新聞中心

EEPW首頁 > 模擬技術 > 設計應用 > CCD圖像傳感器的原理及應用--μPD3575D

CCD圖像傳感器的原理及應用--μPD3575D

作者: 時間:2013-11-27 來源:網(wǎng)絡 收藏
TD>10pF 反饋通過電壓VR-100200mV 輸出上升延遲時間t3-50100ns 輸出上升時間t2-50100ns 輸出下降時間t1-50100ns 

其中,飽和輸出電壓Vout為響應曲線失支直線形時的輸出信號電壓;飽和曝光量SE為輸出飽和時的照度(lx)和積累時間的乘積。

輸出電壓不均勻性PRNU是取全部有效位輸出電壓的峰、谷之比值。平均暗電流ADS指的是遮光時的平均輸出電流。暗信號不均勻性DSNU是遮光時的全部有效像元的輸出電壓最大或最小值與ADS的差。輸出阻抗Zo為從外部看時輸出端子的阻抗。響應度R是曝光量除以輸出電壓的值。值得注意的是:使用其它光源時,器件的響應度會有所變化。

4 驅(qū)動時序

CCD的驅(qū)動需要四路脈沖,分別為轉(zhuǎn)移柵時鐘φIO、復位時鐘φRO、采樣保持時鐘φSHO和傳輸門時鐘φTG,將它們分別輸入到CCD芯片的2腳、3腳、4腳和8腳,并在相應的管腳接上相應的電壓就可以實現(xiàn)對CCD的驅(qū)動。

實現(xiàn)對CCD驅(qū)動的關鍵工作是如何產(chǎn)生以上的四路波形。圖3是該四路時序波形圖。

圖3

四路脈沖的作用描述如下:當傳輸門時鐘φTG脈沖高電平到來時,正遇到φIO電極下形成深勢阱,同時φTG的高電平使φIO電極下的深勢阱與CMOS電容存儲勢阱(存儲柵)溝通。于是CMS電容中的信號電荷包全部轉(zhuǎn)移到φIO電極下的勢阱中。當φTG變低時,φTG低電平形式的淺勢阱將存儲柵下勢阱與φIO電極下的勢阱離開,存儲柵勢阱進入光積分狀態(tài),而轉(zhuǎn)移柵則在轉(zhuǎn)移柵時鐘φIO脈沖作用下使轉(zhuǎn)移到φIO電極下勢阱中的信號電荷逐位轉(zhuǎn)稱,并經(jīng)過輸出電路輸出。采樣保持時鐘φSHO的作用是去掉輸出信號中的調(diào)幅脈沖成分,使輸出脈沖的幅度直接反映像敏單元的照度。

從以上描述和對波形的分析可以看出,復位脈沖φRO每觸發(fā)一次,φIO脈沖翻轉(zhuǎn)一次,并轉(zhuǎn)移一個像元的信號電荷,因此φIO脈沖的周期為φRO的2倍。采樣保持時間φSHO的周期和φRO的周期相同,但相位有一定的時間延遲。傳輸門時鐘φTG脈沖控制線陣CCD整行的轉(zhuǎn)移時間間隔,可作為行同步脈沖,其低電平持續(xù)的時間為φIO的整數(shù)倍,倍數(shù)由CCD的像元數(shù)決定。圖4給出了的脈沖時序關系圖,該圖中為負極性邏輯,與前邊圖3的正極性邏輯正好相反,在編程過程中,我們可以先實現(xiàn)正極性邏輯,然后通過反向器將極性反過來。

圖4

從波形圖可以看出,當轉(zhuǎn)移時鐘φIO變化(人“1”變到“0”或從“0”變到“1”)后,經(jīng)過t1時間(最小值200ns,典型值300ns),采樣保持時鐘φSHO從高電平變低電平,低電平維持時間為t2(最小值100ns,典型值300ns),當φRO翻轉(zhuǎn),使之由高電平變?yōu)榈碗娖剑|發(fā)的間隔時間為t3(最小值3ns,典型值100ns)。復位脈沖φRO翻轉(zhuǎn)后維持的時間為t4(最小值30ns,典型值100ns),當它由低電平變回高電平時,觸發(fā)轉(zhuǎn)移時鐘φIO翻轉(zhuǎn),其觸發(fā)間隔為t5(最小值0ns,典型值50ns)。這樣,一個循環(huán)結束,輸出一個像元。如此不斷循環(huán),直至完全輸出所有的像元。

電荷放大器相關文章:電荷放大器原理
電流變送器相關文章:電流變送器原理


評論


相關推薦

技術專區(qū)

關閉