利用MCU的內(nèi)部振蕩器為電源增加智能控制
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然而,許多模擬電源應(yīng)用也能從即使最小、最便宜的微控制器(MCU)所提供的可配置能力和智能中獲得很多好處,實(shí)際上,在電源中最少可能有4個(gè)獨(dú)立的數(shù)字控制階段,它們是開(kāi)/關(guān)控制,比例控制配置、控制數(shù)字反饋或全數(shù)字控制,其中開(kāi)關(guān)控制階段具有一些令人矚目的優(yōu)勢(shì)。
通過(guò)使傳統(tǒng)開(kāi)關(guān)電源MOSFET驅(qū)動(dòng)器輸出無(wú)效的開(kāi)關(guān)輸入翻轉(zhuǎn),脈寬調(diào)制(PWM)技術(shù)可被用來(lái)控制電源的工作時(shí)間,即緩慢地從0%到100%增加電源的工作時(shí)間(圖1),該方法允許靈活的“軟啟動(dòng)”,以避免開(kāi)關(guān)電源啟動(dòng)時(shí)通常出現(xiàn)的浪涌電流。
另一個(gè)為電源增加智能的相對(duì)簡(jiǎn)單的方法是利用MCU的內(nèi)部振蕩器(4MHz)。該振蕩器可被用作開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的PWM生成器的時(shí)鐘源,例如Microchip公司的高速PWM控制器MCP1630(圖2)。
在這里例子中,MCU的時(shí)鐘輸出(通常除以4得到1MHz的參考時(shí)鐘)接至PWM生成器的振蕩輸入,如果MCU帶有片上PWM端口,它便能用作開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器PWM的輸入源,從而更好地控制占空比和頻率。
MCU的內(nèi)部振蕩器通常是由溫度補(bǔ)償?shù)腞C電路,且一般在出廠時(shí)進(jìn)行了初始默認(rèn)校準(zhǔn),但設(shè)計(jì)工程師可利用MCU振蕩器的校準(zhǔn)寄存器(OSCAL),通過(guò)軟件隨時(shí)調(diào)節(jié)振蕩器頻率,該功能有助于滿足FCC和其他管理機(jī)構(gòu)強(qiáng)制規(guī)定的輻射要求。
利用簡(jiǎn)單的偽隨機(jī)序列改變OSCAL設(shè)置,電源頻率能在約600MHz到1.2MHz的范圍內(nèi)變化,若采用線性反饋移位寄存器,只需幾行代碼就能很容易地實(shí)現(xiàn)隨機(jī)數(shù)生成器。這種廣為人知的技術(shù)只需對(duì)8位MCU進(jìn)行很少的編程工作,通過(guò)這種方式對(duì)內(nèi)部振蕩器進(jìn)行失諧處理,電源的能量能在一個(gè)很寬范圍內(nèi)展開(kāi),從而將單一頻率的發(fā)射能量降低20dB。
評(píng)論