STM32-FSMC機(jī)制的NOR Flash存儲(chǔ)器擴(kuò)展技術(shù)
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對(duì)于異步突發(fā)訪問方式，FSMC主要設(shè)置3個(gè)時(shí)間參數(shù)：地址建立時(shí)間(ADDSET)、數(shù)據(jù)建立時(shí)間(DATAST)和地址保持時(shí)間(ADDHLD)。FSMC綜合了SRAM／ROM、PSRAM和NOR Flash產(chǎn)品的信號(hào)特點(diǎn)，定義了4種不同的異步時(shí)序模型。選用不同的時(shí)序模型時(shí)，需要設(shè)置不同的時(shí)序參數(shù)，如表2所列。在實(shí)際擴(kuò)展時(shí)，根據(jù)選用存儲(chǔ)器的特征確定時(shí)序模型，從而確定各時(shí)間參數(shù)與存儲(chǔ)器讀／寫周期參數(shù)指標(biāo)之間的計(jì)算關(guān)系；利用該計(jì)算關(guān)系和存儲(chǔ)芯片數(shù)據(jù)手冊(cè)中給定的參數(shù)指標(biāo)，可計(jì)算出FSMC所需要的各時(shí)間參數(shù)，從而對(duì)時(shí)間參數(shù)寄存器進(jìn)行合理的配置。本文引用地址：http://2s4d.com/article/202625.htm
3 STM2擴(kuò)展S29GL系列NOR Flash實(shí)例
3．1 S29GL系列NOR Flash簡介
Spansion公司的S29GL系列芯片是采用90nm技術(shù)制造的高集成度NOR Flash存儲(chǔ)芯片，提供16～128 MB可選容量，支持最快25 ns的頁訪問速度和11O ns的隨機(jī)訪問速度，帶有最大64字節(jié)的寫緩沖區(qū)，以提供更快、更高效的編程，是嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)中大容量存儲(chǔ)器擴(kuò)展的理想選擇。本文選用的型號(hào)為S29GL512P，容量為512×64K字(總?cè)萘?4 MB)，擴(kuò)展到NOR Flash控制器管理的BANK1的第2個(gè)子BANK。
3．2 STM32與S29GL512P的電路連接
S25GL512P可通過控制引腳BYTE選擇對(duì)芯片的訪問單位(字／字節(jié))，區(qū)別在于：
①對(duì)于芯片引腳DQ15，字模式時(shí)傳送最高數(shù)據(jù)位D15；字節(jié)模式時(shí)傳送最低地址A-1。
②字模式時(shí)，數(shù)據(jù)引腳D0～D15上傳送數(shù)據(jù)信號(hào)；字節(jié)模式時(shí)，只有D0～D7上有信號(hào)。
此處，將BYTE上拉到高電平，選擇16位的字訪問單位。FSMC數(shù)據(jù)線FSMC_D[15：0]與S29GL512P的D15～D0對(duì)應(yīng)連接；FSMC地址線FSMC_A[25：0]的低25根與S29GL512P的地址線A[24：0]對(duì)應(yīng)連接。
由于S29GL512P芯片映射到BANK1的子BANK2，可確定其片選線應(yīng)連接FSMC片選控制線FSMC_NE2。S29GL512P的RY／BY引腳連接FSMC的FSMC_NWAIT引腳，提供等待信號(hào)。
3．3 FSMC的配置
根據(jù)S29GL512P的映射位置，需要對(duì)FSMC_BCR2和FSMC_BTR2／BWTR2寄存器進(jìn)行配置。
(1)FSMC_BCR2
配置S29GL512P的讀／寫采用統(tǒng)一時(shí)間參數(shù)，只需要設(shè)置時(shí)間寄存器FSMC_BTR2。配置存儲(chǔ)器類型為NORFlash，數(shù)據(jù)總線寬度為16位(字)，不采用地址／數(shù)據(jù)復(fù)用，使能BANK1的子BANK2。
(2)FSMC_BTR2
由表2可知，異步NOR Flash時(shí)序模型Mode2／B需要設(shè)置時(shí)間參數(shù)DATAST和ADDSET。根據(jù)時(shí)序圖，兩個(gè)參數(shù)的計(jì)算公式如下：
式中：Twc和Trc為所選存儲(chǔ)芯片的寫周期長度和讀操作周期長度；Twp為所選存儲(chǔ)芯片的寫信號(hào)持續(xù)長度。根據(jù)S29GL512P用戶手冊(cè)，可知參數(shù)Twc=Trc=130 ns，Twp=35 ns。設(shè)STM32微控制器采用72 MHz主頻，則HCLK=(1／72×10-6)s。通過上述公式計(jì)算，可取值為：DATAST=2，ADDSET=5。
評(píng)論