設計人員感興趣的另一個地方是MOSFET電容的測試條件。大多數(shù)情況下，輸出電容在1MHz頻率和Vgs為0V的條件下測量。事實上存在著柵漏間電容、柵源間電容及漏源間電容。但實際上卻不可能單獨測量每一電容。因此，柵漏間電容和漏源間電容之和總稱為輸出電容，通過并聯(lián)兩個電容來測量。為使它們并聯(lián)，將柵極與源極短接在一起，即Vgs=0V。在開關(guān)應用中，當MOSFET在柵極加偏置電壓而導通時，輸出電容通過MOSFET溝道而短路。僅當MOSFET關(guān)斷時，輸出電容值才值得考慮。關(guān)于頻率，如圖5所示，低壓下的輸出電容在低頻時稍有增加。低頻時，因為測試設備的限制，有時無法測量低漏源電壓下的電容。圖5中，當漏源電壓小于4V時，100kHz時的電容將無法測出。雖然輸出電容存在微小變化，但是等效輸出電容卻幾乎恒定，因為低壓下的輸出電容微小變化不會對儲能產(chǎn)生如圖3所示那樣大的影響。本文引用地址：http://2s4d.com/article/187223.htm
圖5：MOSFET電容與頻率的關(guān)系。
本文小結(jié)
輸出電容是軟開關(guān)轉(zhuǎn)換器設計的重要部分。設計人員必須慎重考慮等效電容值，而不是將其固定為漏源電壓下的單一數(shù)值。
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