手把手教你如何進(jìn)行USB3.0接收機(jī)測(cè)試

圖8. TDR揭示阻抗不連續(xù)點(diǎn)。

圖9. 4x4矩陣描述了計(jì)算4端口S參數(shù)的公式體系。

圖10.差分和共模激勵(lì)和響應(yīng)。

檢定和調(diào)試

阻抗測(cè)量是相對(duì)的，通過(guò)比較反射幅度與入射幅度得出?，F(xiàn)代TDR儀器執(zhí)行所有計(jì)算，比對(duì)入射幅度和反射幅度與報(bào)告的rho(反射系數(shù))或歐姆值。圖8顯示了在入射TDR階躍從連接器移向軌跡末端、直到開(kāi)路時(shí)相對(duì)于特性阻抗Z0的阻抗變化。注意這個(gè)過(guò)程的精度與TDR信號(hào)源的參考阻抗高度相關(guān)，在本例中為Z0。

S參數(shù)(散射參數(shù))在描述頻域網(wǎng)絡(luò)性能中變得越來(lái)越常用。它們用每個(gè)端口上的入射波和反射波定義，描述了存在的與頻率有關(guān)的功率或電壓。圖9表明了相對(duì)于每個(gè)端口的單端入射電壓和返回電壓。圖10說(shuō)明了一種比較流行的測(cè)量配置，其在差分模式下執(zhí)行測(cè)量?；旌夏Ｊ较碌腟參數(shù)測(cè)量，包括差分測(cè)量和共模測(cè)量，提供了一個(gè)優(yōu)勢(shì)，可以洞察潛在的信號(hào)完整性問(wèn)題。差分測(cè)量與信號(hào)衰減直接相關(guān)，因?yàn)樾盘?hào)大多數(shù)能量以這種模式傳播。共模測(cè)量與時(shí)延和地電平彈跳有關(guān)。模式轉(zhuǎn)換會(huì)導(dǎo)致電磁干擾(Diff-CM)和電磁易感性(CM-Diff)。最后，相鄰線路之間的交叉耦合會(huì)產(chǎn)生串?dāng)_。阻抗測(cè)量和S參數(shù)測(cè)量對(duì)設(shè)計(jì)人員都至關(guān)重要，這些工具可以識(shí)別潛在的信號(hào)完整性問(wèn)題。在時(shí)域中，TDR可以隔離阻抗不連續(xù)點(diǎn)，甚至把仿真模型與物理測(cè)量關(guān)聯(lián)起來(lái)。在頻域中，S參數(shù)在本質(zhì)上提供了轉(zhuǎn)函表示或相對(duì)的行為模型。

可以使用TDR進(jìn)行的USB 3.0測(cè)量包括差分阻抗、頻域串?dāng)_和S參數(shù)，包括Sdd21插入損耗和差分到共模轉(zhuǎn)換。這些測(cè)量使用45歐姆的參考阻抗或90歐姆的差分阻抗進(jìn)行。由于大多數(shù)TDR系統(tǒng)采用50歐姆參考阻抗，因此測(cè)得數(shù)據(jù)需要在軟件中歸一化到目標(biāo)90歐姆差分參考阻抗。