(shù)。

  信號(hào)處理鏈路框圖,圖6所示。



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