技術(shù)提升助LED室內(nèi)照明發(fā)展

　　2　提升關(guān)鍵之一———芯片技術(shù)

　　目前的芯片技術(shù)發(fā)展關(guān)鍵在于襯底材料的選擇和外延片的生長技術(shù)。除了傳統(tǒng)襯底材料藍(lán)寶石、Si、SiC之外，ZnO和GaN等襯底材料也是目前業(yè)界研究的熱點(diǎn)。無論是用于重點(diǎn)照明和整體照明的大功率芯片，還是用于裝飾照明和一些輔助照明的小功率芯片，技術(shù)提升的關(guān)鍵都是圍繞著降低缺陷密度及如何研發(fā)出更高效穩(wěn)定的器件而進(jìn)行的，而如何提升LED芯片的效率則是目前提升整體技術(shù)指標(biāo)的重中之重。

　　在短短數(shù)年內(nèi)，借助表面粗化、量子阱結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)等一系列技術(shù)的改進(jìn)，目前由中村修二（LED藍(lán)光之父）領(lǐng)導(dǎo)的UCSB小組和在流明效率的提高上有了較大的突破（見表2）。另外，中村修二在2008年上海張江舉行的半導(dǎo)體前沿技術(shù)論壇中宣布，他們研制的效率為150lm/W的產(chǎn)品是基于318V的驅(qū)動(dòng)電壓實(shí)現(xiàn)的，現(xiàn)在有望將LED的能帶隙偏置電壓降低至218V,根據(jù)推算，屆時(shí)效率將會(huì)提高到193lm/W。

　　UCSB小組正在著手研究基于襯底材料非極性面和半極性面上生長LED量子阱，并以此技術(shù)來提升LED量子效率。就目前進(jìn)展而言，他們已成功將在半極性面上生長出來單量子阱，其黃色LED外量子效率提高到1314%。隨著該工藝的不斷成熟，LED量子效率將會(huì)得到進(jìn)一步的提升，LED芯片的發(fā)光效率也有望進(jìn)一步提高。

　　3　提升關(guān)鍵之二———封裝技術(shù)

　　3.1　單芯片封裝

　　單芯片封裝是封裝技術(shù)中采用最多的形式之一。略去多芯片封裝需要顧及到更多的散熱和電極分布方面的問題，該封裝技術(shù)瓶頸主要在于芯片的成品率、色溫控制以及熒光粉的涂布工藝。

目前就大功率LED芯片技術(shù)而言，主要還是掌握在國外廠商之中。國內(nèi)廠商雖然起步比較晚，在小功率芯片上已經(jīng)取得一些進(jìn)步，大功率芯片上在良率和效率上還需要作進(jìn)一步完善。