流程改進提高效率IGBT為電機驅(qū)動應(yīng)用
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圖2：經(jīng)典IXYS XPT架構(gòu)之間的差異。
本文引用地址：http://2s4d.com/article/201609/303479.htm在設(shè)備施工，如晶圓減薄和改善興奮劑控制和器件結(jié)構(gòu)的進一步發(fā)展可能會增加IGBT的性能，提供了功率MOSFET與激烈的競爭在高效電機驅(qū)動應(yīng)用，特別是在成本是一個重要的考慮因素。
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圖2：經(jīng)典IXYS XPT架構(gòu)之間的差異。
本文引用地址：http://2s4d.com/article/201609/303479.htm在設(shè)備施工，如晶圓減薄和改善興奮劑控制和器件結(jié)構(gòu)的進一步發(fā)展可能會增加IGBT的性能，提供了功率MOSFET與激烈的競爭在高效電機驅(qū)動應(yīng)用，特別是在成本是一個重要的考慮因素。
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