MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)及應(yīng)用
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結(jié)論：驅(qū)動(dòng)電阻到底選多大?還真難講，小了，EMI不好，大了，效率不好。
所以只能一個(gè)折中的選擇了。
那如果，開通和關(guān)斷的速度要分別調(diào)節(jié)，怎么辦?就用以下電路。
MOSFET的自舉驅(qū)動(dòng)。
對(duì)于NMOS來說，必須是G極的電壓高于S極一定電壓才能導(dǎo)通。那么對(duì)于對(duì)S極和控制IC的地等電位的MOS來說，驅(qū)動(dòng)根本沒有問題，如上圖。
但是對(duì)于一些拓?fù)洌热鏐UCK(開關(guān)管放在上端)，雙管正激，雙管反激，半橋，全橋這些拓?fù)涞纳瞎?，就沒辦法直接用芯片去驅(qū)動(dòng)，那么可以采用自舉驅(qū)動(dòng)電路。
看下圖的BUCK電路：
加入輸入12V，MOS的導(dǎo)通閥值為3V，那么對(duì)于Q1來說，當(dāng)Q1導(dǎo)通之后，如果要維持導(dǎo)通狀態(tài)，Q1的G級(jí)必須保證15V以上的電壓，因?yàn)镾級(jí)已經(jīng)有12V了。
那么輸入才12V，怎么得到15V的電壓呢?
評(píng)論